Химия летучих координационных и металлоорганических соединений, используемых в процессах химического осаждения металлических и оксидных слоев из паровой фазы

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Химия
Страниц:
346


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Актуальность темы. Устойчивый интерес к химии летучих координационных и металлоорганических соединений обусловлен двумя аспектами — фундаментальным и прикладным. Первый — это перспектива к расширению и углублению знаний о физико-химических свойствах в их взаимосвязи с химическим составом и строением соединений, второй связан с возможностью их использования в аналитической химии, микроэлектронике, катализе, экстракции, газовой хроматографии и других областях. Эти аспекты дополняют друг друга и являются основой возрастающего количества исследований в области химии различных классов летучих комплексов металлов с органическими лигандами. С середины XX века начались систематические исследования по поиску подобных соединений, обладающих высоким давлением пара при относительно низкой температуре, термической устойчивостью в конденсированной (при температурах парообразования) и газовой фазах, устойчивостью к внешним воздействиям, стабильностью при хранении, малой токсичностью. Совокупность этих свойств определяет перспективность их практического использования в качестве предшественников (прекурсоров) в процессах осаждения из паровой фазы пленок и покрытий различного функционального назначения.

Химическое осаждение из паровой (газовой) фазы (MOCVD — Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) — это один из наиболее динамично развивающихся методов формирования металлических и оксидных слоев различного назначения. Отличительной особенностью метода является эффективное управление параметрами процесса, и вследствие этого — заданными характеристиками получаемых слоев и наноструктур: размером нанокристаллитов, толщиной покрытия, его структурой и морфологией. Одним из важнейших направлений развития современной наноэлектроники является уменьшение топологических размеров приборов, что требует поиска новых материалов. Пленки и покрытия, полученные из прекурсоров Zr, Hf, Ru, Ir, Си, Au рассматриваются как перспективные кандидаты в производстве микросхем с ультра высокой степенью интеграции: тонкие слои на основе оксидов Zr, Hf — в качестве диэлектриков с высокой диэлектрической константой для замены Si02, металлы платиновой группы — для осаждения зародышевых диффузионно-барьерных слоев с последующей медной металлизацией, тонкие золотые наноштыри — для создания новой технологии записи информации.

Химия прекурсоров играет ключевую роль в процессах осаждения пленок и покрытий с заданными свойствами, т.к. параметры процессов и дизайн MOCVD установок определяются совокупностью физико-химических свойств используемых соединений. Несмотря на значительные успехи в области создания пленочных материалов различного функционального назначения, как правило, в разработках конкретных процессов осаждения преобладает эмпирический подход вследствие ограниченности имеющихся на данный момент фундаментальных физико-химических знаний и обобщений по химии прекурсоров. Нахождение общих закономерностей изменения свойств, в свою очередь, связано с решением вопросов целенаправленного синтеза летучих соединений металлов с заданными характеристиками. Таким образом, актуальны фундаментальные исследования, направленные на расширение данных о структурных и термических характеристиках прекурсоров, а также поиск новых летучих соединений металлов, обладающих необходимым набором свойств.

Цель работы — системные исследования летучих координационных и металлоорганических соединений элементов 4, 8−11 групп для выявления общих закономерностей изменения физико-химических свойств в зависимости от состава и строения лигандов, стехиометрии комплексов и природы металла-комплексообразователя, а также разработка эффективных подходов к выбору прекурсоров при формировании функциональных оксидных и металлических слоев с заданными параметрами методом MOCVD.

В работе решались следующие задачи:

— разработка методов синтеза летучих комплексов Zr, Hf, Ru, Ir, Си, Au с (3-дикетонатными, карбоксилатными, диэтилдитиокарбаматными, дииминатными, салицилальдиминатными, хинолинатными, диеновыми, аллильными лигандами-

— идентификация и исследование комплексов металлов с помощью методов ИК-, ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии, рентгеноструктурного и рентгенофазового анализа- определение чистоты выделяемых индивидуальных фаз-

— изучение термических превращений соединений в конденсированной фазе в зависимости от природы металла-комплексообразователя, типа и строения лигандов, измерение температурных зависимостей давления насыщенного пара и расчет термодинамических параметров процессов парообразования, изучение процессов термораспада паров соединений методом in-situ высокотемпературной масс спектрометрии-

— выбор прекурсоров, проведение тестовых MOCVD экспериментов, характеризация состава и структуры полученных оксидных и металлических слоев.

Научная новизна. С использованием фторокомплексов рутения впервые разработаны методы синтеза Р-дикетонатов Ru (III) с выходом конечных продуктов до 90% путем замещения фтор-иона во внутренней координационной сфере, получены и охарактеризованы новые соединения Ru (III).

Разработаны методы синтеза новых С1, Вг, I-yC-замещенных ацетилацетонатов 1 г (Ш), основанные на особенностях химического поведения исходного 1 г (асас)3 при воздействии галогенводородиых кислот- получены и охарактеризованы новые F-yC-замещенные дипивалоилметанаты Ru (III) и Cu (II).

Оптимизированы методы синтеза разнолигандных комплексов Ru (II), Ir (I) с аллильными и диеновыми лигандами, хелатов диметилзолота (Ш) с N, О, S-донорными лигандами, получены и охарактеризованы новые комплексы Au (III) с карбоксилатными, салицилальдиминатными и хинолинатными лигандами.

Проведен кристаллохимический анализ 29 комплексов Zr, Hf, Ir, Си, Аи с перечисленными выше типами лигандов.

Методами комплексного термического анализа исследовано поведение 47 соединений в конденсированной фазе при нагревании, установлены качественные ряды летучести для Р-дикетонатов Ru (III), Zr (IV), Hf (IY) — CI, Вг, I-yC-замещенных ацетилацетонатов Ir (III) — разнолигандных комплексов Ir (I) — диэтилдитиокарбаматов металлов платиновой группы- комплексов диметилзолота (Ш) с N, О, S-донорными лигандами.

Впервые измерены температурные зависимости давления насыщенного пара и рассчитаны термодинамические параметры процессов парообразования 45 соединений с использованием различных методов тензиметрии- выявлены основные закономерности изменения летучести соединений в зависимости от строения лигандов, стехиометрии комплексов и природы металла-комплексообразователя.

Методом in-situ высокотемпературной масс-спектрометрии исследованы процессы термораспада паров 15 синтезированных соединений в вакууме и в присутствии газов-реактантов, определены составы первичных газообразных продуктов и температуры начала процессов разложения. Предложены схемы распада паров комплексов на нагретой поверхности.

По совокупности системного исследования проведен выбор прекурсоров, определены MOCVD параметры и получены пленки Z1O2 и НЮ2, а также металлические слои Ru, Ir, Си, Аи. Показано влияние природы прекурсора на состав и структуру полученных слоев.

Практическая значимость. Предложенные методы синтеза летучих комплексов металлов 4, 8−11 групп с органическими лигандами дают возможность получать соединения с высоким выходом конечных продуктов, что важно для их дальнейшего использования. Разработаны методики получения ряда соединений в укрупненном масштабе.

Результаты рентгеноструктурпого исследования включены в Кембриджскую кристаллографическую базу данных (CSDB).

Полученные термодинамические параметры процессов парообразования являются справочными данными и в совокупности с другими результатами могут быть использованы для прогнозирования свойств летучих соединений металлов.

Предложенный подход к исследованию летучих координационных и металлоорганических соединений может быть применен для целенаправленного выбора прекурсоров и определения параметров процессов осаждения функциональных оксидных и металлических слоев методом MOCVD.

На защиту выносятся: S системные исследования физико-химических и термических свойств летучих координационных и металлоорганических соединений, а также совокупность приемов к целенаправленному выбору прекурсоров, определению параметров экспериментов и реализация процессов осаждения оксидных и металлических слоев методом MOCVD-

S методы синтеза комплексов Zr, Hf, Ru, Ir, Си, Аи с р-дикетонатными, карбоксилатными, диэтилдитиокарбаматными, дииминатными, салицил-альдиминатными, хинолинатными, диеновыми, аллильными лигандами-

S результаты кристаллохимического анализа комплексов металлов- S результаты исследования термических свойств соединений в конденсированном состоянии-

S данные по температурным зависимостям давления насыщенного пара и термодинамическим параметрам процессов парообразования летучих комплексов металлов-

S результаты исследования термического разложения паров соединений методом in situ высокотемпературной масс спектрометрии-

S данные по параметрам осаждения оксидных Zr02, НЮ2 и металлических Ru, Ir, Си, Аи слоев методом MOCVD и результаты исследования их состава и структуры.

Личный вклад автора. Автору принадлежит основная роль в определении направлений исследования, постановке задач, выборе экспериментальных подходов и методов исследования, обработке и интерпретации получаемых результатов, подготовке публикаций к печати. Экспериментальная часть работы по синтезу, очистке комплексов металлов, а также ряд тензиметрических исследований и экспериментов по осаждению пленок и покрытий выполнены либо самостоятельно автором, либо совместно с сотрудниками лаборатории химии координационных и металлоорганических соединений и аспирантами, работавшими под научным руководством автора и защитившими кандидатские диссертации. Характеризация соединений, рентгеноструктурные исследования, часть исследований по определению количественных характеристик давления пара соединений, а также по осаждению оксидных систем выполнена в соавторстве с сотрудниками соответствующих лабораторий ИНХ СО РАН.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на XVII Международном Черняевском совещании по химии, анализу и технологии платиновых металлов (Москва, 2001), Fourteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition — EuroCVD-14 (France, 2003) — lllh Asia Pacific Academy of Materials (АРАМ) Seminar «The Progress in Functional Materials» (China, 2004) — XIII Российской конференции по физической химии и электрохимии расплавленных и твердых электролитов (Екатеринбург, 2004) — семинаре СО РАН — УрО РАН & quot-Термодинамика и материаловедение& quot- (Екатеринбург, 2004) — Пятом семинаре СО

РАН — УрО РАН & quot-Термодинамика и материаловедение& quot- (Новосибирск, 2005) — XXII Международной Чугаевской конференции по координационной химии (Молдова, 2005) — XV Международной конференции по химической термодинамике в России (Москва, 2005) — 20th International Conference on Coordination and Bioinorganic Chemistry (Slovakia, 2005) — Fifteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition — EuroCVD-15 (Germany, 2005- 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry and the 12th Asia-Pacific Academy of Materials Topical Seminar (АРАМ) (Taiwan, 2005) — 1st Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices (China, 2006) — IV Национальной кристаллохимической конференции (Черноголовка, 2006) — XVI Международной конференции по химической термодинамике в России (Суздаль, 2007) — XXIII Международной Чугаевской конференции по координационной химии (Украина, 2007) — Sixteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition — EuroCVD-16 (Netherlands, 2007) — 2nd International Meeting on Developments in Materials, Processes & Applications of Nanotechnology (UK, 2008) — Fourteenth АРАМ Conference on State of Materials Research and New Trends in Materials Science (India, 2008) — Seventeenth European Conference on Chemical Vapor Deposition — EuroCVD-17 (Austria, 2009).

Публикации. По теме диссертации соискатель имеет 63 опубликованные работы, в том числе: статей в отечественных и международных журналах — 41 (список ВАК), патентов — 2, трудов обществ и конференций — 20. Список основных публикаций (41) приведен в конце автореферата.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, семи глав, включая литературный обзор, выводов, списка цитированной литературы (366 наименований) и приложения. Объем работы — 346 страниц, в том числе 93 рисунка и 36 таблиц.

ВЫВОДЫ

1. Реализован системный подход к изучению летучих координационных и металлоорганических соединений элементов 4, 8−11 групп, включающий синтез и характеризацию представителей различных классов летучих комплексов металлов- исследование их термических свойств в конденсированной и газовой фазах- тестовые MOCVD эксперименты и изучение состава и структуры полученных слоев. Предложенный подход, основанный на постадийном исследовании физико-химических свойств и селекции соединений, применен к целенаправленному выбору прекурсоров для реализации процессов осаждения металлических и оксидных слоев методом MOCVD.

2. На основе оригинальных и модифицированных методов синтезировано 55 соединений Zr, Hf, Ru, Ir, Cu, Au с Р-дикетонатными, карбоксилатными, диэтилдитиокарбаматными, дииминатными, салицилальдиминатными, хинолинатными, диеновыми, аллильными лигандами. С использованием фторокомплексов рутения впервые разработаны методы синтеза Р-дикетонатов Ru (III) с выходом конечных продуктов до 90% путем замещения фтор-иона во внутренней координационной сфере- разработаны методы синтеза новых CI, Br, I-уС-замещенных ацетилацетонатов Ir (III), основанные на особенностях химического поведения исходного 1 г (асас)3 при воздействии галогенводородных кислот- получены новые F-yC-замещенные дипивалоилметанаты Ru (III), Cu (II) — оптимизированы методы синтеза разнолигандных комплексов Ru (II), Ir (I) с аллильными и диеновыми лигандами и хелатов диметилзолота (Ш) с N, О, S-донорными лигандами- ряд соединений получен впервые. Отработаны методы выделения и очистки конечных продуктов. Соединения идентифицированы совокупностью методов элементного анализа, ИК-, ЯМР-спектроскопии, масс-спектрометрии, подтверждена чистота (+99,8%) выделенных индивидуальных фаз. Разработаны методики синтеза для получения ряда соединений в укрупненном масштабе.

3. Проведен кристалл охимический анализ 29 синтезированных соединений, рассмотрено влияние заместителей в лиганде, природы донорного атома и типа лиганда на кристаллохимические параметры. Показано, что: для р-дикетонатов Zr (IV) и Hf (IV) введение объемных терминальных заместителей в лиганд приводит к увеличению расстояния между центрами молекул, ряд хелатов с идентичными лигандами являются изоструктурными соединениями- С1-уС-замещенный ацетилацетонат Ir (III) имеет псевдо-димерную струкутуру, остальные галоген-уС-замещенные Р-дикетонаты Ir (III) и Cu (II) существуют в виде мономеров- для комплексов Cu (NMe, NMe) и Cu (NEt, NEt) введение заместителей при атоме азота приводит к увеличению расстояния Си. Си по сравнению с Си (асас)2- карбоксилаты диметилзолота (Ш) имеют димерную структуру, салицилальдиминаты и хинолинаты диметилзолота (Ш) — мономерную структуру, замена терминальных заместителей в лиганде практически не влияет на геометрические характеристики координационного узла, при этом изменяются расстояния между атомами золота соседних молекул.

4. Методами комплексного термического анализа исследовано поведение 47 соединений в конденсированной фазе при нагревании. На основании анализа кривых ТГ показано, что: летучесть р-дикетонатов Ru (III), Zr (IV), Hf (IV) и карбоксилатов диметилзолота (Ш) увеличивается при введении фторированных заместителей в лиганд- введение галогена в уС-положение увеличивает летучесть Р-дикетонатных производных Ir (III) и Cu (II) — для комплексов металлов платиновой группы с диэтилдитиокарбаматными лигандами летучесть увеличивается при переходе от M (dtc)3 к M (dtc)2. Показано, что введение Ph-заместителей в р-дикетонатные лиганды увеличивает термостабильность соединений в конденсированной фазе.

5. Исследованы процессы парообразования комплексов металлов с органическими лигандами, установлены основные закономерности изменения упругости пара в зависимости от строения лиганда, стехиометрии комплексов и природы металла-комплексообразователя. Статическим методом, методом потока и методом Кнудсена впервые измерены температурные зависимости давления насыщенного пара 45 синтезированных соединений- рассчитаны термодинамические параметры процессов парообразования- установлены количественные ряды изменения летучести. Показано, что для комплексов металлов с различными типами лигандов изменение летучести лежит в интервале ~5 порядков- для Р-дикетонатов Zr (IV), Hf (IV), Ru (III) вариация терминальных заместителей в лиганде приводит к изменению летучести на ~4−5 порядков- вариация центрального атома в I ацетилацетонатах и диэтилдитиокарбаматах металлов платиновой группы изменяет давление пара на -1,5−2 порядка- замена донорных атомов в координационном узле в ряду (0,0) — (0,N) — (N, N) для комплексов меди (П) увеличивает летучесть на ~2 порядка- введение галогена в уС-положение приводит к увеличению упругости пара в 2 раза. Для обработки тензиметрических данных и уточнения расчетных термодинамических величин предложена трехпараметрическая модель линейной регрессии. В приближении атом-атомных функций для ряда соединений рассчитаны энергии ван-дер-ваальсового межмолекулярного взаимодействия в кристаллах, проведено сравнение вычисленных величин с экспериментальными значениями энтальпий сублимации.

6. Методом in situ высокотемпературной масс-спектрометрии исследованы процессы термораспада паров 15 соединений, определены температуры начала разложения паров и состав первичных газообразных продуктов- показано влияние реакционных добавок (кислорода, водорода) на протекающие процессы- для ряда соединений предложены возможные схемы термических превращений на нагретой поверхности- установлено, что практически во всех случаях процесс термораспада сопровождается выделением HL в газовую фазу- для разнолигандных комплексов Ru (II), Ir (I) с аллильными и диеновыми лигандами введение реакционных добавок практически не меняет схемы процессов разложения- для комплексов диметилзолота (Ш) показано, что в отличие от карбоксилатных производных, пары комплексов с салицилальдиминатами менее устойчивы, и в газообразных продуктах реакции присутствуют объемные органические молекулы.

7. На основании совокупности результатов проведенного физико-химического исследования сделан выбор прекурсоров и определены параметры MOCVD процессов для осаждения оксидных и металлических слоев, получены пленки Zr02, НЮ2, а также металлические слои Ru, Ir, Си, Au. Показано влияние природы прекурсора на состав и структуру получаемых пленок. Установлено, что: использование ацетилацетонатов Ru (III) и Ir (III) приводит к образованию компактных сплошных пленок, в отличие от комплексов Ru (nbd)(allyl)2 и 1 г (СО)2(асас), из которых образуются пленки с нанокристаллической зернистой структурой- при осаждении слоев НЮ2 из Hf (thd)4 образуются пленки, практически свободные от примесей углеродсодержащих продуктов, в то время как использование бис-циклопентадиенильных производных Hf (IV) приводит к образованию пленок, в составе которых обнаружены углеродсодержащие фрагменты- из карбоксилатов диметилзолота (Ш) получены сплошные компактные металлические пленки золота, в то время как из салицилальдиминатов диметилзолота (Ш) формируются слои, имеющие зернистую структуру.

1.5. Заключение

Анализ литературных данных показал, что для летучих соединений рассматриваемых металлов с органическими лигандами, являющимися перспективными прекурсорами в MOCVD процессах, основная часть опубликованных работ посвящена синтезу и физико-химическому изучению комплексов. В меньшей степени в литературе отражены структурные исследования и данные по термическому поведению в конденсированной фазе, а данные по давлению насыщенного пара и термораспаду паров соединений в литературе практически отсутствуют. В связи с этим при реализации MOCVD процессов для осаждения покрытий с заданными свойствами возникают трудности с выбором прекурсоров и параметров осаждения.

Отсутствие научно-обоснованного подхода к выбору исходного соединения, связанное с недостаточной изученностью свойств прекурсоров, недостаток фундаментальных знаний о термических и структурных характеристиках являются причиной того, что в основе разработки процессов осаждения пленок лежит эмпирический подход к установлению оптимальных параметров, определяющих необходимые свойства осаждаемых материалов.

В связи с этим получение новых данных о структурных и термодинамических характеристиках используемых прекурсоров, выявление общих закономерностей изменения свойств соединений в зависимости от состава и строения лигандов являются весьма важными задачами, как с фундаментальной, так и с практической точки зрения. Систематизированные знания в этой области позволят прогнозировать термические свойства соединений. Следует отметить, что при выборе прекурсоров для реализации MOCVD процессов, а также режимов осаждения покрытий, подобная информация является ключевой.

Таким образом, задачи исследования заключались в системном изучении летучих координационных и металлоорганических соединений для выявления общих закономерностей изменения физико-химических свойств в зависимости от состава и строения лигандов, стехиометрии комплексов и природы металла-комплексообразователя, а также в разработке эффективных подходов к выбору прекурсоров при формировании функциональных оксидных и металлических слоев с заданными параметрами методом MOCVD.

Для реализации поставленных задач на основе системного исследования соединений для выявления общих закономерностей изменения свойств нами предложены этапы, представленные далее на схеме, реализация которых будет проводиться ступенчато:

CZ5

На каждом этапе для дальнейших исследований будет проведена селекция прекурсоров. На основе совокупности полученных результатов будет сделан выбор прекурсоров для получения пленок с заданными свойствами и проведены тестовые MOCVD эксперименты.

В качестве объектов исследования будут рассмотрены комплексы металлов Zr, Hf, Ru, Ir, Cu, Au с лигандами, представленными в табл. 10:

Комплексы металлов с перечисленными лигандами отличаются достаточно высокой летучестью, устойчивостью к температурным воздействиям и, как правило, не подвергаются разложению при длительном хранении. Путем варьирования типов лигандов и заместителей будут выявлены закономерности их влияния на летучесть и термическую стабильность соединений в твердой и газовой фазах, что позволит в дальнейшем прогнозировать влияние лигандного окружения на физико-химические свойства MOCVD прекурсоров.

ПоказатьСвернуть

Содержание

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.2. Синтез, физико-химический и рентгеноструктурный анализ летучих комплексов металлов с органическими лигандами.

2.1. Комплексы Zr (IV) и Hf (IV) с органическими лигандами.

1.2.1.1. Соединения со спиртами.

1.2.1.2. Соединения с аминами.

1.2.1.3. Циклопентадиенильные производные.

1.2.1.4. р-дикетонаты Zr (IV) и Hf (IV).

1.2.1.4.1. р-дикетонатные лиганды.

1.2.1.4.2. Методы синтеза Р-дикетонатов Zr (IV) и Hf (IV).

1.2.1.4.3. Физико-химическое исследование [3-дикетонатов Zr (IV) и Hf (IV).

1.2.1.4.4. Кристаллохимическое и рентгеноструктурное исследование Р-дикетонатов Zr (IV) и Hf (IV).

1.2.2. Летучие комплексы иридия.

1.2.2.1. Соединения иридия со связью металл-углерод.

1.2.2.1.1. Гетеролигандные карбонилы иридия.

1.2.2.1.2. Циклопентадиенильные производные иридия.

1.2.2.1.3. Другие комплексы иридия.

1.2.2.2. Комплексы иридия с (8,8)-лигандами.

1.2.2.3. Р-дикетонатные производные Ir (III).

1.2.3. Летучие комплексы рутения.

1.2.3.1. Р-дикетонаты Ru (III).

1.2.3.2. Аллильные производные Ru (II, IV).

1.2.3.3. Циклопентадиенильные производные Ru (II).

1.2.3.4. Другие комплексы рутения.

1.2.4. Комплексы Cu (II) с дииминными производными р-дикетонов.

1.2.5. Комплексы Au (III) с органическими лигандами.

1.2.5.1. Галоидные и псевдогалоидные соединения.

1.2.5.2. Соединения золота, стабилизированные атомами VI группы.

1.3. Методы исследования термических свойств летучих соединений.

1.3.1. Исследование термической стабильности соединений в конденсированном состоянии.

1.3.1.1. Комплексы Zr (IV), Hf (IV) с органическими лигандами.

1.3.1.2. Комплексы Ir (III), Ru (III) с Р-дикетонами.

1.3.1.3. Комплексы диметилзолота (Ш).

1.3.2. Измерение температурных зависимостей давления насыщенног о пара летучих комплексов металлов с органическими лигандами.

1.3.2.1. р-дикетонаты Zr (IV) и Hf (IV).

1.3.2.2. Летучие комплексы иридия.

1.3.2.3. Летучие комплексы рутения.

1.3.2.4. Летучие комплексы диметилзолота (Ш).

1.3.3. Исследование термической стабильности паров комплексов металлов.

1.3.3.1. Термораспад паров комплексов Zr (IV), Hf (IV).

1.3.3.2. Термораспад паров р-дикетонатов Ir (III), Ru (III).

1.3.3.3. Термораспад паров комплексов Au (III).

1.4. Осаждение пленок методом MOCVD.

1.4.1. Осаждение пленок Zr02 и НЮ2.

1.4.2. Осаждение пленок Ir, Ru, Си методом MOCVD.

1.4.3. Осаждение пленок Аи методом MOCVD.

Список литературы

1. Грибов Б. Г., Домрачеев Г. А., Жук Б. В., Каверин Б. С., Козыркин Б. И., Мельников В. В., Суворова О. Н. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. М. Наука. 1981. 286 с.

2. Бехли А. Е., Касаткин А. В. Использование летучих р-дикетонатов циркония и иттрия для получения толстых слоев стабилизированного Zr02 на силицированном молибдене // Журн. неорг. химии. -1995. -T. 40. -N4. -C. 563−568.

3. Susnitzky D.W., Hertt W., Carter C.B. Destabilization of zirconia thermal barriers in the presence ofV205// JACS. -1988. -V. 71. -N11. -P. 992−1004.

4. Usui Т., Asada A., Ishibashi K., Nakazawa N. Humiditysensing characteristics in wet air of a gas polarographic oxygen sensor using a zirconia electrolyte // J. Electrochem. Soc. -1991. -V. 138. -N2. -P. 585−588.

5. Dobrowski J.A., Grant P.D., Simpson R., Walddorf AJ. Investigation of the influence of the evaporation process conditions on the optical constants of zirconia films // Appl. Opt. -1989. -V. 28. -N18. -P. 3997−4012.

6. Meng G.Y., Song H.Z., Wang H.B., Xia C.R., Peng D.K. Progress in ion-transport inorganic membranes by novel chemical vapor deposition (CVD) techniques // Thin Solid Films. -2002. -V. 409, N1. -P. 105−111.

7. Pal U., Singhal S.C. Electrochemical Vapor Deposition of Yttria Stabilized Zirconia // J. Electrochem. Soc. -1990. -V. 137. -P. 2937−2941.

8. Cho M. -H., Roh Y.S., Whang C.N., Jeong K., Nahm S.W., Ко D.H., Lee J.H., Lee N.I., Fujihara K. Thermal stability and structural characteristics of Hf02 films on Si (100) grown by atomic layer deposition // Appl. Phys. Lett. -2002. -V. 81, N3. -P. 472−474.

9. Aaltonen T, Alen P., Ritala M., Leskela M. Ruthenium Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition// Chem. Vap. Deposition. -2003. -V. 9, N1. -P. 45−49.

10. Smitha K.C., Suna Y. -M., Mettlacha N.R., Hanceb R.L., Whitea J.M. Evaluation of precursors for chemical vapor deposition of ruthenium // Thin Solid Films. -2000. -V. 376. -P. 73−81.

11. Kwon O. -K., Kim J. -H., Park H. -S. and Kang S. -W. Atomic Layer Deposition of Ruthenium Thin Films for Copper Glue Layer // J. Electrochem. Soc. -2004. -V. 151, N8. -P. G489-G492.

12. Leskela M., Ritala M. Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures // Thin Solid Films. -2002. -V. 409. -P. 138−146.

13. Puuurunen R.L. Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process // J. Appl. Phys. -2005. -V. 97. -P. 121 301 (1−52).

14. Takahashi Y., Fukuoka Y. Process for the preparation of N, N-dialkilamides. Patent US 3,758,576- Sept. 11, 1973.

15. Thompson D.M. Processes of the Production of Organometallic Compounds. Patent US 2006/229 462 Al- Oct. 12, 2006.

16. Sakai Т., Hashimoto S., Matsuki Y. Chemical Vapor Deposition Material and Chemical Vapor Deposition. Patent US 7,002,033 Bl- Feb. 21, 2006.

17. Танатар С., Куровскаю Э. Ацетилацетонаты металлов II группы // Журн. Русск. Физ-хим. Об-ва.- 1908. -Т. 40. -С. 580−584.

18. Игуменов И. К., Чумаченко Ю. В., Земсков С. В. Тенизметрическое изучение летучих Р-дикетонатов металлов / В кн. & quot-Проблемы химии и применения Р-дикетонатов металлов& quot- М. Наука. 1982. -С. 100−120.

19. Игуменов И. К., Жаркова Г. И., Исакова В. Г., Земсков С. В. Р-Дикетонаты благородных металлов / В кн. & quot-Теоретическая и прикладная химия Р-дикетонатов металлов& quot- М. Наука. 1985. -С. 36−51.

20. Конунова Ц. Б. Координационные соединения циркония и гафния с органическими лигандами. Кишинев. Щтиинца. 1975. 224 с.

21. Шека И. А., Карлышева К. Ф. Химия гафния. Киевю Наукова думкаю 1972. 456 с.

22. Блюменталь У. Б. Химия циркония. М. Изд-во иностр. лит-ры. 1963. 342 с.

23. Bradley D.C., Abd-el Halim F.M., Wardlaw W. The Chloride Ethoxides of Zirconium //J. Chem. Soc. -1950. -V. 1. -P. 3450−3454.

24. Фрейндлина P.X., Брайнина Э. М., Несмеянов A.H. Обменные реакции тетраацетилацетоната циркония //Изв. АН СССР, OXH. -1957. -N1. -C. 43−47.

25. Bradley D.C., Thomas I.M. Metallo-organic compounds containing metal-nitrogen bonds. Part 1. Some dialkylamino-derivatives of titanium and zirconium // J. Chem. Soc. -1960. -V. 10. -P. 3857−3861.

26. Bradley D.C., Carter D.G. Metal oxide alkoxide polymers. Part I. The hydrolysis of some primary alkoxides of zirconium // Canad. J. Chem. -1961. -V. 39, N7. -P. 1434−1442.

27. Bradley D.C. Metal Alkoxides as Precursors for Electronic and Ceramic Materials // Chem. Rev. -1989. -V. 89. -P. l317−1322.

28. Evans W.J., Ansari M.A., Ziller J.W. Isolation and structural characterization of the polymetallic zirconium alkoxide complexes, Zr30(0CH2CMe3)9Cl, Zr30(0CMe3)9(0H), Na4Zr602(OEt)24 // Polyhedron. -1998. -V. 17, N5−6. -P. 869−877.

29. Powell C.F. Chemically Deposited Nonmetals // Vapor Deposition / Ed. C.F. Powell, J.H. Oxley, J.M. Blocher. New York, The Electrochem. Society, Inc. 1966. -P. 343−420.

30. Starikova Z.A., Turevskaya E.P., Kozlova N.I. et al. Structural study of zirconium and hafnium oxoalkoxides // Polyhedron. -1999. -V. 18. -P. 941−947.

31. Yang T.S., An K. -S., Lee E. -J. et al. Chemical Vapor Deposition of Hf02 Thin Films Using the Novel Single Precursor Hafnium 3-Methyl-3-pentoxide, Hf (mp)4 // Chem. Mater. -2005. -V. 17, N26. -P. 6713−6718.

32. Abrutis A., Hubert-Pfalzgraf L.G., Pasko S.V. et al. Hafnium oxoneopentoxide as a new MOCVD precursor for hafnium oxide films // J. Cryst. Growth. -2004. -V. 267, Issues 3−4. -P. 529−537.

33. Sayan S., Aravamudhan S., Busch B.W. et al. Chemical vapor deposition of НГО2 films on Si (100) // J. Vac. Science & Technology, A: Vacuum, Surfaces, and Films. -2002. -V. 20, N2. -P. 507−512.

34. Williams P.A., Roberts J.L., Jones A.C. et al. Novel mononuclear zirconium and. hafnium alkoxides- improved precursors for the MOCVD of Zr02 and Hf02 // J. Mater. Chem. -2002. -V. 12. -P. 165−167.

35. Williams P.A., Roberts J.L., Jones A.C. et al. Novel Mononuclear Alkoxide Precursors for the MOCVD of Zr02 and Hf02 Thin Films // Chem. Vap. Deposition. -2002. -V. 8, N4. -P. 163−170.

36. Archakov, I. Yu., Vorob’ev, A.N., Bord, О. V. et al. Mass spectrometric study of Hf (OBut)2mmp2 thermal decomposition // Reviews on Advanced Materials Science. 2004. -V. 7, N2. -P. 126−135.

37. Bradley D.C., Thomas I.M. Dialkylamido-derivatives of titanium, zirconium and tantalium // Proc. Chem. Soc. -1959. -N8. -P. 225−226.

38. Reetz M.T., Urz R., Schuster T. An economical large-scale synthesis of titanium tetrakis (diethylamide) and chlorotitanium tris (diethylamide) // Synth. -1983. -N7. -P. 540.

39. Steinborn D., Wagner I., Taube R. An efficient synthesis of titanium and zirconium tetrakis (diethylamide) // Synth. -1989. -N4. -P. 304.

40. Draper S.M., Kelley N. Hafnium 1992 // Coord. Chem. Rev. -1995. -V. 146. -P. 141−153.

41. Bai Y., Roesky H.W., Holtemeyer M., Witt M. Synthesis and structures of (monoorganyl)amides of zirconium and hafnium // Chem. Berichte. -1992. -V. 125, N4. -P. 825−831.

42. Williams P.A., Jones A.C., Tobin N.L. et al. Growth of hafnium dioxide thin films by liquid-injection MOCVD using alkylamide and hydroxylamide precursors // Chem. Vap. Deposition. -2003. -V. 9, N6. -P. 309−314.

43. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. -2005. -V. 101. -P. 139−148.

44. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. 2003. -V. 99. -P. 139−148.

45. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. -2002. -V. 98. -P. 129−137.

46. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. -2001. -V. 97. -P. 133−142.

47. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. -1999. -V. 95. -P. 105−115.

48. Cotton S.A. Titanium, zirconium and hafnium // Annu. Rep. Prog. Chem., Sect. A. -1997. -V. 93. -P. 143−153.

49. Hollink E., Stephan D.W. Zirconium and hafnium // Comprehensive Coordination Chemistry II, Volume 4 / Ed. J.A. McCleverty, T.J. Meyer. -Elsevier Ltd., Oxford, UK, 2004. -P. 105−173.

50. Dias A.R., Veiros L.F. Are cyclopentadienyl complexes more stable than their pyrrolyl analogues // J. Organomet. Chem. -2005. -V. 690, N7. -P. 1840−1844.

51. Bruder A.H., Fay R.C., Lewis D.F., Sayler A.A. Synthesis, characterization, and X-ray structure of ti5-cyclopentadienyltris (N, N-dimethyldithiocarbamato)-zirconium (IV) // JACS. -1976. -V. 98, N22. -P. 6932−6938.

52. Sikora D.J., Rausch M.D., Rogers R.D. et al. New synthesis and molecular structures of the decamethylmetallocene dicarbonyls (r|5-C5Me5)2M (CO)2 (M = titanium, zirconium, hafnium) // JACS. -1981. -V. 103, N5. -P. 1265−1267.

53. Sikora D.J., Rausch M.D., Rogers R.D., Atwood J.L. Structure and reactivity of the first hafnium carbonyl, bis (r|5-cyclopentadienyl)dicarbonylhafnium // JACS. -1979. -V. 101, N17. -P. 5079−5081.

54. Calderazzo F., Englert U., Pampaloni G., Tripepi G. The tetracyclopentadienyls of titanium, zirconium and hafnium: new synthetic procedures and reactivity // J. Organomet. Chem. -1998. -V. 555. -P. 49−56.

55. Миначёва М. Х., Брайнина Э. М., Фрейдлина Р. Х. Циклопентадиенильные соединения гафния // РАН СССР. -1967. -Т. 173, N3. -C. 581−584.

56. Брайнина Э. М., Миначёва М. Х., Фрейдлина Р. Х. Некоторые свойства тетрациклопентадиенилциркония // Изв. АН CCCP. -1965. -N10. -C. 1877−1878.

57. Брайнина Э. М., Дворянцева Г. Г. Тетрациклопентаниенилцирконий // Изв. АН СССР. -1967. -N2. -С. 442−443.

58. Брайнина Э. М., Миначёва М. Х., Локшин Б. В. и др. Замещённые и незамещённые в цикле циклопентадиенильные соединения циркония и гафния // Изв. АН CCCP. -1969. -N11. -С. 2492−2498.

59. Брайнина Э. М., Гамбарян Н. П., Локшин Б. В. и др. К вопросу о быстром обмене неэквивалентных циклопентадиенильных колец в тетрациклопентадиенильных производных металлов IV, А группы // Изв. АН СССР, сер. xhm. -1972. -N1. -С. 187 188.

60. Брайнина Э. М., Миначёва М. Х., Локшин Б. В. Синтез и свойства циклопентадиенильных соединений гафния // Изв. АН СССР, сер. xhm. -1968. -N4. -С. 817−823.

61. Локшин Б. В., Брайнина Э. М. Колебательные спектры и строение тетрациклопентадиенильных производных циркония и гафния // Журн. структур, химии. -1971. -Т. 12, N6. -C. 1001−1006.

62. Rogers R.D., Bynum R.V., Atwood J.L. Crystal and molecular sructure of tetra (cyclopentadienyl)zirconium // JACS. -1978. -V. 100, N16. -P. 5238−5239.

63. Rogers R.D., Bynum R.V., Atwood J.L. First authentic example of a difference in the structural organometallic chemistry of zirconium and hafnium: crystal and molecular structure of (r^-CsH^HfCV-Q. Hs):' // JACS. -1981. -V. 103, N3. -P. 692−693.

64. Wilkinson G., Birmingham J.M. Bis-cyclopentadienyl complexes of Ti, Zr, V, Nb and Та // JACS. -1954. -V. 76, N17. -P. 4281−4285.

65. Wilkinson G., Pauson P.L., Birmingham J.M., Cotton F.A. Bis-cyclopentadienyl derivatives of some transition elements // JACS. -1953. -V. 75, N4. -P. 1011−1015.

66. Фрейдлина P.X., Брайнина Э. М., Несмеянов A.H. Синтез смешанных клешнеобразных циклопентадиенильных соединений циркония // ДАН СССР. -1961. -Т. 138, N6. -C. 1369−1372.

67. Несмеянов A.H., Материкова Р. Б., Брайнина Э. М., Кочеткова Н. С. Синтез циклопентадиенильных производных кремния, циркония и гафния // Изв. АН СССР, сер. xhm. -1969. -N6. -C. 1323−1326.

68. Roddick D.M., Fryzuk M.D., Seidler P.F. et al. Halide, Hydride, alkyl, and dinitrogen complexes of bis (pentamethylcyclopentadienyl)hafnium // Organometallics. -1985. -V4. -P. 97−104.

69. Брайнина Э. М., Фёдоров JI.A., Миначёва M.X. Феноксипроизводные гафния и циркония, содержащие циклопентадиенильные и хелатные лиганды, и их стереохимическая структура//ДАН СССР. -1971. -Т. 196, N5. -C. 1085−1088.

70. Брайнина Э. М., Фрейдлина Р. Х., Несмеянов А. Н. Циклопентадиенильные соединения циркония, содержащие Zr-O-Zr-группу // ДАН СССР. -1964. -Т. 154, N5. -С. 1113−1115.

71. Gray D.R., Brubaker С.Н. The preparation and characterization of a series of chloroalkoxobis (cyclopentadienyl) zirconium (IV) and dialkoxobis (cyclopentadienyl) zirconium (IV) compounds // Inorg. Chem. -1971. -V. 10, N10. -P. 2143−2146.

72. Миначёва M.X., Брайнина Э. М. Химические превращения тетрациклопентадиенилциркония //Изв. АН CCCP. -1972. -N1. -C. 139−143.

73. Chandra G., Lappert M.F. Amido derivatives of Metal and Metalloids. Part VI. Reactions of Titanium (IV), Zirconium (IV), and Hafnium (IV). // J. Chem. Soc., А. -1968,-P.l 940−1945.

74. Cardin D J., Lappert M.F., Raston C.L., Riley P.I. Cyclopentadienyl and other anionic 7i-ligand complexes of zirconium and hafnium // Comprehensive Coordination

75. Chemistry. The synthesis, reaction and structures of organometallic compounds. Volume 3 / Ed. S.G. Wilkinson, F. G. A. Stone, E.W. Abel. -Pergamon Press Ltd., USA, 1982. -P. 559−633.

76. Wailes P.C., Weigold H., Bell A.P. Insertion reactions of dicyclopentadienyldimethylzirconium and related cyclopentadienyl compounds with sulphur dioxide and nitric oxide // J. Organomet. Chem. -1972. -V. 34, N1. -P. 155−164.

77. Samuel E., Rausch M. D. тс-Cyclopentadienyl and тс-indenyl compounds of titanium, zirconium, and hafnium containing ст-bonded organic substituents. // JACS. -1973. -V. 95, N19. -P. 6263−6267.

78. Fronczek F.R., Baker E.C., Sharp P.R. et al. The structures of dimethylhafnocene and its hydrolysis product, p. -oxo-bis (methylhafnocene) // Inorg. Chem. -1976. -V. 15, N9. -P. 2284−2289.

79. Hunter W.E., Hencir D.C., Bynum R.V. et al. The search for dimethylzirconocene. Crystal structures of dimethylzirconocene, dimethylhafnocene, chloromethylzirconocene, and (fi-oxo)bis (methylzirconocene) // Organometallics. -1983. -V. 2, N6. P. 750−755.

80. Howe J.J., Pinnavaia T.J. Studies of the Kinetics and Mechanism of Stereochemical Rearrangement Processes for Tris ((3-diketonato)-7T-cyclopentadienylzirconium complexes // JACS. -1970. -V. -92, N25. -P. 7342−7348.

81. Брайнина Э. М., Миначёва M.X., Федоров JI. А. Циклопентадиенильные соединения циркония с различными хелатными лигандами в металле // Изв. АН CCCP. -1972. -N10. -C. 2356−2358.

82. Миначёва М. Х., Брайнина Э. М., Терехова Л. И. Циклопентадиенильные соединения гафния с различными хелатными лигандами в металле // Изв. АН CCCP. -1973. -N10. -C. 2359−2361.

83. Брайнина Э. М., Мортикова Е. И., Петрашкевич Л. А., Фрейдлина Р. Х. Новый класс циклопентадиенильных соединений циркония, содержащих клешнеобразные группы // РАН СССР. -1966. -Т. 169, N2. -C. 335−338.

84. Школьникова Л. М., Порай-Кошиц М. А. Стереохимия р-дикетонатов металлов. / Итоги науки и техники. Кристаллохимия. -1982. -Т. 16. -С. 117−231.

85. Школьникова Л. М., Порай-Кошиц М. А. Строение полиядерных комплексов без связей металл-металл (на примере р-дикетонатов металлов) // Изв. Сиб. Отд. АН СССР. сер. хим. наук. -1982. -Вып.4. -С. 108−121.

86. Школьникова JI.M., Порай-Кошиц М. А. Особенности стереохимии (3-дикетонатов металлов с мостиковыми связями / В кн. & quot-Теоретическая и прикладная химия Р-дикетонатов металлов& quot- М. Наука. 1985. -С. 11−24.

87. Громилов С. А., Байдина И. А. Закономерности кристаллического строения Р-дикетонатов Cu (II) // Журн. структурн. химии. -2004. -Т. 45, N6. -C. 1076−1127.

88. Темникова Т. Н. Курс теоретических основ органической химии. Л. Химия. 1968. 1006 с.

89. Несмеянов А. Н., Кабачник М. И. Двойственная реакционная способность и таутомерия // Журн. Органич. химии. 1955. -Т. 25, N1. -C. 41−87.

90. Нефедов В. И., Вовна В. И. Электронная структура химических соединений. М.: Наука, 1987. 347 с.

91. Larsen Е.М., Terry G., Leidy J. The preparation and properties of zirconium and hafnium chelates of certain P-diketones// JACS. -1953. -V. 75. -N20. -P. 5107−5111.

92. Adams A.C., Larsen E.M. Rapid ligand exchange in zirconium (IV) chelates // JACS. -1963. -V. 85, N21. -P. 3508−3509.

93. Schultz B.G., Larsen E.M. The fractional separation of zirconium and hafnium by extraction with trifluoroacetylacetone // JACS. -1950. -V. 72, N8. -P. 3610−3614.

94. Allard B. Studies of tetravalent acetylacetonato complexes I. Coordination and properties in the solid state // J. Inorg. Nucl. Chem. -1976. -V. 38. -P. 2109- 2115.

95. Tsuge S., Leary J.J., Isenhour T.L. Preparation of zirconium P-diketonate complexes from zirconium ores // Anal. Chem. -1973. -V. 45. -Nl. -P. 198−200.

96. Das M., Beery J.W., Haworth D.T. Syntheses and studies of tetrakis-(P~ diketonato)-zirconium (IV) chelates // Synth, and Reactiv. Inorg. and Metal-org. Chem. -1982. -V. 12, N6. -P. 671−680.

97. Миначева M.X., Брайнина Э. М. Соединения циркония и гафния с различными хелатными лигандами в молекуле // Изв. АН СССР. сер. хим. -1973. -N3. -C. 689−691.

98. Мишин В. Я., Рубцов Е. М., Исупов В. К. Термическое поведение дипивалоилметанатов актиноидов //Радиохимия. -1980. -Т. 22, N5. -С. 733−738.

99. Baskin Y., Prasad N.S.K. Studies on TTA complexes with metal Ions II. Investigations of some tetravalent complexes in the solid state // J. Inorg. Nucl. Chem. -1963. -V. 25. -P. 1011−1019.

100. Chattoraj S.C., Lynch C.T., Mazdiyasni K.S. Synthesis and investigation of zirconium (IV) hexafluoroacetylacetonate // JACS. -1968. -V. 7, N12. -P. 2501−2505.

101. Chattoraj Sh. C., Lynch C.T., Mazdiyasni K.S. Hexafluoriacetylacetonates of Zirconium and Hafnium // Inorg. Chem. -1968. -V. 7, N12. -P. 2501−2505.

102. Sievers R.E., Ponder B.W., Morris M.L., Moshier R.W. Gas Phase Chromatography of Metal Chelates of Acetylacetone, Trifluoroacerylacetone and Hexafluoroacetylacetone // Inorg. Chem. -1963. -V. 2, N4. -P. 693−698.

103. Волков C.B., Миропольская Л. Е., Мельникова Л. А., Мазуренко Е. А. Легколетучие Р-дикетонатные комплексы Zr (IV) и Hf (IV) // Украинский химический журнал. -1983. -Т. 49, N7. -C. 682−687.

104. Pasko S.V., Hubert-Pfalzgraf L.G., Abrutis A et. al. New sterically hindered Hf, Zr and Y P-diketonates as MOCVD precursors for oxide films // J. Mater. Chem. -2004. -V. 14. -P. 1245−1251.

105. Фрейдлина P.X., Брайнина Э. М. Изучение обменных реакций Zr (aa)4 и переход от него к другим Р-дикетонатам восьмикоординированного циркония // Изв. АН СССР. сер. хим. -1957. -№. -С. 43−47.

106. Брайнина Э. М., Мортикова Е. И. Хелатные соединения гафния // Изв. АН СССР. сер. xhm. -1967. -N1 1. -С. 2543−2545.

107. Sugimoto T. Synthesis of fluorine-bearing beta-diketone complexes of zirconium, hafnium, or titanium suitable for CVD sources (Central Glass Co., Ltd., Japan). Patent JP 2 006 117 619- May 11,2006.

108. Рубцов E.M., Мишин В. Я. Летучие дипивалоилметанаты циркония и гафния //Коорд. химия. -1982. -Т.8. -В.5. -С. 651−652.

109. Wiedenheft C.J. Raman spectra of some P-diketone metal complexes // Inorg. Nucl. Chem. Lett. -1971. -V.7. -N5. -P. 439−442.

110. Fay R.C., Pinnavaia T.J. Infrared raman spectra of some six-, seven- and eight-coordinate acetylacetonato complexes of zirconium (IV) and hafnium (IV) // Inorg. Chem. -1968. -V.7. -N3. -P. 508−514.

111. Волков С. В., Миропольская JI.E., Мельникова JI.A., Мазуренко Е. А. Легколетучие р-дикетонатные комплексы Zr (IV) и Hf (IV) // Укр. хим. журн. -1983. -T. 49. -N7. -C. 7682−687.

112. Wilkir С.А., Hawoeth D.T. А 13С NMR study of some metal acetylacetonate complexes // Inorg. Nucl. Chem. -1978. -V. 40, N2. -P. 195−197.

113. Bradley D.C., Factor M.M. Pyrolysis of metal alkoxides. I. Thermal stability of some zirconium alkoxides // J. Appl. Chem. -1959. -V., Part 8. -P. 435−439.

114. Clegg W. Redetermination of the Structure of Tetrakis (acetylacetonato)-zirconium (IV) // Acta Cryst. -1987. -V. 43. -P. 789−791.

115. Silverton J.V., Hoard J.L. Zirconium (IV) acetylacetonate // Inorg. Chem. -1963. -V.2. -P. 243.

116. Calderazzo F., Englert U., Maichle-Mossmer C. et al. Eight-coordinate chelate complexes of zirconium (IV) and niobium (IV): X-ray diffractometric and EPR investigation // Inorg. Chim. Acta. -1998. -V. 270, N1−2. -P. 177−188.

117. Bonati F., Ugo R. Iridium Dicarbonyl P-Diketonates // J. Organometal. Chem. -1968. -V. 11. -P. 341−352.

118. Jesse A.C., Meester A.M., Stufkens D.J., Vrieze K. Vibrational and NMR Spectroscopic Studies on (acac)M (substituted olefin) // Inorgan. Chimica Acta. -1978. -V. 26. -P. 129−136.

119. Hay-Motherwell R.S., Wilkinson G. Synthesis and Reactions of Tris (tetramethylethylenediaminelithium) Hexamethylmetallates of Rhodium, Iridium and Ruthenium (III) and of Hexakis (neopentyl)(jx-oxo)Dirhodium (IV) // Polyhedron. -1990. -V. 9, N17. -P. 2071−2080.

120. Методы элементоорганической химии. Типы органических соединений переходных металлов. Под ред. А. Н. Несмеянова и К. А. Кошечкова. М. Наука. Кн. 2. 1975. 947 с.

121. Ball R.G., Graham A.G., Heinekey D.M. et al. Synthesis and Structure of (fj-C5Me5)Ir (CO).2 // Inorg. Chem. -1990. -V. 29. -P. 2023−2025.

122. Seiji О., Shunichi F, Kiyoshi I. Method for Producting Dihalogenocyclopentadienyliridium dimmer. Patent Abstracts of Japan. 2005−281 169. Oct. 13, 2005.

123. Hirotosai U., Katsumi A.M. Organic Iridium Compound. Patent Abstracts of Japan. 08−306 627. Nov. 11, 1996.

124. John K.D., Salazar K.V., Scott B.I., Baker R.T. et al. Chemistry of M (allyl)3 (M=Rh, Ir) compounds: structural characterization of tris (allyl)iridium complexes with phosphorus ligands // Chem. Commun. -200. -P. 581−582.

125. Clark Т., Robinson S.D. Complexes of the Platinum Metals. Part 43. N, N'-Diphenylamidinato Derivatives of Ruthenium, Osmium and Iridium // J. Chem. Soc. Dalton Trans. -1993. -V.1. -P. 2827−3502.

126. Raston C.L., White A.H. Crystal structure of tris (diethyldithiobycarbamato)-iridium (III) // J. Chem. Soc. Dalton Trans. -1976. -P. 32−35.

127. Colin L., Raston C.L., White A.H. Crystal Structures of Tris (diethyldithiocarbamato)-rhodium (III) and -arsenic (III) // J. Chem. Soc. Dalton. Trans. -1975. -P. 2425−2429.

128. Beurskens P.T., Cras J.A., Hummelink Th.W., Noordik J.H. Crystal and molecular structure of bis (N, N-diethyldithiocarbamato)palladium (II) // J. Cryst. Mol. Struct. -1971. -V.1. -P. 253−257.

129. Domenicano A., Vactago A., Zambonelli L., Loader P.L., Venanzi L.M. The structure of nitrosylruthenium tris-(AW-diethyldithiocarbamate): a complex with a monodentate dithiocarbamate group // Chem. Commun. -1966. -P. 476−478.

130. Аманов A.3., Кукина Г. А., Порай-Кошиц M.A. Сопоставление кристаллических структур бис-диэтилдитиокарбаматов платины и никеля // Докл. АН A3CCP. -1977. -T. 33. -N5.- С. 24−31.

131. Dwjer F.P., Sargeson A.M. The preparation of tris-acetylacetone-rhodium (III) and iridium (III) // JACS. -1953. -V. 75, N4. -P. 984−985.

132. Bennett M.A., Mitchel T.R.B. y-C-bonded 2,4-pentadionato complexes of trivalent iridium // Inorg. Chem. -1976. -V. 15, N11. -P. 2936−2938.

133. Stossel P., Bash I. et al. Method for Producing Iridium (III)keto ketonates. Merck Patent GMBH. WO 2006/18 202 Al. Feb. 23, 2006.

134. Masayuki S., Takemoto S. Raw Material Compound for CVD, and Method of Vacuum Chemical Vapor Deposition for Iridium or Iridium Compound Thin Film. Patent Abstracts of Japan. 2003−321 416. Nov. 11, 2003.

135. Bentler P., Gamsjager H. Preparation and ultraviolet visiblespectrum of hexa-aquairidium (III) //J. Chem. Soc. Chem. Com. -1976. -N. 14. -P. 554−555.

136. Исакова В. Г., Игуменов И. К., Земсков C.B. Способ получения Р-дикетонатов иридия (Ш). А.С. N797226 от 11. 02. 80 г.

137. Оглезнева И. М., Исакова В. Г., Игуменов И. К. Длинноволновые ИК-спектры поглощения Р-дикетонатов кобальта (III), родия (III), иридия (III) // Коорд. химия. -1986. -Т. 12, вып.5. -С. 674−678.

138. Игуменов И. К., Жаркова Г. И., Исакова В. Г., Семянников П. П., В. М. Гранкин, Земсков С. В. Летучие Р-дикетонаты благородных металлов / Сборн. научных трудов. Благородные металлы. Химия и технология. Новосибирск. 1989. С. 186−205.

139. Жаркова Г. И., Краденов К. В., Колесов Б. А., Исакова В. Г., Игуменов И. К. Спектры КРС р-дикетонатов металлов III и VIII групп // Журн. структурн. химии,-1990. -Т. 31, N1. -C. 56−60.

140. Davignon L., Dereigne A., Bonnaire R., Manoli J.M. Complexes P-Dicetonato-(7t-Cyclooctadiene-l, 5) Iridium. Syntheses et Etude Cristallographique // J. Less-Common Metals. -1971. -V. 25. -P. 75−81.

141. Knowles T.S., Howells M.E., Howlin B.J., Smith G.W., Amodio C.A. Improved synthetic routes to tris (acetylacetonato)ruthenium (III) and a redetermination of the structure of the P-polymorph // Polyhedron. -1994. -V. 13, N14. -P. 2197−2203.

142. Grobelny R., Jezowska-Trzebiatowska В., Wojciechowski W. The absorption spectra and magnetic properties of the chelated compounds of Ru (III) with P-diketones // J. Inorg. Nucl. Chem. -1966. -V. 28, N11. -P. 2715−2718.

143. Johnson Jr., Johnson A., Everett G.W. A comparison of proton and deuteron nuclear magnetic resonance of some paramagnetic transition metal complexes // JACS-1972. -V. 94, N5. -P. 1419−1425.

144. Gordon J.G., O’Connor M.J., Holm R.H. Stereochemistry and rearrangement rates of some tris-(p-diketonato) — and tris-(p-thioketonato)metal (III) complexes // Inorg. Chim. Acta. -1971. -V. 5, N3. -P. 381−391.

145. Everett G.W., Johnson Jr., Johnson A. A comparison of proton and deuteron nuclear magnetic resonance of some paramagnetic transition metal complexes. // JACS. -1972. -V. 94, N18. -P. 6397−6402.

146. Wolf L., Butter E., Weinelt H. Uber die darstellung hoherer P-diketonkomplexe des eisens, rutheniums und rhodiums // Z. Anorg. Allg. Chem. -1960. -V. 306, Nl-6. -S. 87−93.

147. Morris M.L., Koob R.D. Mass spectra of rhodium (III) and ruthenium (III) complexes of 2,4-pentanedione, l, l, l-trifluoro-2,4-pentanedione and 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedione // Inorg. Chem. -1983. -V. 22, N24. -P. 3502−3506.

148. Chao G.K. -J., Sime R.L., Sime R.J. Tris (acetylacetonato)ruthenium (III) // Acta Crystallogr. Sec.B. -1973. -V. 29, N11. -P. 2845−2846.

149. Matsuzawa H., Ohashi Y., Kaizu Y., Kobayashi H. Crystal structure and absolute configuration of tris (acetylacetonato-0,0,)-ruthenium (III) // Inorg. Chem. -1988. -V. 27, N17. -P. 2981−2985.

150. Князева A.H., Шугам E.A., Школьннкова JI.M. Кристаллохимические данные о внутрикомплексных соединениях Р-дикетонов. VI. Кристаллическая и молекулярная структура ацетилацетоната палладия // Журн. структурн. химии. -1970. -T. il, N4. -C. 938−939.

151. Morrow J.C., Parker E.B. Jr. Tris-(2,4-pentanedionato)rhodium (III) // Acta Crystallography 1973. -V. B29, N5. -P. 1145−1146.

152. Fackler J.P. Metal p-ketoenolate complexes // Prog. Inorg. Chem. -1966. -V. 7, N3. -P. 404.

153. Hashimoto Т., Нага S., Shiraishi Y., Yamauchi M. et al. Reactions of ketones with coordinated nitriles on P-diketonato ruthenium complexes leading to formation of compounds with new carbon-carbon bonds // Inorgan. Chim. Acta. -2005. -V. 358. -P. 2207−2216.

154. Powell J., Shaw B.L. Transition Metal-Carbon Bonds. Part XII. Allylic Complexes of Ruthenium (II) // J. Chem. Soc. A. -1968. -P. 159−162.

155. Barreca D., Buchberger A., Daolio S., Fabrizio M et al. A Ru (II) fj-Allylic Complexes as a Novel Precursor for the CVD of Ru- and Ru02-Nanostructured Thin Films // Langmuir. -1999. -V. 15. -P. 4537−4543.

156. Hidekimi K. Production of Bis (Alcylcyclopentadienyl)Ruthenium Complex and Production of Ruthenium-containing Thin Film Using the Same. Patent Abstracts of Japan 11−35 589. Sept. 02, 1999.

157. Thompson D.M., Hoover C.A. Asymmetric group 8 (VIII) Metallocene Compounds. Patent PCT WO 2004/41 832 A2. May 21, 2004.

158. Gassman P.G., Winter C.H. Preparation, Electrochemical Oxidation, and XPS Studied of Unsymmetrical Ruthenocenes Bearing the Pentamethylcyclopentadienyl Ligand// JACS. -1988. -V. 110. -P. 6130−6135.

159. Butenschon H. Cyclopentadienylmetal Complexes Bearing Pendant Phosphorus, Arsenic, and Sulfur Ligands // Chem. Rev. -2000. -V. 100. -P. l527−1564.

160. Pertici P., Vitulli G. A New Synthetic Method for the Preparation of Cyclo-olefm Ruthenium Complexes // J. Chem. Soc., Dalton Trans. -1980/-P. 1961−1964.

161. Lai Y. -H., Chou T.Y., Song Y. -H., Liu C. -S. et al. Synthesis and Characterization of Ruthenium Complexes with Two Fluorinated Amino Alkoxide Chelates. The Quest To Design Suitable MOCVD Source Reagents // Chem. Mater. -2003. -V. 15. -P. 2454−2462.

162. Sakai Т., Hashimoto S., Matzuki Y. Chemical Vapor Deposition Material and Chemical Vapor Deposition. Patent US 7,002,033 В1. Feb 21, 2006.

163. Uhlenbrock S., Vaartstra B.A. Methods for preparing Ruthenium and Osmium Compounds. Patent US 5,962,716. Oct. 5, 1999.

164. Игуменов И. К., Чумаченко Ю. М., Земсков C.B. Давление насыщенного пара дипивалоилметаната меди (И) // Сборн. Химическая термодинамика и термохимия. М. Наука. С. 65−66.

165. Игуменов И. К., Стабников П. А., Белослудов В. Р. Дипольные моменты и энергия диполь-дипольного взаимодействия в кристаллах р-дикетонатов меди (П) // Изв. СО АН СССР. -1982, сер. хим. -Т. 14, вып.6. -С. 75−83.

166. Байдина И. А., Стабников П. А., Игуменов И. К., Борисов С. В. Кристаллическая и молекулярная структура ацетилацетонато-гексафторацетилацетоната Cu (II) //Коорд. химия. -1984. -Т. 10, вып. 12. -С. 1699−1705.

167. Байдина И. А., Стабников П. А., Игуменов И. К., Борисов С. В. Кристаллическая и молекулярная структура транс-бис-бензоилтрифторацетоната меди (П) // Коорд. химия. -1986. -Т. 27, вып.4. -С. 543−548.

168. Краденов К. В., Колесов Б. А., Игуменов И. К. Влияние лигандных заместителей на колебания и силовую постоянную координационной связи в Р-дикетонатах меди (П) // Коорд. химия. -1987. -Т. 13, вып.9. -С. 1178−1188.

169. Байдина И. А., Громилов С. А., Стабников П. А., Игуменов И. К. Синтез, кристаллическая структура и рентгенографическое исследование пивалоилизопропенилацетоната меди (П) // Журн. структурн. химии. -1992. -Т. ЗЗ, N5. -C. 141−144.

170. Грановский А. Д., Василенко И. С. и др. Современные аспекты синтеза комплексов металлов. Ростов-на-Дону. 2000. 354 с.

171. Bourget-Merle L., Lappert M.F., Severn J.R. The Chemistry of P-Diketiminatometal Complexes // Chem. Rev. -2002. -V. 102. -P. 3031−3065.

172. Park K.H., Marshall W.J. Remarkably Volatile Copper (II) Complexes of N, N'-Unsymmetrically Substituted 1,3-Diketimines as Precursors for Cu Metal Deposition via CVD or ALD // JACS. -2005. -V. 127. -P. 9330−9331.

173. McGeachin S.G. Synthesis and properties of some p-diketimines derived from acetylacetone, and their metal complexes // Canad. J. Chem. -1968. -V. 46. -P. 1903−1912.

174. Li S., Barry S.T., Gordon R.G. Synthesis and Characterization of Copper (I) Amidinates as Precursors for Atomic Layer Deposition (ALD) of Copper Metal // Inorg. Chem. -2005. -V. 44. -P. 1728−1735.

175. Burawoy A., Gibson C.S., Hampson G.C., Powell H.M. The Constitution of Diethylmonobromogold and Di-w-propyl-monocyanogold // J. Chem. Soc. -1937. -P. 1690−1693.

176. Brain F.H., Gibson C.S. The Organic Compounds of Gold. Part VII. Methyl and Ethyl Compounds //J. Chem. Soc. -1939. -P. 762−767.

177. Gilman H., Woods L.A. Trimethylgold // J. Am. Chem. Soc. -1948. -V. 70, N2. -P. 550−552.

178. Перевалова Э. Г., Грандберг К. И., Леменовский Д. А., Баукова Т. В. Использование литийорганических соединений для синтеза. металлорганических производных трехвалентного золота // Изв. АН СССР, сер. хим. -1971, N9. -C. 2077−2078.

179. Puddephatt RJ. The Chemistry of Gold // Topics in Inorganic Chemistry and General Chemistry, 16 / Ed. R.J.H. Clark. Amsterdam. Elsever. 1978. 274 p.

180. Stocco F., Stocco G.C., Scovell W.M., Tobias R.S. Dimethylgold (III) Preudohalides and Their Reactions with Triphenylphosphine and Triphenylarsine // Inorg. Chem. -1971. -V. 10, N12. -P. 2639−2646.

181. Scovell W.M., Stocco G.C., Tobias R.S. Dimethygold (III) Halides and Pseudohalides. Reactions, Raman, Infrared, and Proton Magnetic Resonance Spectra, and Structure // Inorg. Chem. -1970. -V. 9, N12. -P. 2682−2688.

182. Kharasch M.S., Isbell H.S. The Chemistry of Organic Gold Compounds. II. The Preparation and Properties of Gold-Carbon Compounds of the Type R2AuX and RAuX2 //J. Am. Chem. Soc. -1931. -V. 53, N7. -P. 2701−2713.

183. Bergfeld M., Schnidbaur H. Dimethylgoldacetat und verwandte Verbindungen // Chem. Ber. -1969. -V. 102, N7. -P. 2408−2413.

184. Komiya S., Huffman J.C., Kochi J.K. Stability of Organogold (III) Complexes. Isolation and Crystal Structure of Dimethylgold Trifluoromethanesulfonate // Inorg. Chem. -1977. -V. 16, N8. -P. 2138−2140.

185. Glass G.E., Konnert J.H., Miles M.G. et al. The Crystal and Molecular Structure and the Solution Conformation of Dimethylgold (III) Hydroxide, an Inorganic Intermediate Ring Compound// J. Am. Chem. Soc. -1968. -V. 90, N5. -P. 1131−1138.

186. Металлоорганические соединения в электронике / Г. А. Разуваев, Б. Г. Грибов, Г. А. Домрачев, Б. А. Саламатин. М. Наука. 1972. 213 с.

187. The Chemistry of Metal CVD / Ed. by Toivo T. Kodas and Mark J. Hampden-Smith. Weinheim- New York- Basel- Cambridge- Tokyo: VCH. 1994. 310 p.

188. Miles M.G., Glass G.E., Tobias R.S. Structure of Dimethylgold (III) Compounds. Spectroscopic Studies on the Aquo Ion and Several Coordination Compounds // JACS. -1966. -V. 88, N24. -P. 573 8−5744.

189. Shibata S., Lijima K., Baum Т.Н. Molecular Structure of Dimethyl (2,4-pentanedionato)gold (III) // J. Chem. Soc., Dalton Trans. -1990. -P. 1519−1520.

190. Жаркова Г. И., Игуменов И. К., Земсков C.B. Хелаты диметилзолота (III) с Р-дикетонами//Коорд. химия.- 1980. -Т. 6, N5. -C. 720−723.

191. Жаркова Г. И., Тюкалевская Н. М., Игуменов И. К., Земсков С. В. Комплексы диметилзолота (III) с р-иминокетонами и Р-тиокетонами // Коорд. химия. -1988. -Т. 14, N10. -C. 1362−1367.

192. Komiya S., Kochi J.K. Reversible Linkage Isomerisms of P-Diketonato Ligands. Oxygen-Bonded and Carbon-Bonded Structures in Gold (III) Acetylacetonate Complexes Induced by Phosphines // JACS. -1977. -V. 99, N11. -P. 3695−3704.

193. Краденов K.B., Колесов Б. А., Жаркова Г. И. и др. Колебательные спектры р~ дикетонатов, кетоиминатов и тиокетонатов // Изв. СО АН СССР, сер. хим. -1989. -Т.5. -С. 57−64.

194. Семянников П. П., Жаркова Г. И., Гранкин В. М. и др. Исследование процессов термораспада хелатных производных диметилзолота (III) // Металлорган. химия,-1988. -Т. 1, N5. -C. 1105−1112.

195. Chen H.W., Paparizos С., Fackler J.P. Dimethylgold (III) Complexes. Synthesis of Several Compounds with AuC2S2 Coordination. The Crystal and Molecular Structure of (CH3)2AuSC2H5.2 // Inorg. Chim. Acta. -1985. -V. 96. -P. 137−149.

196. Rivarola E., Stocco G.C., Pere B.L., Barbieri R. Complexes of Organometallic Compounds XIX. Dimethylgold (III) Oxinate // J. Organomet. Chem. -1968. -V. 14, N2. -P. 467−468.

197. Schmidbaur H., Bergfeld M. Trimethylsiloxydimethylgold // Inorg. Chem. -1966. -V. 5, N11. -P. 2069−2070.

198. Gibson C.S., Weller W.T. The Organic Compounds of Gold. Part VIII. Dialkyl Gold Derivatives of Dibasic Acids // J. Chem. Soc. -1941. -N2. -P. 102−108.

199. Murray K.S., Reichert B.E., West B.O. Dimethylgold (III) Complexes of Salicylaldimine Schiff-Bases // J. Organomet. Chem. -1973. -V. 61. -P. 451−456.

200. Attekum P.M. Th.M., Trooster J.M. Photoelectron Spectroscopy of the X-Ray-induced Decomposition of Some Gold (III) Dithiocarbamates // J. Chem. Soc., Dalton Trans. -1980. -Nl. -P. 201−204.

201. Ewens R.V., Gibson C.S. The Organic Derivatives of Gold. Part X. Diethylgold Cyclic Derivatives containing the N-C-C-S System // J. Chem. Soc. -1949. -V.2. -P. 431−435.

202. Tobias R.S., Rice C.E. Dimethylgold (III) Complexes of a-Amino Acids and Related Ligands // Inorg. Chim. Acta. -1979. -V. 35, Nl. -P. 11−14.

203. Логвиненко B.A. Термический анализ координационных соединений и клатратов / Новосибирск. Наука. Сиб. Отделение. 1982. 128 с.

204. Machida Н., Hoshino A., Suzuki Т. et al. MOCVD precursors for Та- and Hf-compound films // J. Cryst. Growth. -2002. -V. 237−239. -P. 586−590.

205. Analytical Enhancements // Epichem group News. -2006. -Nl. -P. 10−11.

206. Grafov A., Mazurenko E., Battiston G.A., Zanella P. Design of Zr (IV) and Hf (IV) coordination compounds precursors for MOCVD synthesis of protective coatings // J. Phys. IV. -1995. -V. 1, NC5. -P. C5−497-C5−502.

207. Домрачев Г. А., Шитова Э. В., Водзинский В. Ю., Суворова О. Н., Варюхин

208. B.А., Нестеров Б. А. Механизм образования пленок двуокиси циркония из ацетилцетоната циркония и некоторые их электрофизические свойства // ДАН CCCP. -1976. -T. 226. -N5. -C. 1080−1083.

209. Суворова О. Н., Кутырева В. В., Варюхин В. А., Домрачев Г. А. Исследование реакций термического разложения некоторых р-дикетонатов церия и циркония / В кн. Строение, свойства и применение Р-дикетонатов металлов. М. Наука. 1978.1. C. 116−119.

210. Мишин В. Я., Соловьев С. М., Чиненов П. П. и др. Летучие Р-дикетонаты актиноидов и некоторые возможности их практического использования // Радиохимия. -1985. -Ш. -С. 354−361.

211. Гринберг Я. Х., Лазарев В. Б., Заверняев А. Ю., Шрейдер В. А., Чепик С. Д. Энтальпии плавления ацетилацетонатов алюминия (Ш), хрома (Ш), циркония (1У) и цинка (П) // Журн. физич. химии,-1986. -T. LX, вып.4. -С. 1044−1046.

212. Алиханян А. С., Малкерова И. П., Гринберг Я. Х., Лазарев В. Б. Термодинамика сублимации ацетилацетонатов Al, Cr, Y, Zr // ДАН СССР. -1987. -T. 292. -N2. -C. 376−379.

213. Исакова В. Г., Семянников П. П., Гранкин В. М., Игуменов И. К. Термическая устойчивость р-дикетонатов Ir (III) и Rh (III) // Коорд. химия. -1988. -Т. 14, вып.1. -С. 57−62.

214. Lachdaf М., Hatanpaa Т., Tiitta М. Volatile P-Diketonato Complexes of Ruthenium, Palladium and Platinum // J. Therm Analys. And Calorim. -2001. -V. 64. -P. 1171−1182.

215. Larson C.E., Baum Т.Н., Jackson R.L. Chemical Vapor Deposition of Gold //J Electrochem. Soc. -1987. -V. 134, Nl. -P. 266a.

216. Semyannikov P.P., Grankin V.M., Igumenov I.K., Zharkova G.I. Mechanism of Interaction of Dimethylgold (III) Chelates Vapour with Hot Surface // J. Phys. IV. -1995. -V.5. -P. 213−220.

217. Суворов A.B. Термодинамическая химия парообразного состояния. Л. Химия. 1970. 206 с.

218. Berg E.W., Truemper J.T. A study of the volatile characteristics of various metal p-diketone chelates // J Phys Chem. -1960. -V. 64, N4. -P. 487−490.

219. Berg E.W., Douling H.W. Volatile characteristics of some cobalt (III) and iron (II) p-diketone chelates //J Chem. Eng. Data. -1961. -V. 6, N4. -P. 556−557.

220. Несмеянов A.H. Давление пара химических элементов. М. Изд-во АН СССР. 1961. 396 с.

221. Бердоносов С. С., Микитюк А. Д., Лебедев С. Ю., Сычев Ю. Н. Термическая устойчивость и давление насыщенного пара ацетилацтонатов циркония и гафния // Вестник Моск. ун-та, Химия. -1977. -С. 238−252.

222. Jesse А.С., Baks A., Stufkens J., Vrieze К. Thermochemical Studies on (Acac)M (01efin)2 (M = Rh (I), Ir (I)) // Inorg. Chim. Acta. -1978. -V. 29. -P. 177−182.

223. Исакова В. Г., Игуменов И. К., Земсков С. В. Давление насыщенного пара р~ дикетонатов Ir (III) и Rh (III) // Коорд. химия,-1985. -Т. 11, вып. 10. -С. 845−850.

224. Ribeiro da Silva М.А.В., Giera E., Monte M.J.S. Vapour pressures and standard molar enthalpy of sublimation of crystalline tris (pentane-2,4-dionato)ruthenium (III) // J. Alloys and Compounds. -1993. -V. 197, N1. -P. 105−107.

225. Matsui Y., Hiratani M., Nabatame T. et al. Growth Meshanizm of Ru Films Prepared by Chemical Vapor Deposition Using Bis (ethylcyclopentadienyl)ruthenium Precursor // Electrochem. and Solid-State Lett. -2001. -V. 4, N2. -P. C9-C12.

226. Kang S.Y., Choi K.H., Lee S. K et al. Deposition and Characterization of Ru Thin Films Prepared by Metallorganic Chemical Vapor Deposition // J. Korean Phys. Soc. -2000. -V. 37, N6. -P. 1040−1044.

227. Семянников П. П., Мороз Б. Л., Трубин С. В. и др. Применение метода газовой инфильтрации для получения наноразмерных частиц золота, диспергированпных на пористом алюмооксидном носителе // Журн. структурн. химии. -2006. -Т. 47. -С. 473−479.

228. Hiroto U., Noriyasu S., Masamitsu S., Katsumi 0. Organogold complex for CVD and production of gold thin film using the same // JP 05−320 170. Mitsubishi Materials Corp. Appl. № 04−274 929.

229. Hiroto U., Noriyasu S., Masamitsu S., et al. Organogold complex for CVD and production of gold thin film using the same // JP 05−331 176. Mitsubishi Materials Corp. Appl. № 04−274 967.

230. Semyannikov P.P., Igumenov I.K., Trubin S.V., Asanov I.P. In situ mass spectrometry during thermal CVD of thera-acetylacetinates of 3-d transition metal // Journal de Physique IV. -2001. -V. ll. -P. Pr3−995-Pr3−1003.

231. Bykov A.F., Turgambaeva A.E., Igumenov I.K., Semyannikov P.P. Mass Spectrometric Study of Thermolysis Mechanism of Metal Acetylacetonates Vapour // J. de Physique IV. -1995. -V.5. -P. C5−191-C5−197.

232. Быков А. Ф. Масс-спекгрометрическое исследование термораспада паров ряда р-дикетонатов металлов, образующих оксиды в конденсированной фазе. Автореферат дисс. канд. физ. -мат. наук: 02. 00. 04. Новосибирск. -1995. -18 с.

233. Мазуренко Е. А., Миропольская JI.E., Кинетика термического распада тетракис-пентандионата-2,4 гафния // Украине, журнал. -1983. -Т. 49, N5. -C. 551−552.

234. Jones A.S., Aspinall Н.С., Chalker P.R. Molecular design of improved precursors for the MOCVD of oxides used in microelectronics // Surface and Coating Technol. -2007. -V. 201. -P. 9046−9054.

235. Жаркова Н. Я., Мартыненко Л. И., Гаврищук Е. М., Гибин A.M., Дзюбенко Н. Г., Шляхтин О. А. Получение пленок оксида циркония химическим осаждением из газовой фазы//Высокочист. в-ва. -1993. -Ш. -С. 81−85.

236. Triyoso D.H., Ramon М., Hegde R.I. et al. Physical and electrical characteristics of НЮ2 gate dielectrics deposited by ALD and MOCVD // J. of the Electrochem. Soc. -2005. -V. 152, N3. -P. G203-G209.

237. Spiga S., Wiemer C., Tallarida G. et al. Effects of the oxygen precursor on the electrical and structural properties of Hf02 films grown by atomic layer deposition on Ge // Appl. Phys. Lett. -2005. -V. 87, N112904. -P. 112 904−1-112 904−3.

238. Kim I., Koo J., Lee J., Jeon H. A Comparison of А1203/НЮ2 and Al203/Zr02 Bilayers Deposited by the Atomic Layer Deposition Method for Potential Gate Dielectric Applications // Jap. J. Appl. Phys. -2006. -V. 45, N2A. -P. 919−925.

239. Conley J.F., Ono J.Y., Tweet D.J. et al. Atomic layer deposition of the thin hafnium oxide films using a carbon free precursors // J. Appl. Phys. -2003. -V. 93, N1. -P. 712−718.

240. Bai W., Lu N., Ritenour A.P. et al. The electrical properties of the НЮ2 dielectric on Germanium and Substrate doping effect // IEEE Transactions on electron devices. -2006. -V. 53, N10. -P. 2551−2558.

241. Fujii S., Miyata N., Migita S. et al. Nanometer-scale crystallization of thin Hf02 films studied by HF-chemical etching // Appl. Phys. Lett. -2005. -V. 86. -P. 212 907−1-212 907−3.

242. Balog M., Schibe M., Patai S., Michman M. Thin films of metal oxides on silicon by Chemical vapor deposition with organometallic compounds. I // J. Cryst. Growth. -1972. -V. 17. -P. 298−301.

243. Garcia V. J. R., Takashi Goto T. Chemical Vapor Deposition of Iridium, Platinum, Rhodium and palladium Materials // Transactions. -2003. -V. 44. -P. 1717−1728.

244. Kim K., Yong K. Low Temperature Cu Thin Film Growth Using Cycles of Alternate Supply of (HFAC)Cu (I)(DMB) and Ar Purge Gas // CVD Proceedings of the

245. XVI International Conference and EUROCVD-14. Paris, 2003. Electrochemical Society Proceedings Volume 2003−08. / Editors: M.D. Allendorf, F. Maury, F. Teyssandier. -2003. -P. 1290−1296.

246. Kim H. Atomic Layer Deposition of Metal and Nitride Thin films: Current Research Efforts and Applications for Semiconductor Device Processing // IBM Research Report. 2003.

247. Feurer E., Suhr H. Preparation of gold films by plasma-CVD // Appl. Phys. A. -1987. -V. 44. -P. 171−175.

248. Hiroto U., Noriyasu S., Masamitsu S. et al. Dimethylgold beta-iminoketone for CVD. JP 06−100 570, Mitsubishi Materials Coip. -1994. Appl. N04−274 965.

249. Jubber M., Wilson J.I.B., Davidson J.L. et al. Laser Writing of High Purity Gold Tracks//Appl. Surf. Sci. -1989. -V. -43. -P. 74−80.

250. Baum Т.Н., Marinero E.E., Jones C.R. Projection printing of gold micropatterns by photochemical decomposition // Appl. Phys. Lett. -1986. -V. 49. -P. 1213−1215.

251. Морозова Н. Б., Игуменов И. К., Митькин B.H., Краденов К. В., Потапова О. Г., Лазарев В. Б., Гринберг Я. Х. Комплексы Zr (IV) с Р-дикетонами // Журн. неорг. химии. -1989. -Т. 34, N5. -C. 1193−1198.

252. Pinnavaia Т.J., Fay R.C. Preparation and properties of some sixe- and seven-coordinate halo (acetylacetinato)complexes of zirconium (IV) and hafnium (IV) // Inorg. Chem. -1968. -V. 7, N3. -P. 502−508.

253. Jardin M., Gao Y., Guery J., Jacoboni C. Chlorotris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-0,0')zirconium (IV) // Acta Cryst., Sect. C. -1995. -V. C51. -P. 2230−2232.

254. Морозова Н. Б., Митькин B.H., Игуменов И. К., Земсков С. В., Потапова О. Г. Бета-дикетонаты рутения (Ш) // Коорд. химия. -1989. -Т. 15, N1. -C. 110−115.

255. Jorgensen С.К. Absorption and chemical bonding in complexes. London, New-York. 1962. P. 543.

256. Мошьер P., Сивере P. Газовая хроматография. M. Мир. 1967. 175с.

257. Игуменов И. К., Шипачев В. А., Горнева Г. А., Морозова Н. Б. Способ получения Р-дикетонатов родия (Ш) и иридия (Ш). Заявитель: ИНХ. Заявка N96116609/02 от 14. 08. 96 г. Положительное решение от 30. 07. 96 г. Патент N2105008 от 20. 02. 98 г.

258. Игуменов И. К., Исакова В. Г., Морозова Н. Б., Шипачев В. А. Способ получения трис-р-дикетонатов редких металлов. Заявитель: ИНХ. Заявка Е А N199700172 от 14. 08. 96 г. Положительное решение от 05. 04. 99 г. Патент Е А N000402 от 09. 04. 99 г.

259. Collman J.P., Moss R.A. Maltz H., Heindel C.C. The reaction of Metal chelates. I. Halogenation of Metal Chelates of 1,3-diketones // JACS. -1961. -V. 83. -P. 531.

260. Balahura R.J., Johnston A.J. Kinetics of the Reaction of Chromium (II) with (3-Cyano-2,4-pentanedionato-N)pentaaminecobalt (III): Intramolecular Electron Transfer between Cobalt (III) and Chromium (III)// Inorg Chem. -1983. -V. 22. -P. 3309.

261. Isakova V.G., Baidina I.A., Morozova N.B., Igumenov I.K. y-Halogenated iridium (III) acetylacetonates // Polyhedron. -2000. -N19. -P. 1097−1103.

262. Morozova N.B., Zherikova K.V., Semyannikov P.P., Trubin S.V., Igumenov I.K. Study of temperature dependencies of saturated vapor pressure of ruthenium (III) beta-diketonate derivatives // J Therm. Anal. Calorim. -2009. -V. 98, N2. -P. 395−399.

263. Жерикова K.B., Морозова Н. Б., Байдина И. А., Сысоев С. В., Игуменов И. К. Синтез, кристаллическая структура и давление пара комплекса меди (П) с 2,2,6,6-тетраметил-4-фторогептан-3,5-дионом // Журн. структ. Химии. -2008. -Т. 49, N1. -С. 63−69.

264. Стабников П. А., Байдина И. А., Сысоев С. В., Ванина Н. С., Морозова Н. Б., Игуменов И. К. Давление пара и кристаллическая структура бис-(2-имино-4-пентаноната) меди (Ы) // Журн. структ. химии. -2003. -Т. 44, N6. -C. 1138−1145.

265. Morozova N.B., Semyannikov P.P., Bessonov, A.A., Gelfond N.V., Igumenov I.K. Pulse CVD Deposition of Ru Films from Ru (II)-Allylic Complex // ECS Transactions. -2009. -V. 25, N8. -P. 881−885.

266. Semyannikov P.P., Morozova N.B., Zherikova K.V., Trubin S.V., Igumenov I.K., Gelfond N.V. Preparation of Iridium Thin Film by Pulse CVD from Ir (acac (CO)2 // ECS Transactions. -2009. -V. 25, N8. -P. 887−892.

267. Kumar S., Kaushik N.K. Synthesis, Characterization & Thermal Studies on Ru (III), Rh (III), Ir (III), Pd (II), Pt (II) & Os (IV) Dithiocarbamates // Indian J Chem. -1981. -V. 20A. -P. 512−515.

268. Sysoev S.V., Morozova N.B., Zharkova G.I., Igumenov I.K., Semyannikov P.P., Grankin V.M. Vapour pressure and thermoanalytical study of diethyldithiocarbamates of platinum metals // J. of Therm. Anal. -1998. -V. 53. -P. 87−96.

269. Жаркова Г. И., Байдина И. А., Игуменов И. К. Синтез, свойства, структура комплексов диметилзолота (Ш): (CH3)2AuI.2 и (CH3)2AuS2CN (C2H5)2 // Журн. структур. ХИМИИ. -2007. -Т. 48, N1. -С. 108−113.

270. Бессонов А. А., Байдина И. А., Морозова Н. Б. и др. Синтез, кристаллическая структура и термические свойства ацетата диметилзолота (Ш) // Журн. структур. ХИМИИ. -2007. -Т. 48. -С. 289−295.

271. Бессонов А. А., Морозова Н. Б., Куратьева Н. В. и др. Синтез и кристаллическая структура карбоксилатов диметилзолота (Ш) // Коорд. химия. -2007. -Т. 34, N1. -C. 73−80.

272. Bessonov А.А., Smolentsev A.I., Baidina I.A., Morozova N.B. Dimethyl2-(phenyliminomethyl)-phenolato-k2

Заполнить форму текущей работой