Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Физико-математические науки
Страниц:
111


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Класс соединений — магнитные полупроводники (МП) — сочетает в себе свойства полупроводников и сильных магнетиков. Это обстоятельство вызывает пристальный интерес исследователей к МП. Интерес этот не только академический как к объекту с необычным сочетанием физических свойств, изучая которые можно глубже понять природу магнитных и полупроводниковых свойств веществ. Второй, пожалуй, более важной причиной, стимулирующей внимание к МП, является возможность практических применений этих соединений в технике. Уже сейчас, на данном этапе исследований использование МП позволяет не только улучшить некоторые уже известные устройства, но и создать совершенно новые, основанные на таких уникальных свойствах, как переход изолятор-металл, огромное магнетосопротивление, сильный температурный сдвиг края оптического поглощения, гигантские магнитооптические эффекты и некоторые другие.

Одной из самых интересных возможностей, открывающихся при использовании МП, является реализация активного электрон-магаонного взаимодействия (ЭМВ), при котором энергия из электронной подсистемы передается в магнитную. С самых общих позиций ясно, что одновременное наличие в веществе магнитной подсистемы и подсистемы носителей заряда с высокой подвижностью, характерной для полупроводников, должно накладывать особенности на физические свойства такого вещества по сравнению с обычными магнитными и полупроводниковыми материалами. Действительно, исследования МП, проводившиеся в течение ряда лет, показали, что большинство уникальных свойств этих соединений обязаны взаимодействию магнитной и электронной подсистем. В основе описания взаимодействия подсистем локализованных спинов и электронов проводимости лежит в-с! модель С.В. Вонсовско-го /I/. В частности, возможность реализации активного ЗМВ также основывается на сильной б-о' обменной связи электронов проводимоети и локализованных магнитных моментов. Однако, условие сильной связи свободных и локализованных спинов является необходимым, но не достаточным для реализации ЭМВ. Процессы релаксации, приводящие к диссипации энергии магнитной подсистемы, могут быть настолько быстрыми, что энергия, поступающая из электронной подсистемы в магнитную, тут же будет рассеиваться. Поэтому вторым условием для реализации активного ЗДВ является слабое затухание возбуждения в магнитной подсистеме. Казалось бы, главенствующую роль в процессах релаксации должна играть система носителей заряда, поскольку она сильно связана с магнитной подсистемой. Однако нет исследований, опровергающих либо подтверждающих это предположение, и вопрос этот до сих пор остается открытым. Имеется совсем немного теоретических работ, посвященных, в основном"влиянию проводимости на ЭПР и ФМР в металлах /24,26,30/. Выкладки из этих работ не всегда можно использовать даже для грубых качественных оценок в применении к МП из-за сильных различий по сравнению с металлами в величине параметра обменного взаимодействия, концентрации носителей заряда и магнитных ионов. С другой стороны, теоретические работы, посвященные МП, практически не касаются вопросов о процессах релаксации возбуждения в магнитной подсистеме и влиянии на них подсистемы носителей заряда /2,55/.

Информацию о процессах затухания возбуждения в магнитной подсистеме можно получить из измерений ФМР и ЭПР, но экспериментальных работ, связанных с указанным вопросом, нет. Слабый интерес радиоспектроскопии к магнитно-концентрированным соединениям, какими являются МП, понятен: наличие всего лишь одиночной линии без тонкой и сверхтонкой структуры существенно уменьшает информацию, получаемую из измерений ЭПР, а высокая электропроводность некоторых кристаллов МП рассматривалась исключительно лишь как помеха измерениям ЭПР и ФМР. Тем не менее, фактически полное отсутствие информации о степени влияния зонных носителей в широкой области их концентраций на параметры процессов релаксации в магнитной подсистеме побуждает предпринять такие исследования ЭПР и ФМР в МП. Ширина линии магнитного резонанса характеризует время исчезновения возбуждения в магнитной подсистеме — чем это время больше, тем линия уже. Этим определяется актуальность предпринимаемых исследований.

Выяснение степни влияния системы носителей заряда на параметры релаксации возбуждения в магнитной подсистеме позволит более целенаправлено производить выбор кристаллов МП для экспериментов по реализации активного ЭМВ. До сих пор основным критерием выбора образца было электросопротивление — такое, чтобы, с одной стороны, была достаточно высокая концентрация носителей заряда для более эффективного ЭМВ, а, с другой стороны, электросопротивление должно быть достаточно высоким, чтобы напряжение, прикладываемое к образцу, не вызвало большой ток, способный разрушить кристалл. Определение области концентраций носителей заряда, где влияние их на спин-решеточную релаксацию минимально, позволит оптимизировать выбор кристалла.

Исследования магнитного резонанса в МП в широком диапазоне отклонений состава от стехиометрического и легирования различными металлами интересны еще и по следующим причинам. Подобные исследования позволяют получит информацию о механизмах определяющих ширину линии магнитного резонанса в МП и зависимости их от состава кристаллов. Так, например, изотропные обменные взаимодействия сужают линию ЭПР, а анизотропные могут привести к уширеншо. Поэтому исследования механизмов спин-решеточной релаксации могут быть полезными так же и для установления величины и характера обменных взаимодействий в МП.

Отклонение & pound--фактора от его значения для свободного спина дает возможность судить о некоторых взимодействиях внутри вещества, в первую очередь о спин-орбитальных, так как они определяют магнитную анизотропию кристаллов.

С помощью исследований ФМР можно непосредственно изучать магнитную кристаллографическую анизотропию и влияние на неё вариаций состава соединений.

В ряде случаев из экспериментов по магнитному резонансу можно получить информацию об электронном энергетическом спектре исследуемых веществ.

В свете вышесказанного были предприняты исследования наибо-. лее ярких представителей МП: монооксида европия ЕиОж хромселе-нида ртути. Ейобладает самыми высокими среди МП магнитными свойствами (его намагниченность насыщения ШМ0~ 24 100 Гс /5/), а Н^С^Ье^ - электрическими (подвижность носителей заряда более 0,1 м2/В-с /II/), ЕцО является одним из наиболее изученных МП, в частности, исследования ФМР на этом соединении уже проводились, поэтому в данной работе изучался лишь ЭПР в монооксиде европия. В Н^С^бе^ изучался и ЭПР и ФМР. Цель работы:

— изучение механизмов спиновой релаксации, определяющих смещение $-фактора и ширину линии ЭПР в и ширину линии

ШВъИ^С^Ъе^ -

— исследование степени влияния носителей заряда на & pound--фактор и ширину линии ЭПР в Ец0ж С^и ширину линии ФМР в Н& Ь^.

В работе впервые

— исследован ЭПР в кристаллах ЕйО. легированных Со/ ж Б& trade-, и в кристаллах и в пленках нестехиометрического состава ЕиО^ъ в области концентраций электронов проводимости от Ю16 м~3 до Ю27 м-3-

— исследован ЭПР в кристаллах Н^СцЬе^ р — и п-типа нестехиометрического состава и р-типа в диапазоне концентраций зонных носителей заряда от З-Ю^- до 5*10*^

— исследован ФМР в кристаллах НдСгг5е^ р- и п-типа нестехиомет-рического состава в диапазоне проводимости от 3−1СГ4 См-м""-'- до 7−103 См-м"1-

— показано, что в Ей Оэлектроны проводимости в диапазоне концентраций до Ю27 м& quot-3 не оказывают влияния на процессы спин-решеточной релаксации-

— установлено, что ширина линии и д. -фактор в ЕцОопределяются процессами релаксации с участием электронов, локализованных возле примесей-

— показано, что в Н^Сг^Ъе^ р-типа носители заряда могут давать заметный вклад в процессы спин-решеточной релаксации при концентрации дырок выше 1024 м-3-

— показано, что в п-типа электроны проводимости не оказывают существенного влияния на ширину линии ЭПР во всей исследованной области концентраций носителей заряда, т. е. до 5−10^ м-3-

— установлено, что ширина линии ФМР в НуСг^ 5е^определяется, главным образом, электропроводностью образца и, следовательно, находится в рг+ г 4+ зависимости от концентрации ионов ьг и ьг — г

— обнаружено нестатистическое распределение ионов С г по узлам решетки в 5е4 & raquo-приводящее к необычной для кубического кристалла угловой зависимости резонансного поля сигнала ФМР.

Практическая ценность

Полученные в диссертации результаты показывают, что наличие сильного Б -о! обменного взаимодействия между свободными носителями заряда и локализованными моментами не создает дополнительного канала диссипации энергии магнитной подсистемы ни ъ Ей 0 во всей области концентраций носителей заряда, ни ъИс^С^Зе^ любого типа проводимости вплоть до концентрации м~3. Поэтому при создании устройств на МП, основанных на передаче энергии из электронной подсистемы в магнитную, необходимо брать в расчет только обычные механизмы спин-решеточной релаксации. Учитывать же наличие носителей заряда надо лишь как возможный источник образования вихревых токов при достаточной величине электропроводности и размеров образца.

Экспериментально полученные в работе величины д^. ид/ОТ для

Ей О позволяют оценить параметр обменного взаимодействия примесг 2+ ных электронов с окружающими примеси ионами и время спин-решеточной релаксации примесей. Эти величины необходимы при проведении ряда теоретических расчетов и для экспериментальной проверки некоторых теорий, относящихся к Ей О,

Б работе получена для И^С^Зе^ д %щ> сг7 Э. Такая ширина линии, наименьшая из до сих пор описанных в литературе для данного соединения, показывает, что Н^С^Зе^ выделяется среди других МП не только самой высокой подвижностью носителей заряда, но и весьма узкой линией ФМР.

На защиту выносится:

— измерение температурной зависимости ширины линии ЭПР и д. & laquo-фактора в ЕиО, 0 О, НуСг^е^, %-х Сг2 для образцов с различной концентрацией носителей заряда-

— исследования влияния носителей заряда, отклонения состава от сте-хиометрического, примесей на ширину линии и % -фактор ЭПР в кристаллах и пленках Ей О ж в кристаллах Н%Сгг —

— исследование влияния носителей заряда и ионов хрома неосновной валентности на ширину линии ФМР и магнитную кристаллографическую анизотропию в Н^С^Бе^ -

— результаты изучения механизмов спин-решеточной релаксации в ЕцОжИ^Сг^Ьг^.

Результаты диссертационной работы докладывались на Всесоюзных конференциях по физике и химии редкоземельных полупроводников (Ленинград, 1976,1979), Всесоюзной конференции по химии твердого тела (Свердловск, 1978), 2-ом семинаре по аморфному магнетизму (Красноярск, 1980), Х У Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений (Пермь, 1981), 1У и У Уральских школах по магнитным и РЗ полупроводникам (Свердловск, 1981,1983), научно-техническом семинаре по спектроскопии твердых тел (Свердловск, 1981), Всесоюзном семинаре по спиновым Еолнам (Ленинград, 1984), XIII Всесоюзной конференции по СВЧ ферритовой технже (Ленинград, 1984).

I. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАГНИТНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ Ей 0 и Н%Сг^5ен (ОБЗОР)

Выводы о независимости спин-решеточной релаксации в ЕцО и НдСг^Ье^ от наличия Б -с/ обменного& quot- взаимодействия с носителями заряда позволяют рекомендовать эти соединения как весьма перспективные для реализации активного ЭМВ.

В заключение выражаю глубокую благодарность своему руководителю доктору физико-математических наук, профессору Самохвалову А. А. за постоянное внимание и помощь в процессе выполнения работы, сотруднику отдела теоретической физики кандидату физико-математических наук Ауслендеру М. И. за ценное обсуждение полученных результатов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ПоказатьСвернуть

Содержание

I. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАГНИТНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЕиО И Н^Сг^Ьег, (ОБЗОР)-. II

1.1. Основные физические свойства ЕиО. II

1.2. Основные физические свойства Я^Ох З. е^

1.3. Процессы спиновой релаксации в магнитно концентрированных соединениях.

1.4. д. -Фактор в ЕиО и И^Сг^Ъе^.

1.4.1. -фактор в ЕиО.

1.4.2.? -фактор ъН^Сг^Ье.^.

1.5. Ширина линии магнитного резонанса при ферромагнитном упорядочении.

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.'.

2.1. Измерение электропроводности образцов.

2.2. Методика измерений ЭПР.

2.3. Методика измерений ФМР.

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПР В МОНООКСИДЕ ЕВРОПИЯ.

3.1. Зависимость электропроводности ЕиО от степени -легирования и отклонения состава от стехиометрического.

3.2. Температурная зависимость параметров

ЭПР в ЕиО.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПР В СЖЕНОХРОМИТЕ РТУТИ.

4.1. Электропроводность & iquest-с^ в зависимости от степени легирования и дефектности кристаллических подрешеток.

4.2. Исследование температурной зависимости ширины линии ЭПР

5. ИССЛЕДОВАНИЯ ФМР В СЕЛЕНОХРОМИТЕ РТУТИ.

5.1. Исследования ширины линии ФМР в

5.2. Исследования угловой зависимости резонансного поля ФМР в А^П^е^

ЗАШИЕНИЕ.

Список литературы

1. Вонсовский.С. Б. Магнетизм. -М. :Наука, 1971. -1032с., ил.

2. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники. -М. :Мир, 1972. -405с.

3. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. /А.В. Голубков и др. -0тв. ред. В. П. Йузе.Л. -. Наука, 1973. -304с.

4. Wachter P. Europium chalcogenides: EuO, EuS", EuSe and EuTe. -In: Handbook on physics and chemistry of rare earth.v. 2/Ed.K.A. Gscheinder Jr. and L. Eyring. -Amsterdam, North Holland Pull. Co., 1979, P. 507−574.

5. Самохвалов А. А. Магнитные редкоземельные полупроводники. -В кн. :Редкоземельные полупроводники. /Отв. ред. В. П. Яузе и

6. И. А. Смирнов.Л. :Наука, 1977, с. 5−47..

7. Самохвалов А. А., Гижевский Б. А. Дошкарева Н.Н., Раевский В. Я., Чеботаев Н. М. ИК спектры отражения и параметры носителей тока нестехиометрических монокристаллов Еио^. -ФТТ, 1980, т. 22, М, c. II93-II96.

8. Heuer A.H., Mitchel Т.Е. Further discussion on the space group of spinel. -J. Phys. C: Sol. State Phys ., 1975, v. 8, p. 54−1-543.

9. Oguchi T., Kambara T., Gondiara К .J.J. Self-consistent electronic structure of magnetic semiconductors by a discret variational X calculation. 11. HgCr2Se4. -Phys. Rev. B, 1981, v. 24,1. No. 6, p. 3441−3444.

10. Арбузова Т. И., Самохвалов А. А., Показаньева Г. К., Гижевский Б. А., Симонова М. И. ,'Чеботаев Н. М. Влияние носителей тока на обменное взаимодействие в магнитных полупроводниках Hgi-xAsxGr2Se4' -ФТТ, 1984, т. 26, М, с. 256−259.

11. Goldstein L., Gibart P., Selmi A'. Transport properties of theferromagnetic semiconductor HgCr2Se4. -J. Appl. Phys., 1978, v. 49, No. 3, p. 1474−1476.

12. Самохвалов А. А., Гикевский Б. А., Лошкарева Н. Н., Арбузова Т. И., Симонова М. И., Чеботаев Н. М. Особенности явлений переноса в магнитном полупроводнике HgCr2Se4 р-и п-типа. -ФТТ, 1981, т. 23, Ml, с. 3467−3469.

13. Абрагам А., Едини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, т. 1. -М. :Мир, 1972. -651с.

14. Альтшулер С. А., Козырев Б. М. Электронный парамагнитный резонанс соединении промежуточных групп. -М. :Наука, 1972. -672с.

15. Самохвалов А. А. «Бабушкин B.C. Обменное сужение линии ЭПР в ферромагнитных соединениях двухвалентного европия. -ФТТ, 1970, т. 12, М, с. 13−15.

16. Самохвалов А. А., Бабушкин B.C., Симонова М. И. «Арбузова Т. Н. Обменное сужение линии ЭПР в халькогенидных хромовых шпинелях. -^ТТ, 1972, т. 14, с. 2974−2975.

17. Anderson P.W., Weiss P.R. Excenge narrowing in paramagnetic •resonance. -Rev. Modern Phys., 1953, v. 25 fNo. 1, p. 269−276.

18. Blombergen W., Wang S. Relaxation effects in para- and ferro-magneticresonance. -Phys. Rev., 1954, v. 93, No. 1, p. 72−83.

19. Huber D.L., Seehra M.S. Contribution of spin-interaction to the paramagnetic resonance linewidth of CrBr^. -J. Phys. Chem. Solids, 1975, v. 36, No. 7/8,P. 723−725.

20. Seehra M.S., Castner T.G. Paramagnetic line width in Cu (HCOO)2* •4H20. -Phys. Condens. Materie, 1968, v.7, No .1, p. 185−200.

21. Castner T. G1, Seehra M.S. Antisymmetric exchange and exchange-, narrowing electron paramagnetic resonance linewidth. -Phys. Rev. B, 1971, v. 4, No. 1, p. 38−45.

22. Бержанский B.H. «Гавричков-C.A. Иванов В. И. ЭПР в халькоге-•нидных шпинелях хрома,.В сб. & iexcl-Магнитные полупроводники и их свойства. -Кра сноярск, 1980, с. 74−100.

23. Mills D.L. Electron spin-lattice relaxation by two-phononprocess. -Phys. Rev., 1966, v. 146, N0. 1, p. 336−343.

24. Korringa J. Nuclear magnetic relaxation and resonance lineshift in metals. -Physica, 1950, v. 16, Wo. 7−8,p. 601−610.

25. Hasegawa D. Dynamical properties of s-d interaction. -Prog. Theor. Phys., 1959, v. 21, No. 4, p. 483−500.

26. Seipler D., Elscner B. Electron spin resonance of Gd in inter-metallic compaunds with CsGl structure. -Phys. Lett., 1975, v. 55 A, p. 115−117.

27. Туров E.А. Особенности ферромагнитного резонанса в металлах. В сб. ?Ферромагнитный резонанс. /Под ред.С. В. Вонсовского. -М.: Гос. изд. физ. -мат. лит., 1961. -343с.

28. Stewart A.M. Simple theory of «negative residual linewidth» in reflective spectroscopy of magnetically concentrated local moment systems. -Austral J. Phys., 1980, v. 33, No. 6, p. 1049−1053.

29. Кожевников H.В. Спиновая динамика s-d модели ферромагнитных полупроводников и металлов.-. Авторе®. Дис.. канд. физ. -мат. наук. -Свердловск, 1980. -18с.

30. Ьё Craw R.C., Philipsborn H. von, Sturge M.D. Ferromagnetic, resonance and other properties of cadmium chromium selenide. -J. Appl. Phys., 1967, v. 38, N0. 3, p. 965−966.

31. Гуревич А. Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетика х. -М. :Наука, 1973. -592с., ил.

32. Эмирян Л. М., Гуревич А. Г., Шукюров А. С., Бернанекий В. Н. Особенности ферромагнитного резонанса в магнитном полупроводнике HgCr 2Se 4. -ФТТ, I98i, т. 23, МО, с. 2916−2922.

33. Туров Е. А. Ширина линии ферромагнитного резонанса. В сб. ?Ферромагнитный резонанс/Под ред.С. В. Вонсовского. -М. :гос. изд. физ. -мат. лит., 1961, с. 215−265.

34. Гуревич А. Г. Ширина кривой ферромагнитного резонанса. обусловленная электрическими потерями. ч&ТТ, 1974, т. 16, Ш, с. 1784−1786.

35. Hartwick T.S., Smit J. Ferromagnetic resonance in Si-doped YIG. -J. Appl. Phys., 1969, v. 40, No. 10, p. 3995−4001.

36. Sansonett J.S., LIullin D.P., Dixon J.R., Furduna J.K. Electron paramagnetic resonance in powdered semiconductors and semi-metals. -J. Appl. Phys., 1979, v. 50, No. 8, P. 5431−5441.

37. Shafer M.W., Torrance J.В., Penney T. Relationship of cristal growth parameters to the stoichiometry of EuO as determined by I.R. and conductiwity measurements. -J. Phys. Chem. Solids, 1972, v. 33, p. 2251−2266.

38. Арбузова Т. И. Обменное взаимодействие в ферромагнитных полупроводниках на основе халькогенидов двухвалентного европия. Дис. канд. юиз. -мат. наук. -Свердловск, 1976. -164с.

39. Самохвалов А. А., Арбузова Т. И., 4'ебот. аев Н.М. & raquo-Симонова М.И., Гижевский Б. А., Виглин Н. А. Синтез и свойства твердых растворов на основе моноокиси европия. -В об. ?Синтез и свойства соединений редкоземельных элементов. -Свердловск:УНЦ АН СССР, 1982, с. 26−35.

40. Самохвалов А. А. «Арбузова Т. И. «Симонова М. И. «Фальковская Л. Д. Магнитные примесные состояния в Eu. Gd о. -ФТТ, 1973, т. 15, с. 3690−3692.

41. Torrance J.В., Shafer M.W., Mc Guire Т.В. Bound magnetic pola-ron and the insolator-metal transition in EuO. -Phys. Rev. B, 1972, v. 5, N0. 9, p. 3669−3674.

42. Самохвалов A.A., Арбузова Т. И., Виглин Н. А., Гуничев А. Ф. Магнитная гетерогенность пленок EuO. -ФТТ, 1981, т. 23, М, П58-П60.

43. Бабушкин B.C., Самохвалов А. А., Виглин Н. А. «Арбузова Т. Н., Гижевский Б. А., Романюха А. А. ЭПР и обменное взаимодействие через носители тока в нестехиометрических пленках EuO. -ФТТ, 1980, т. 22, И, с. 293−295.

44. Самохвалов А. А., Виглин Н. А., Гуничев А. Ф. Дошкарева Н.Н. Дис

45. Персия эффекта Фарадея в тонких пленках EuO^g-Письма в ЖТФ, 1978, т. 4, té- 5, с. 250−252.

46. Самохвалов А. А., Гуничев А. Ф., Гижевский Б. А. Дошкарева H.H., Чеботаев Н. М., Виглин Н. А. Нестехиометрические пленки Euu с повышенной температурой Кюри. -ФТТ, 1978, т. 20, te 3, с. 897−899. &bull-

47. Самохвалов А. А., Гуничев А. Ф. Дошкарева H.H., Виглин Н. А., Ги-жевский Б.А., Раевский В. Я., Дударев М. С. Эффект Фарадея в не-стехиометрических пленках ЕиО^в связи с особенностями их электронной структуры. -ФТТ, 1979, т. 21, te 7, с. 1948−1950.

48. Lee К., Suits J.С. Reduction of ferromagnetic exchenge with lattice dilation in EuO. -J. Appl. Phys., 1970, v. 41, No. 3, p. 954−956.

49. Пул Ч. Техника ЭПР-спектрскопии. -М. :Мир, 1970. -557 с.

50. Dunlap R.A., Gottlieb A.M. Critical spin fluctuation in EuO. -Phys. Rev. B: Condens. Matter., 1980, v. 22, No. 7, P. 3422−3427.

51. Statz H., Weber M.J., Rimai L., de Mars G.A., Koster G.P. Exchenge interactions in the paramagnetice resonance spectrum of ruby. -J. Phys. Soc. Japan, 1962, v. 17, Suppl. B-1,p. 430−434.

52. Маш И. Д., Родак M.И. Проявление кросс-релаксации и спектр об-менно-связанных пар ионов в парамагнитных. -ФТТ, 1965, т. 7, № 3, с. 717−721.

53. Альтшулер С. А., Скребнев В.А.О влиянии обменных взаимодействий на спин-решеточную релаксацию парамагнитных ионных кристаллов.- ФТТ, 1967, т. 9,№ 2,с. 498−503.

54. Вантер Ж. Теория ширины линии. /В кн. ?Квантовая оптика и квантовая радиофизика. -М. :Мир, 1966. -451 с.

55. Самохвалов А. А., Виглин H.A., Гижевский Б. А., Бабушкин B.C., Романюха A.A., Чеботаев Н. М. Влияние электронов проводимости на ЭПР в EuO. -ФТТ, 1981, т. 23, te 3, с. 870−873.

56. Смарт Дк. Эффективное поле в теории магнетизма. -М. :Мир, 1968. -271с.

57. Нагаев Э. Л. 'Физика магнитных полупроводников. -М. :Наука, 1979. -432с.

58. Самохвалов A.A. Гиневский Б. А. «Симонова М. И., Солин Н. И. Переход типа неметалл-металл вЕи1-хСйхо. -фТТ, 1972, т. 14, с. 279−281.

59. Selmi А., Gibart P., Goldstein L. Galvanomagnetic properties of n-type ferromagnetic semiconductor HgCrgSe^. -J. Magn. and li’Iagn. Mat er ials, 1980, No. 15 -18, P. 1285−1286.

60. Чеботаев Н. М. «Симонова M.И. Отклонение от стехиометрии в HgGr2Se4-Te3. докл. 1У Всесоюзной конф. «Тройные полупроводники и их применение& quot- 6−8 июня 1983. Кишинев, 1983, с. 106.

61. Ерухимов М. Ш., Овчинников С. Г. Электронный спектр и поглощение света в магнитных полупроводниках. -ФТТ, 1979, т. 21,. № 2, с. 351−358.

62. Веселаго В. Г., Прялкин В. И., Файфер В. Н., Холодных А. И. Аномальная люминесценция ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4 ФТТ, 1984, т. 26, JJ2, с. 507−511.

63. Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводники. -М. :Наука, 1967. -415с.

64. Виглин H.A. »-Самохвалов A.A., Гиаевский Б. А. Симонова М.И., Чеботаев Н. М. Спин-решеточная релаксация в магнитных полупроводниках HgCr2Se4 р-и п-типов с переменной концентрацией носителей тока. -ФТТ, 1983, т. 25,1е6,с. 1640−1643.

65. Mimematsu K., Miyatani K., Takahashi T. Magnetic and electrical properties of HgCr^e^, doped In, Ag. -J. Phys. Soc. Japan, 197−1, v. 31, No. 1, p. 123−128.

66. Кузнецов Ю. С., Виглин H.A., Степанов А. П., Китаев Г. А., Мохов А.Г.К вопросу о валентности хрома в соединении Сг02. -ЖФХ, I976, T. 50, il8,c. 2I09−29I0. •

67. Гавричкав С. А. Исследование g -фактора и процессов ЭПР-релак-сации в халькогенидных шпинелях хрома. -Дис.. канд. физ. -мат. наук. -Красноярск, 1983. -122с.

68. Steigmeier E.F., Harbeke G. Phonon and magnetic ordering ferromagnetic CdCr2Se4 and CdCr2S4. Phys. Kondens. Mat., 1970, v. 12, p. 1−15.

69. Самохвалов A.A., Бабушкин В. С., Виглин H.A., Гижевский Б. А., Гу-ничев А. Ф. Влияние носителей тока на s-d обменное взаимодействие в магнитных полупроводниках. -ФТТД981,т. 23, MI, с. 3507−3509.

70. Магнитные полупроводники халькогеющные шпинели. /К.П. Белов и др. -М. :Изд-во МГУ, 1981,279с.

71. Виглин H.A. »-Самохвалов А.А., Солин Н. И., Симонова М. И. Ферромагнитный резонанс в магнитном полупроводнике н§ Сг23е4. -ФТТ, 1984, т. 26, М, с. I230-I23I.

72. Gurevich A.G., Karpovich V.I., Rubalskaya E.V. at al. Ferromag-netice resonance in CdCr2Se4 with Ре addition. -Phys. Stat. Sol. (В), 1975, v. 69, No. 2, p. 731−740.

73. Гуревич А. Г., Эмирян Л.M. Магнитная анизотропия и релаксация в HgCr2Se4-Te3. flOKft. iy Всесоюзной коню. «Тройные полупроводники и их применение& quot-, 6−8 июня 1983. Кишинев, 1983, с. 20−21.

74. Никифоров К. Г., Эмирян Л. М., Пасенко Л. Я. Влияние стуктурных вакансий на электропроводность и ферромагнитный резонансв HgCr2Se4. -Тез. докл. ХУ1 Всесоюзной конф. по физике магнитных явлений, 6−7 сентября 1983. Тула, 1983, с. 68−69.

Заполнить форму текущей работой