Вивчення класифікації і конструктивної побудови нульового рівня ІС

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ Київський національний університет технологій та дизайну Факультет ринкових інформаційних та інноваційних технологій Кафедра інформаційно-комп'ютерних технологій та фундаментальних дисциплін ЗВІТ з лабораторної роботи з курсу «Конструювання ЕОМ»

Вивчення класифікації і конструктивної побудови нульового рівня ІС Виконав:

студент групи БЧСП 1−11

Чернецька О.М.

Черкаси 2014

Мета: Вивчити класифікаційні ознаки ІС; особливості напівпровідникових і гібридних ІС.

Елементною базою сучасних ЕОМ є мікросхеми. Інтегральною мікросхемою (ІС) є ряд елементів, який виконано неподільно і який має електричні міжз'єднання.

ІС — виріб, який має велику щільність розташування елементів і (чи) компонентів, що еквівалентні елементам звичайної схеми.

Елемент — частина ІС, що реалізує функцію будь-якого електрорадіоелемента (ЕРЕ), наприклад, транзистора, резистора і т.ін., яка виконана неподільно від кристала та не може бути виділена як самостійний виріб.

Компонент — частина ІС, що реалізує функцію будь-якого ЕРЕ. Компонент можливо виділити як самостійний (комплектуючий) виріб та виділити від ІС.

За функціональною ознакою ІС поділяють на аналогові та цифрові. Аналогові ІС застосовують для перетворення та обробки сигналів, які змінюються за законом неперервної функції (схеми порівняння, підсилювачі, фільтри, генератори і т.ін.). Цифрові ІС застосовують для перетворення та обробки сигналів, які змінюються за законом дискретної, наприклад двійкової, функції (схеми цифрових пристроїв, обчислювальних засобів, тригерів, логічних елементів і т.ін.).

Логічні ІС виконують операції кон’юнкції (І), диз’юнкції (ЧИ), інверсії (НІ) та більш складні логічні операції.

Складність ІС характеризують ступенем інтеграції, тобто кількістю в ІС:

К= lg N,

інтегральний мікросхема гібридний корпус де К — коефіцієнт ступеня інтеграції, це ціле (або закруглене до цілого) число; Nчисло елементів інтегральної мікросхеми.

В залежності від числа компонентів та елементів, а також технології виготовлення розрізняють малі (МІС), середні (СІС), великі (ВІС) та надвеликі (НВІС).

Показник ступеню інтеграції особливо важливий для цифрових ІС. Чим меншим є елемент, тим вище його швидкодія.

За конструктивно-технологічним виконанням (перша цифра в позначенні мікросхеми) ІС поділяють на 3 групи:

напівпровідникові (цифри 1,5,6, та 7-безкорпусні);

гібридні (цифри 2,4,8);

плівкові, вакуумні, керамічні (цифра 3).

У мікросхем широкого застосування перша буква в позначенні: ІС — К;

експортних — Е;

без корпусних побутових — Б.

Корпуси ІС служать для захисту мікросхем від кліматичних та механічних впливів.

По формі корпусу та розташуванню виводів корпуси IC поділяють на 6 типів, які відрізняють числом виводів та розташуванням їх відносно площини основи. Найбільш поширені корпуси типу 2 — (DІP), 3 — круглі (ТО), 4 — (FP), 5 — мікрокорпуси (кристалоутримувачі),

Позначення матеріалу та типу корпуса подається такими літерами:

А — пластмасовий типу 4;

Е — металополімерний типу 2;

І - склокерамічний типу 4;

М — металокерамічний мікрокорпус типу 2;

Н — керамічний мікрокорпус;

С — склокерамічний типу 2;

Р — пластмасовий типу 2;

Фпластмасовий мікрокорпус.

Безкорпусні мікросхеми в кінці позначення мають через дефіс цифру, яка вказує на конструктивне виконання виводів:

1 — з гнучкими виводами;

2 — зі стрічковими (павучковими);

3 — з жорсткими;

4 — на загальній пластині нерозділені;

5 — розділені (наклеєні на плівку);

6 — з контактними площадками без виводів (кристал).

Завдання:

К561ПУ4

К561ТР2

100ЛМ101

К500ЛЛ110

К1500КМ181

100ЛЛ210

155РУ2

КМ132РУ9Б

500РУ410

КР565РУ6Д Хід виконання роботи Таблиця 1 — Ознаки, за якими класифікуються ІС

К561ТР2

К — корпусна мікросхема загального призначення;

561 — серія мікросхеми;

5 — напівпровідникова мікросхема;

Т — тригери;

Р — типу RS (з роздільним запуском);

2 — діапазон електричних параметрів.

К1500КМ181

К — корпусна мікросхема загального призначення;

1500 — серія мікросхеми;

1 — напівпровідникова мікросхема;

К — комутаторні ключі;

М — інші;

180 — діапазон електричних параметрів.

К500ЛЛ110

К — корпусна мікросхема загального призначення;

500 — серія мікросхеми;

5 — напівпровідникова мікросхема;

Л — логічні елементи;

Л — «ЧИ»;

110 — діапазон електричних параметрів.

100ЛЛ210

100 — серія мікросхеми;

1 — напівпровідникова мікросхема;

Л — логічні елементи;

Л — «ЧИ»;

210 — діапазон електричних параметрів.

155РУ2

155 — серія мікросхеми;

1 — напівпровідникова мікросхема;

Р — схеми ЗП;

У — оперативні ЗП;

2 — діапазон електричних параметрів.

КМ132РУ9Б К — корпусна мікросхема загального призначення;

М — металокерамічний мікрокорпус типу DIP;

132 — серія мікросхеми;

1 — напівпровідникова мікросхема;

Р — схеми ЗП;

У — оперативні ЗП;

9Б — діапазон електричних параметрів.

500РУ410

500 — серія мікросхеми;

5 — напівпровідникова мікросхема;

Р — схеми ЗП;

У — оперативні ЗП;

410 — діапазон електричних параметрів.

КР565РУ6Д К — корпусна мікросхема загального призначення;

Р — пластмасовий типу DIP;

565 — серія мікросхеми;

5 — напівпровідникова мікросхема;

Р — схеми ЗП;

У — оперативні ЗП;

6Д — діапазон електричних параметрів.

Висновок: Під час виконання лабораторної роботи виконала роботу з різновидами мікросхем і оформила класифікації по ознакам ІС.