Расчет усилительного каскада с общим эмиттером

Тип работы:
Курсовая
Предмет:
Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовой работе

по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»

на тему: Расчет усилительного каскада с общим эмиттером

Содержание

Введение

1. Теоретическая часть

1.1 Общие понятия

1.2 Режим покоя в каскаде с общим эмиттером

2. Практическая часть

2.1 Предварительные данные для расчета усилительного каскада

2.2 Выбор типа транзистора

2.3 Выбор режима работы транзистора по постоянному току и расчет номиналов элементов усилителя

Заключение

Список использованной литературы

Введение

В современной электронике все большая роль отводится использованию достижений цифровой и (в несколько меньшей мере) аналоговой микросхемотехники. Устройства на микросхемах (более того, иногда только на микросхемах) стали проникать даже в те области, где ранее никому не приходило в голову их использовать из-за явно большей себестоимости по сравнению с простейшими транзисторными цепочками (различные датчики, игрушки, бытовые и промышленные индикаторы и сигнализаторы и т. п.). Несмотря на это все еще остаются сферы, где применение дискретных элементов по-прежнему популярно, а иногда и неизбежно. Кроме того, знание способов включения и режимов работы транзисторов, а также методик построения и анализа транзисторных схем является обязательным для любого инженера — электронщика, даже если ему и не приходится в реальной жизни проектировать схемы на дискретных элементах (ведь современные микросхемы -- суть транзисторные схемы, помещенные в один общий корпус с внешними выводами).

1. Теоретическая часть

1. 1 Общие понятия

Усилителями называются устройства, в которых сравнительно маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку. Наибольшее распространение получили усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах); в последние годы усилители преимущественно используются в виде готовых неделимых компонентов -- усилительных ИМС. Простейшая ячейка, позволяющая осуществить усиление, называется усилительным каскадом.

Электрические сигналы, подаваемые на вход усилителей, могут быть чрезвычайно разнообразны; это могут быть непрерывно изменяющиеся величины, в частности гармонические колебания, однополярные или двухполярные импульсы. Как правило, эти сигналы пропорциональны определенным физическим величинам. В установившихся режимах многие физические величины постоянны либо изменяются весьма медленно (напряжение и частота сети, частота вращения двигателя, напор воды на гидроэлектростанции). В переходных и особенно аварийных режимах те же величины могут изменяться в течение малых промежутков времени. Поэтому усилитель должен обладать способностью усиливать как переменные, так и постоянные или медленно изменяющиеся величины. Такие усилители являются наиболее универсальными и распространенными. По традиции их называют усилителями постоянного тока (УПТ), хотя такое название и не вполне точно: УПТ усиливают не только постоянную, но и переменную составляющую {приращения сигнала) и в подавляющем большинстве случаев они являются усилителями напряжения, а не тока. В УПТ нельзя связывать источник и приемник сигнала через трансформаторы и конденсаторы, которые не пропускают постоянной составляющий сигнала. Это условие вызывает некоторые трудности при создании УПТ, с которыми мы познакомимся ниже, но оно же обусловило еще большее распространение УПТ с появлением микроэлектроники: УПТ не содержат элементов, выполнение которых в составе ИМС невозможно (трансформаторы и конденсаторы большой емкости).

Анализируя возможность использования биполярных транзисторов для усиления электрических сигналов, мы ограничивались только одним частным случаем подачи на электроды транзистора определенных напряжений и не рассматривали некоторые достаточно важные физические процессы в полупроводнике. Но помимо уже описанной ситуации возможны и другие, приводящие, например, к протеканию в n-p-n-структуре тока не от коллектора к эмиттеру, а, наоборот, от эмиттера к коллектору и т. п. В общем случае для биполярноголярного транзистора возможны четыре устойчивых состояния (режима). Они отличаются друг от друга тем, в каком состоянии (прямое или обратное смещение) находятся эмиттерный и коллекторный переходы транзистора. Приведем их полное описание.

Активный режим -- соответствует случаю, рассмотренному при анализе усилительных свойств транзистора. В этом режиме прямосмещенным оказывается эмиттерный переход, а на коллекторном присутствует обратное напряжение, именно в активном режиме транзистор наилучшим образом проявляет свои усилительные свойства. Поэтому часто такой режим называют основным или нормальным.

Инверсный режим -- полностью противоположен активному режиму, т. е. обратносмещенным является эмиттерный переход, а прямосмещенным -- коллекторный. В таком режиме транзистор также может использоваться для усиления. Однако из-за конструктивных различий между областями коллектора и эмиттера усилительные свойства транзистора в инверсном режиме проявляются гораздо хуже, чем в режиме активном. Поэтому на практике инверсный режим практически не используется.

Режим насыщения (режим двойной инжекции) -- оба перехода транзистора находятся под прямым смещением. В этомом случае выходной ток транзистора не может управлять его входным током, т. е. усиление сигналов невозможно. Режим насыщения используется в ключевых схемах, где в задачу транзисторов входит не усиление сигналов, а замыкание/размыкание разнообразных электрических цепей.

Режим отсечки -- к обоим переходам подведены обратные напряжения. Такой режим также используется в ключевых схемах. Поскольку в нем выходной ток транзистора практически равен нулю, то он соответствует размыканию транзисторного ключа. Заметим, что кроме названных основных рабочих режимов в транзисторе возможен режим пробоя на различных переходах. Обычно он возникает только в случае аварии и не используется в работе, однако существуют специальные лавинные биполярные транзисторы, в которых режим пробоя является как раз основным рабочим режимом.

Для того чтобы рассмотреть принцип действия простейшего усилительного каскада, включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ), рассмотрим схему с транзистором n-р-n -типа, представленную на рис. 1.

биполярный транзистор усилительный резистор

Рис. 1. Простейшая схема включения транзистора с ОЭ.

Источник напряжения Ек > > Uкэн, где Uкэн — обозначено на выходной характеристике транзистора (рис. 2.), связан с коллекторным электродом транзистора через сопротивление нагрузки Rк. Входной сигнал подается на базу транзистора (напряжение ибэ и ток iб). Построим зависимость Uкэ f (Uбэ)> называемую передаточной характеристикой каскада.

Рис. 2. Выходные характеристики биполярного транзистора с ОЭ.

При увеличении напряжения ибэ растет ток iБ (см. входную характеристику транзистора рис. 3 при икэ? Uкэн), растет и ток коллектора: iK =(в+1)IКБ0 + в iб.

Рис. 3. Входные характеристики биполярного транзистора с ОЭ.

В результате увеличивается падение напряжения на резисторе Rк, уменьшается напряжение икэ = Ек — iк R (рис. 4). При достижении напряжения икэ = Uкэн дальнейшее увеличение ибэ не вызывает изменений напряжения икэ и тока iк, протекающего через резистор Rк. В этом режиме к Rк приложено напряжение Ек — Uкэн, и поэтому ток коллектора iк = Iкн =(Ек — Uкэн)/ Rк.

Рассмотрение передаточной характеристики каскада показывает, что при изменении напряжения ибэ или тока iБ в цепи маломощного источника сигнала можно изменить ток iк и напряжение икэ в цепи более мощного источника Ек. Однако коллекторное напряжение можно изменять лишь в пределах Uкэн? икэ? Ек, а ток -- в пределах IКБо? iкэ? (Ек — Uкэн)/ Rк (участок 11 на передаточной характеристике). При отрицательных ибэ и на участке 1 через транзистор протекает только малый неуправляемый ток коллекторного перехода, а на участке 111 икэ = Uкэн и транзистор теряет свойства усилительного элемента. Еще один вывод, который можно сделать из анализа передаточной характеристики рассмотренного усилительного каскада: при увеличении ибэ (участок II) икэ уменьшается. Усилитель, в котором приращение выходного сигнала противоположно по знаку приращению входного сигнала, называется инвертирующим.

Передаточная характеристика каскада позволяет нам рассмотреть различные способы работы каскада, называемые классами усиления.

На рис. 4 показаны произвольный двухполярный входной сигнал uвх(t) и форма кривой напряжения на коллекторе икэ (t) в различных режимах (классах усиления). При работе в классе усиления В ибэ = ивх. Нелинейность передаточной характеристики каскада приводит к тому, что в классе В на выход передается сигнал только одной полярности: ивх > 0. Класс В в рассмотренном простейшем каскаде можно использовать только для передачи не столь часто встречающихся однополярных сигналов. При передаче двухполярного напряжения форма его искажается, часть информации безвозвратно теряется.

Рис. 4. Передаточная характеристика транзисторного каскада с ОЭ

При работе в классе усиления А на вход усилителя одновременно со входным сигналом uBX(t) подается также постоянное напряжение смещения, так что ибэ = ивх + Uсм(см. временные диаграммы сигналов на рис. 4). Благодаря смещению в кривой напряжения ибэ(t) входной сигнал воспроизводится полностью, практически без искажений формы, так как значения ибэ постоянно соответствуют участку 11 передаточной характеристики. Режим работы усилителя, когда включены источники питания и подано смещение, но ивх= 0, называется режимом покоя. В этом режиме ибэ = Uбэп и iб = Iбп, а икэ = Uкэп. При приложении отрицательного (или положительного) напряжения ивх уменьшатся (или соответственно увеличатся) токи iб и iк и падение напряжения на Rк, в результате увеличится (уменьшится) напряжение

икэ = Uкэп + Д Uкэ

где Д Uкэ = ивых -- полезный эффект усиления.

При работе в ключевом режиме (режим большого сигнала) изменение входного напряжения захватывает участки 1 — 111 передаточной характеристики (см. временные диаграммы на рис. 4). Форма передаваемого сигнала искажается (ограничивается его амплитуда). Подобный режим работы каскада находит широкое применение в импульсной технике при передаче импульсов прямоугольной формы, где ограничение амплитуды импульсов несущественно.

Выбор класса усиления и выбор режима покоя определяет не только форму передаваемого сигнала, но и мощность потерь, вызывающую нагрев транзистора:

На диаграммах рис. пунктиром изображена зависимость мощности Рк в режиме покоя от напряжения смещения Uбэп Эта зависимость показывает, что выбор Uбэп в середине участка 11 передаточной характеристики каскада соответствует максимальным потерям мощности в транзисторе.

1. 2 Режим покоя в каскаде с общим эмиттером

Выделение режима покоя при анализе электронных схем является одним из типовых приемов схемотехнической электроники. Продолжим рассмотрение каскада с ОЭ в наиболее распространенном классе усиления -- классе А.

Схема каскада приведена на рис. 5; вначале будем рассматривать упрощенный вариант каскада при RЭ = 0. Схема содержит знакомые нам компоненты: усилительный элемент-- транзистор, источник питания Ек. сопротивление коллекторной нагрузки Rк. На схеме появилось сопротивление коллекторной нагрузки RHt к которому приложено напряжение ивых, а входная цепь условно представлена в виде последовательного включения двух источников напряжения ивх и Uсм.

На рис. 6 представлены временные диаграммы напряжений и токов в каскаде с ОЭ. При ивх = 0 в режиме покоя через транзистор протекают постоянные токи IБп, IКп, IЭп и к базе и коллектору транзистора приложены постоянные напряжения UБЭп и UБЭп? 0.

Рис. 5. Каскад с ОЭ

Рис. 6. Временные диаграммы токов и напряжений в каскаде с ОЭ

Для того чтобы в режиме покоя Uвых = 0, в цепь нагрузки RН необходимо ввести источник постоянного компенсирующего напряжения Uком п = UКЭп. При приложении входного напряжения токи и напряжения в транзисторе получают приращения UБЭ = ивх, ДIк, ДIЭ, ДUКЭ =Uвых, которые показаны на рис. 6 для входного сигнала произвольной формы. Мгновенные значения токов и напряжений в транзисторе могут быть найдены с помощью графического метода, который является одним из эффективных средств анализа нелинейных цепей.

В схеме рис. 5 имеется лишь один нелинейный элемент-- транзистор; связь токов и напряжений в транзисторе представлена его ВАХ (см. рис. 1), в частности его выходными характеристиками

Iк = f (икэ) при IБ = const (1)

При графическом анализе линейная часть схемы описывается уравнением в тех же координатах (iк, икэ).

Рассмотрим режим покоя. Допустим, что в цепь нагрузки включен источник компенсирующего напряжения Uкомп = UКЭ п. Тогда в режиме покоя ток в нагрузочную цепь (Rн, Uкомп) не ответвляется и уравнение линейной части схемы записывается в виде

iк = (Ек — икэп)/Rк (2)

Решаем систему уравнений (1), (2) графически, для этого через семейство выходных характеристик транзистора (рис. 7) проводим линию нагрузки по постоянному току, описываемую (2). Из (2) находим, что при iк = 0, икэ = Ек и при iк = Ек/Rк. Через две найденные точки проводим прямую линию. Зададим ток базы в режиме покоя IБп, тогда пересечение линии нагрузки по постоянному току с выходной характеристикой транзистора при iБ = IБп будет соответствовать решению системы уравнений (1), (2)--точке покоя 0 (UКЭ п, IКп).

В общем случае условие Uкомп = UКЭп не выполняется и ток коллектора ответвляется в цепь Rн. Заменим в этом случае линейную часть схемы (Ек, Rк, Uкомп, Rн) эквивалентными сопротивлениями и ЭДС Uэкв, Rэкв, найденными согласно теореме об эквивалентном генераторе. Можно убедиться, что Rэкв = RКRН /(RК + RН), a EЭKB=[ RКRН /(RК + RН)](Uкомп/Rн + EK/Rк). Эти значения Еэкв, Rэкв подставим вместо RK и Ек в (2) и построим по этому уравнению линию нагрузки по постоянному току.

Рис. 7. Графический расчет каскада с ОЭ:

Графический анализ каскада при наличии входного сигнала производится аналогично. Рассмотрим контур прохождения тока ДIк через линейную часть схемы. Этот ток может пройти через RK и ЕК, а также через Uкомп и Rн. Поскольку сопротивление источников постоянного напряжения для приращений тока (т. е. их сопротивление для переменной составляющей тока) равно нулю, уравнение линейной части схемы имеет вид

ДIк = ДUкэ(RK + RН)/(RK RН) (3)

Решаем совместно (1) и (3). Для этого через семейство выходных характеристик транзистора (рис. 7) проводим через точку покоя линию нагрузки по переменному току АОВ в соответствии с выражением (3). Поскольку RK > (RK + RН)/(RK RН), прямая АОВ идет круче линии нагрузки по постоянному току.

При увеличении iб рабочая точка каскада кэ, iк) перемещается вверх по прямой ОА, ток iк растет, икЭ падает. При уменьшении тока базы рабочая точка перемещается по прямой ОВ, ток iк падает, икэ растет. Прямая АОВ -- это траектория рабочей точки каскада

Графический анализ позволяет учесть нелинейность характеристик транзистора, дает возможность рассматривать действие любых сигналов в любом классе усиления. Недостатком его являются громоздкость и невозможность выбора параметров элементов каскада по заданным требованиям. Главное достоинство графического анализа -- наглядное представление о работе каскада как о схеме с нелинейным элементом.

2. Практическая часть

2. 1 Предварительные данные для расчета усилительного каскада

1. Сопротивление нагрузки Rн = 0,3 кОм

2. Амплитуда напряжения на нагрузке Uнm = 2,8 В

3. Нижний уровень частоты входного сигнала fн = 100 Гц

4. Верхний уровень частоты входного сигнала fв = 6 МГц

5. Внутренне сопротивление источника синусоидального входного сигнала Rг = 5 кОм

6. Рабочая температура транзистора t0р = 25

7. Максимальная рабочая температура транзистора t0рm = 40

8. Коэффициент частотных искажений на низких частотах Мн = 1,4 дБ

9. Коэффициент частотных искажений на высоких частотах Мв = 1,4 дБ

Рис. 8. Усилительный каскад с ОЭ.

2. 2 Выбор типа транзистора

Осуществим выбор транзистора по следующим параметрам:

1. Мощность, рассеиваемая на коллекторе Рк.

2. Граничная частота передачи тока базы fг? fв.

Определим мощность рассеивания на коллекторе:

Рк = 8 * к1 * Рн = 8 * к1 * Uн2 / Rн;

где к1 = 1,1.

Рк = 8 * 1,1 * 282 / 300 = 22,99 Вт.

Определим граничную частоту передачи тока базы:

Граничная частота передачи тока базы fв должна более чем в пять раз превышать заданную верхнюю частоту усилителя fВ: fг > 5fВ, fВ = 6 МГц, тогда fг > 30 МГц. Предложенная схема усилительного каскада предполагает тип транзистора n-р-n. Полученным параметрам Рк = 22,99 Вт и fг = 30 МГц удовлетворяет транзистор КТ601А.

2. 3 Выбор режима работы транзистора по постоянному току и расчет номиналов элементов усилителя

Допущения:

1. Усилительный каскад работает в статическом режиме А.

2. Сопротивление источника колебаний Rг во много раз больше входного сопротивления Rвх транзистора, т. е. источник работает как генератор тока. Нелинейность сопротивления Rвх не учитывается, т.к. свойства входной цепи определяются сопротивлением Rг. Сопротивление Rг линейно. Входной, выходной токи синусоидальны и выходное напряжение синусоидальны. Усиление происходит с малыми нелинейными искажениями.

3. Сопротивление нагрузки во много раз меньше выходного сопротивления транзистора Rн < < Rвых.

4. Сопротивление нагрузки одинаково для постоянного и переменного тока.

· Рассчитаем сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора:

Rк = (1 + КR) Rн= (1 + 1,1)·300 = 630 (Ом).

Принимаем, что Rк = 630Ом. От величины этого резистора зависит коэффициент усиления каскада по переменному току.

· Определим эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:

· Найдем амплитуду коллекторного тока:

· Рассчитаем ток покоя транзистора:

k3 — коэффициент запаса,

k3 =0,7ч0,95

Принимаем = 16 (мА).

· Определим минимальное напряжение коллектор — эмиттер в рабочей точке транзистора:

где Uкост — напряжение коллектор-эмиттер, соответствующее области начальных участков выходных ВАХ транзистора (обычно принимается равным 1В).

Т.к. меньше типового значения, принимаем

· Рассчитываем напряжение источника питания:

Пусть

· Определяем сопротивление резистора:

Пусть

На выходных характеристиках транзистора построим нагрузочную прямую по постоянному току по точка М и N. В точке М ток Iк=0. А поскольку для выходной цепи транзистора справедливо уравнение Ек = Uк + Iк (Rк+ Rэ)то при Iк=0 получаем Ек = Uк = 30 В. Из этого же равенства в точке N, где Uк = 0, получаем Ек = Iк (Rк+ Rэ) или Iк = Ек / (Rк+ Rэ) = 30 / (630 + 187,5) = 37*10-3(А) = 37(мА).

Рис. 9. Нагрузочная прямая усилительного каскада по постоянному току.

Соединяя эти точки прямой, получаем линию нагрузки (рабочую характеристику). На ней выбираем рабочий участок. Например, для получения большой выходной мощности следует взять рабочий участок АБ. На рисунке заштрихован треугольник полезной мощности. Его гипотенузой является рабочий участок АБ, а катетами соответственно двойные амплитуды тока 2 Iкmax и напряжения 2 Uк-эmax. Из графика 2 Iкmax = 35 мА и 2 Uк-эmax = 28 В. Откуда Iкmax = 17,5 мА и Uк-эmax = 14 В.

На рабочей характеристике наносим рабочую точку Т так, чтобы она находилась примерно посредине участка АБ и обеспечивала вышеуказанные амплитуды тока и напряжения. Тогда ее координаты равны:

Iкп = Iкmax + Iкб0 = 17,5 + 0,2 = 17,7 (мА)

Uкэп = Uк-эmax + UкэНЛ = 14 + 1 = 15 (В).

где UкэНЛ — напряжение нелинейных участков выходных характеристик, принимаемое равным 1 В;

Iкб0 — коллекторный ток при нулевом токе базы, принимаемый равным о, 2 мА.

На этом же графике видно, что 2I = 375мкА.

Следовательно, ток базы покоя равен Iбп = 187,5мкА. Рассчитаем мощность в точке покоя транзистора:

Определим максимальную допустимую мощность рассеивания на коллекторе транзистора. В табл. 1. находим для выбранного транзистора:

Таблица 1

Тип транзистора

Структура

fгр, МГц

Ркmax, Вт

Iкmax, мА

Iкб0, мкА

U кб0, В

U кэ0, В

h21Э

КТ206А

n-р-n

10

0,015

20

1

20

20

30−90

КТ301

n-р-n

20

0,15

10

10

20

20

20−60

КТ315А

n-р-n

250

0,15

100

0,5

25

25

20−90

КТ503А

n-р-n

5

0,350

150

1

40

25

40−120

КТ601А

n-р-n

40

0,5

30

50

100

100

216

КТ704А

n-р-n

1

15

2500

500

10−100

КТ801А

n-р-n

2

5

2000

10

80

80

15−50

КТ902А

n-р-n

35

30

5000

10

65

110

15

КТ817А

n-р-n

3

25

3000

100

40

40

25

КТ815А

n-р-n

3

10

1500

50

40

30

40

Тогда: Ркдоп = IкдопUк-эдоп = 30·10-3·100 = 3000·10-3 (Вт) = 3 (Вт)

Определим наибольшую мощность рассеивания транзистора при максимальной рабочей температуре:

где t0пmax — максимальная температура перехода транзистора;

t0рm — рабочая температура транзистора

t0рm — максимальная рабочая температура транзистора.

, следовательно, транзистор выбран правильно.

Ток покоя базы Iбп найден ранее. Определим напряжение база-эмиттер в режиме покоя Uб-эп. Для этого найдем рабочий интервал А1Б1 и рабочую точку Т1 на входной характеристике, перенеся точки А, Б и Т на входную характеристику и получив точки А1Б1 и Т1 (рис. 3).

Из графика следует 2Umб-э = 0,34 В, Umб-э = 0,17 В и Uб-эп = 0,85 В.

Рассчитаем сопротивления базового делителя R1, R2. Для этого определим ток базового делителя:

Iд = (5ч10) Iбп.

Пусть Iд = 5 Iбп = 5·150·10-6 = 0,75·10-3 (А)

Рис. 10. Входная характеристика транзистора с рабочей точкой и рабочим интервалом.

Рассчитаем сопротивление резистора базового делителя R2:

Найдем сопротивление резистора базового делителя R1:

Найдем входное сопротивление каскада Rвх. Для этого определим параметр h11Э.и эквивалентное сопротивление базового делителя RД. По приращениям ДIб, ДUб-э на входной характеристике транзистора между точками Т1 и А1 при постоянном напряжении Uк-э найдем:

h11Э = ДUб-э / ДIб = 0,1 / 0,195·10-3 = 512,8 (Ом).

Найдем эквивалентное сопротивление базового делителя RД:

Найдем входное сопротивление каскада:

Рассчитаем выходное сопротивление каскада:

Заключение

Свойства усилителей во многом определяются областью их применения. Чтобы судить о возможности использования конкретного усилителя в том или ином электронном устройстве, необходимо знать его основные параметры, такие как коэффициент усиления, выходная мощность, чувствительность, диапазон усиливаемых частот, входное и выходное сопротивление и другие.

Промышленность выпускает сотни типов операционных усилителей, которые обладают различными преимуществами друг перед другом и позволяют строить различные схемы усилителей. Кроме того, усилители представляют собой миниатюрные электронные блоки. Выпускаются также специализированные интегральные усилители.

Все это позволило не только повысить надежность электронных изделий, снизить энергопотребление (возможность использования в портативных и переносных изделиях), но и создавать устройства с высококачественным звучанием и большой функциональной насыщенностью.

Список использованной литературы

1. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника. Учеб. для вузов.- 4-е издание. — М.: Высшая школа, 2006 г.

2. Жаворонков М. А., Кузин А. В. Электротехника и электроника: учебное пособие для вузов — М.: Академия, 2012 г.

3. Полещук В. И. Задачник по электротехнике и электронике: учебное пособие для студентов — М.: Академия, 2006 г.

4. Антипов Б. Л. и др. Материалы электронной техники: задачи и вопросы: учебник для вузов — СПб: Лань, 2011 г.

5. Ференец А. В., Хайруллина Г. С. Применение программы EWB для моделирования аналоговых устройств электроники: учебное пособие — Казань: из-во КГТУ, 2004 г.

6. Опадчий Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учеб. для вузов/ -М.: Горячая Линия — Телеком, 2009 г.

7. Прянишников В. А. Электроника. Полный курс лекций/ -4-е изд. -СПб: «КОРОНА- Принт», 2004 г.

8. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Справочное руководство. Пер. с нем. — М.: Мир, 1982 г.

9. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. — М.: Изд. Дом «Додэка-XXI», 2005 г.

10. Лачин В. И., Савелов Н. С. Электроника. Учеб. Пособие. — 4-е изд. перераб. и доп. — Ростов н/Д. Изд-во «Феникс», 2009 г.

ПоказатьСвернуть
Заполнить форму текущей работой