Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв
Метою виконання розрахункових робіт є необхідність практичного застосування отриманих теоретичних знань про властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів, принципах побудови найпростіших електронних пристроїв, самостійне вивчення властивостей приладів і способів розрахунку схем, одержання навичок роботи з довідковою літературою, а також перевірка ступеня оволодіння… Читати ще >
Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв (реферат, курсова, диплом, контрольна)
Зміст Вступ
Завдання 1
Завдання 2
Завдання 3.1
Завдання 3.2
Список використаної літератури
Вступ Контрольна робота з розрахункових завдань по дисципліні «Комп'ютерна електроніка».
Метою виконання розрахункових робіт є необхідність практичного застосування отриманих теоретичних знань про властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів, принципах побудови найпростіших електронних пристроїв, самостійне вивчення властивостей приладів і способів розрахунку схем, одержання навичок роботи з довідковою літературою, а також перевірка ступеня оволодіння матеріалом курсу.
Для успішного рішення задач необхідно вивчити влаштування, принцип роботи, параметри, вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторів. Необхідно знати режими роботи і властивості основних схем включення цих приладів. Цей матеріал викладений у [1, 2, 4]. Необхідні також знання основних законів для електричних ланцюгів: закони Ома, Кірхгофа.
Завдання 1
Для схеми, приведеної на мал. 1, б і форми зміни вхідних сигналів відповідно до діаграми № 1, зобразити часову діаграму зміни вихідної напруги, якщо UВХ1 = U1, UВХ2 = U2, напруга живлення ключа Е = 40 В, R = 3,2 кОм, RН = 2 кОм. Приймаємо амплітудне значення напруги U1 U1M = 0,5; ЕК = 20 В.
Малюнок 1- Схеми діодних ключів Діаграма № 1
Рішення:
Для оцінки стану діодів визначимо напругу на анодах діодів
ЕЕКВ = ЕRН/(R + RН) = 15 В.
Параметри діода в даному випадку відповідають ідеальній моделі
(RПР = 0, RЗВ = ?),
але при визначенні вихідної напруги необхідно врахувати вплив внутрішнього опору джерел сигналу. В результаті необхідно переходити до еквівалентної схеми, розглядаючи дільник R, RН як джерело сигналу з внутрішнім опором
RЕКВ = RRН/(R + RН) = 1,23 кОм.
Для подальшого рішення задачі необхідно зобразити часову діаграму зміни напруг у схемі з врахуванням заданих і розрахованих значень напруг (мал. 2).
Малюнок 2- Ілюстрація до рішенню задачі
На часовому інтервалі 0 — t1 відкритий діод VD1 і вихідну напругу розраховуємо по формулі:
UВИХ = UВХ1 RЕКВ /(RВН1 + RЕКВ) + ЕЕКВ RВН1/(RВН1 + RЕКВ) = 1,1 В.
На часовій ділянці t1 — t2 відкритий діод VD2 і для зображення вихідної напруги на діаграмі визначимо його значення аналогічно попередньому випадкові, використовуючи числове значення UВХ2 у точці t1 (визначаємо в масштабі по діаграмі) і замінивши RВН1 на RВН2. В результаті одержуємо значення UВИХ = 6,45 В. На інтервалі t2 — t3 обидва діоди закриті і UВИХ = ЕЕКВ.
З моменту часу t3 знову відкривається діод VD1 і напруга на виході UВИХ = 1,1 В.
У випадку, якщо задано падіння напруги на відкритому діоді UОСТ, немає необхідності розраховувати RЕКВ, тому що UВИХ у цьому випадку визначається в залежності від напрямку включення діода як сума або різниця напруги на вході відкритого діода і UОСТ.
Завдання 2
Вибрати схему транзисторного ключа, розрахувати опори і побудувати часову діаграму зміни вихідної напруги при наступних даних:
транзистор КТ358А, ЕК = 9 В, UВХm = 4 В, UВИХ? 7 В, RН = 5 кОм,
г = 15, tНАВ = (20 — 50)0С, № діаграми — 1.
Малюнок 3 — Схеми ключів на транзисторах
Діаграма № 1
Рішення:
Виписуємо з довідника наступні дані транзистора:
h21Еmin = 10,
IКБЗ = 10 мкА (t = 200C),
UКЕнас = 0.8 В,
UБЕнас = 1.1 В,
провідність n-p-n.
З урахуванням того, що транзистор кремнієвий (КТ) і має відносно високий рівень порогової напруги, а також з огляду на невеликий діапазон зміни температури навколишнього середовища транзистора, вибираємо для реалізації ключа схему без джерела зсуву (мал. 3, а). Розраховуємо опір резистора RК з умови забезпечення заданої вихідної напруги:
RК = (ЕК — UВИХ)/(IКБЗmax + UВИХ/RН),
де IКБЗmax = IКБЗ (t=20)2(50 — 20)/10 = 80 мкА.
Після підстановки значень одержуємо RК = 1.35 кОм.
Опір RБ визначаємо з умови насичення ключа:
RБ = (UВХ — UБЕнас)/(гЕК/RКh21Эmin) = 2.9кОм.
Перевіряємо виконання умови відсікання: IКБЗmaxRБ? UПОР і тому що ця умова виконується, залишаємо розраховане значення опору RБ.
Для побудови часової діаграми визначаємо UВХmin, при якому транзистор виходить на межу насичення:
UВХmin = (ЕК/RКh21Эmin)RБ + UБЄнас = 3 В.
На часовому інтервалі 0 — t1, (мал. 4) коли на вході напруга відсутня, транзистор закритий і на виході ключа максимальна напруга. На інтервалі t2 — t3, коли вхідна напруга перевищує мінімально необхідне значення для насичення, транзистор насичений, і рівень вихідної напруги визначається залишковою напругою насичення UКЕнас. У проміжках часу t1 — t2 і t3 — t4 транзистор знаходиться в активному режимі і вихідна напруга повторює за формою вхідну.
Малюнок 4 — Діаграма роботи ключа
Завдання 3.1
Розрахувати підсилювальний каскад на БТ за схемою 2 (Мал.5).
Малюнок 5 — Схема підсилювального каскаду на БТ У вихідних даних до розрахункової роботи заданий тип транзистора ГТ402А, амплітуда вихідної напруги UВИХМ = 5 В, опір навантаження RН = 4 кОм, нижня частота смуги пропускання каскаду fН = 300 Гц, коефіцієнт частотних викривлень на цій частоті МН = 3 Дб.
Рішення:
Провідність транзистора p-n-p, тому використовуємо в схемі джерело живлення негативної полярності. Виписуємо з довідника наступні параметри транзистора:
h21Е = 30 — 80,
UКЕМАХ = 25 В,
IКМАХ = 0.5А
і виконуємо наступні розрахунки:
— приймаємо RК = 1 кОм;
— приймаємо UКР? 1.2 UВИХМ = 1.2*5 = 6 В;
— розраховуємо амплітудне значення струму колектора :
IКм = UВИХМ/ RН + UВИХМ/ RК = 6.25 мА;
— приймаємо IКР? 1.2 IКм = 7.5 мА. Перевіряємо умову 2IКР< IКМАХ;
— розраховуємо напругу живлення підсилювального каскаду, склавши для вихідного ланцюга рівняння згідно з 2-м законом Кірхгофа
ЕК = IКР RК + UКР + 0.2ЕК.
Відкіля ЕК = (IКР RК + UКР)/0.8 = 16.875 В.
Приймаємо стандартне значення ЕК = 18 В.
Перевіряємо умову ЕК < UКЕМАХ.
— визначаємо струм бази
IБР = IКР/ h21ЭСР = 7.5/55 = 0.136 мА
і задаємося струмом дільника
IД = 10 IБР = 1,36 мА;
— розраховуємо інші опори резисторів підсилювального каскаду:
RЕ = 0.2ЕК/ IКР = 3.6/7.5 = 0,48 кОм,
R2 = 0,2ЕК/ IД = 2,65 кОм,
R1 = (ЕК — 0.2ЕК)/(IД + IБР) = 8,37 кОм;
— визначаємо параметри підсилювального каскаду. Для цього з табл. 1 виписуємо значення параметрів транзистора
h11Е = 1 кОм,
h22Е = 3 мкСм.
Вхідний опір каскаду RВХ = R1¦R2¦ h11Е = 0.67 кОм,
вихідний опір RВИХ = RК¦(1/ h22Е) = 0.99 кОм.
Коефіцієнт підсилення каскаду
електронний прилад схема пристрій КU = (h21ЭСР RВИХ)/(RВХ + RГ)*RН/(RВИХ + RН) = 50.57;
Коефіцієнт корисної дії підсилювального каскаду
з = РВИХ/РСПОЖ, де РВИХ =(UВИХМ)2/(2RН) = 3.12 мВт,
РСПОЖ = ЕК (IКР + IД) = 159.5 мВт. Тоді з = 1.9%.
— в зв’язку з тим, що в схемі відсутній блокувальний конденсатор, на резисторі RЕ відбувається послідовний ВЗЗ по струму, отже, необхідно перерахувати параметри каскаду з урахуванням дії ВЗЗ з коефіцієнтом передачі
г = RЕ/ RК = 0.48:
RВХВЗЗ = RВХ (1 + гКU) = 24.94 кОм,
RВИХВЗЗ = RВИХ + RЕ (1 + гКU) = 13.12 кОм, КВЗЗ = КU/(1 + гКU) = 2;
— розрахуємо ємності розділових конденсаторів. Для цієї мети розподілимо значення коефіцієнта частотних викривлень рівномірно по конденсаторах, тобто приймемо
МН1ДБ = МН2ДБ = 1.5Дб.
Переведемо отримане значення у відносні одиниці:
= 1.188.
Тоді С1 = 106/[2рfН (RГ + RВХ) v (МН2 — 1)] = 0.69 мкФ,
С2 = 106/[2рfН (RВИХ + RН) v (МН2 — 1)] = 0.166 мкФ.
Таблиця 1. Орієнтовні значення параметрів h11Э и h22Е транзисторів
Параметр | Транзистори | ||||||
Великої потужності | Середньої потужності | Малої потужності | |||||
IК? 5 А | IК =(1 -5) А | IК=(0.5−1) А | IК=(0.1−0.5) А | IК=(0.05−0.1) А | IК=(0.01−0.05) А | ||
Вхідний опір, h11Е, Ом | 10…15 | 20…30 | 30…50 | 60…100 | 500…600 | 800…1000 | |
Вих.про; відність h22Е для герм.тран. | 40…20 мСм | 10…5 мСм | 2…0.5 мСм | 100…50 мкСм | 20…10 мкСм | 8…3 мкСм | |
Вих.про; відність h22Е для крем.тран. | 10…5 мСм | 3…1 мСм | 0.3…0.5 мСм | 0.1…0.05 мСм | 10…8 мкСм | 5…2 мкСм | |
Завдання 3.2
Розрахувати підсилювальний каскад, виконаний на ПТ за схемою № 8 (Мал. 6).
У вихідних даних до розрахункової роботи заданий тип транзистора КП302Б, амплітуда вихідної напруги UВИХМ = 3 В, опір навантаження RН = 10кОм, нижня частота смуги пропускання каскаду fН = 50Гц, коефіцієнт частотних викривлень на цій частоті МН = 3Дб.
Малюнок 6 — Схема підсилювального каскаду на ПТ Рішення:
Виписуємо довідкові дані транзистора:
UСІmax = 20 В,
ICmax = 43 мА,
початковий струм стоку IСПОЧ = 18 мА,
напруга відсікання UВІДС = 7 В,
крутизна характеристики S? 7 мА/В,
диференційний опір каналу RСІДИФ? 120кОм (визначаємо по ВАХ транзистора), визначаємо коефіцієнт підсилення по напрузі транзистора К = SRСІДИФ = 840; транзистор з каналом n-типу, що відповідає зображенню на схемі (Мал.6).
Розрахунок каскаду робимо в наступному порядку:
— задаємося напругою спокою транзистора UСР? 1.2UВИХ= 3.6 В;
— задаємося величиною опору резистора RС = 3 кОм;
— визначаємо амплітудне значення струму стоку транзистора
IСм = UВИХМ/ RН + UВИХМ/ RС = 1,3 мА;
— задаємося струмом спокою транзистора:
IСР? 1.5IСм = 2 мА.
Перевіряємо виконання умови IСР < 0.5 IСПОЧ.
— визначаємо значення UЗР = UВІДС v (1 — IСР/ IСПОЧ) = 6.6В;
— використовуючи 2-й закон Кірхгофа, визначаємо необхідну напругу живлення підсилювального каскаду
ЕС = UСР + IСР RС + UЗР + URф.
ПрийнявшиURф? 0.1ЕС,
одержуємо ЕС = (UСР + IСР RС + UЗР)/0.9 = 18 В;
— розраховуємо резистори
RІ = UЗР/ IСР = 3.3кОм,
RФ = 0.1ЕС/ IСР = 0.9 кОм, приймаємо опір RЗ = 200 кОм;
— визначаємо параметри підсилювального каскаду:
вхідний опір RВХ = RЗ = 200 кОм ,
вихідний опір RВИХ = RС¦RСИДИФ = 2.9 кОм ,
коефіцієнт підсилення по напрузі КU = S RВЫХ* RН/(RН + RВИХ) = 15.7,
коефіцієнт корисної дії підсилювального каскаду
з = РВИХ/ РСПОЖ, де РВИХ =(UВИХМ)2/(2RН) = 0.45 мВт,
РСПОЖ = ЕСIСР = 36 мВт. Тоді з = 1.2%.
— розрахуємо ємності розділових конденсаторів, прийнявши значення внутрішнього опору джерела сигналу RГ = 500 Ом. Для цієї мети розподілимо значення коефіцієнта частотних викривлень рівномірно по конденсаторах, тобто приймемо МН1ДБ = МН2ДБ = 1.5 Дб.
Переведемо отримане значення у відносні одиниці:
= 1.188.
Тоді С1 = 106/[2рfН (RГ + RВХ) v (МН2 — 1)] = 0.025 мкФ,
С2 = 106/[2рfН (RВИХ + RН) v (МН2 — 1)] = 0.38 мкФ.
Ємності блокувальних конденсаторів визначаємо в такий спосіб: СФ = 10/(2рfНRФ) = 35.4 мкФ, СІ = 10/(2рfНRІ) = 9.6 мкФ.
Список використаної літератури
1. Гусєв В.Г., Гусєв Ю.М. Електроніка.-М.:Высш.шк., 1991.-622с.
2. Скаржепа В. А., Луценко А. Н. Електроніка і микросхемотехника. Ч.1.Електронні пристрої інформаційної автоматики: Підручник/Під общ.ред.А. А. Краснопрошиной.-К.: Вища шк., 1989.-303 с.
3. Скаржепа В. А. і ін. Електроніка і микросхемотехника: Лабораторний практикум/Під общ.ред.А. А. Краснопрошиной.-К.: Вища шк., 1989.-279 с.
4. Основи електроніки і мікроелектроніки/Б.С.Гершунский.-3-і изд., перераб. і доп.-К.: Вища шк., 1987. 422 с.
5. Галкін В.И. і ін. Напівпровідникові прилади: Транзистори широкого застосування: Довідник/В.И.Галкін, А. Л. Булычев, П.И.Лямін.- Мн.: Бєларусь, 1995.-383 с.
6. Скаржепа В. А., Сенько В. И. Електроніка і микросхемотехника: Сб. задач / Під общ.ред. А. А. Краснопрошиной.-К.: Вища шк., 1989.-232 с.
7. Чекулаев М. А. Збірник задач і вправ по імпульсній техніці: Учеб. Посібник для учнів радиотехн. спец. технікумів. — М.: Высш. шк., 1986. — 280 с.
8. Розрахунок електронних схем. Приклади і задачі: Учеб. посібник для вузів по спец. электрон. техніки / Г. И. Изъюрова, Г. В. Корольов, В. А. Терехов і ін. — М.: Высш. шк., 1987. — 335 с.