Расчет тока насыщения

Тип работы:
Контрольная
Предмет:
Физика


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Министерство образования РФ

Томский университет систем управления радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра Физической Электроники

Индивидуальное задание № 1

Принял: Троян П. Е.

Выполнил: студент гр. 361−4 Юрикова Д. С.

Томск

2003

Задание:

Диод Шотки на основе структуры алюминий-кремний при обратном смещении 8 В имеет плотность обратного тока А/см

Концентрация электронов в кремнии при температуре K

Постоянная

1) Определить изменение потенциального барьера за счет эффекта Шотки при U=8 В.

2) Определить высоту барьера Шотки.

3) Определить ток насыщения, если площадь контакта S=

2. 1) Определим предельное обратное напряжение

2. 2) Определим предельное прямое напряжение

Определим сопротивление базы.

Для определения тока насыщения найдем длину диффузионного смещения.

Рассчитаем ток насыщения

,

тогда предельное прямое напряжение будет равно

3. 1) Построим обратную ветвь вольт — амперной характеристики.

3. 2) Построим прямую ветвь вольт — амперной характеристики.

ток насыщение барьер диод

ПоказатьСвернуть
Заполнить форму текущей работой