Основні характеристики оперативної пам'яті

Тип работы:
Контрольная
Предмет:
Программирование


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Вступ

пам’ять оперативний модуль

Оперативна пам’ять — набір мікросхем, призначених для зберігання даних під час їх безпосереднього опрацювання. Оперативна пам’ять потрібна комп’ютеру так само, як і процесор. Без ОЗП процесор не зможе працювати. В оперативну пам’ять він записує і зчитує з неї дані, необхідні йому для здійснення тих чи інших операцій. Коли потрібен швидкий доступ до даних, працювати безпосередньо з жорстким диском чи SSD процесор не може в першу чергу через дуже низьку швидкість їх роботи.

Чим швидша оперативна пам’ять, тим краще. Швидкість пам’яті визначається частотою її шини, яка залежить від типу пам’яті.

Крім швидкості роботи, важливою характеристикою оперативної пам’яті є також її об'єм, який повинен відповідати колу завдань, що вирішуються за допомогою комп’ютера, а також встановленому на ньому програмному забезпеченню. Наприклад, офісному комп’ютеру з операційною системою Windows XP для роботи з текстом, перегляду сторінок Інтернету та здійснення інших нескладних операцій цілком достатньо навіть 512 MB оперативної пам’яті. Якщо на комп’ютері буде встановлена операційна система Windows7, для вирішення тих же завдань потрібно буде вже як мінімум 1024 MB ОЗУ, оскільки сама Windows7 вимагає більше пам’яті. Якщо в системі буде недостатньо пам’яті, то при запуску ресурсомістких програм вільна пам’ять може закінчитися. У цьому випадку комп’ютер для її розширення буде використовувати частину жорсткого диска або SSD (так званий файл підкачки або swap-файл, спеціально зарезервований операційною системою). Враховуючи, що швидкість доступу до даних на жорсткому диску в сотні разів нижче швидкості доступу до оперативної пам’яті, швидкодія комп’ютера в таких випадках сильно падає, на системному блоці постійно горить індикатор зайнятості жорсткого диску і чути характерний тріск його напруженої роботи.

Оперативна пам’ять (Random Access Memory або RAM) — це пям’ять, яка потрібна в першу чергу комп’ютеру. Дана пам’ять дає ком’пютеру змогу дуже швидко записувати та зчитувати данні. Ця пам’ять, на відміну від вінчестера, є повністю енергозалежною, тобто данні в ній зберігаються лише при умові, що комп’ютер ввімкнений. У ній комп’ютер зберігає тимчасово потрібні для нього файли, математичні розрахунки і взагалі, все те, що йому «заманеться».

Завданням творчої роботи є:

— створення стенду, який дозволяє розглянути модулі оперативної пам’яті;

— розгляд методики діагностики модулів оперативної пам’яті.

Об'єкт дослідження — будова та робота модулів оперативної пам’яті.

Предмет дослідження — модулі оперативної пам’яті.

Структура дипломної роботи. Дипломна робота складається зі вступу, п’яти розділів, висновку, переліку інформаційних джерел.

1. Типи оперативної пам’яті

За останні десять років комп’ютери зробили величезний стрибок вперед. За цей час багато технологій встигли з’явитися, здобути популярність і піти в минуле. Так само і з розвитком оперативної пам’яті. Ми розглянемо всі основні типи оперативної пам’яті, які використовуються, або використовувалися в персональних комп’ютерах.

Рис. 1. 1

Оперативна пам’ять будь-якого сучасного комп’ютера відноситься до типу DRAM або Dynamicrandomaccessmemory, (рис. 1. 1). Це енергозалежна пам’ять з довільним доступом. Дана пам’ять має дві основні характеристики: вона дуже швидка і вона очищається при відключенні електроживлення. Саме тому при перезавантаженні всі не збережені дані губляться, а включення комп’ютера займає стільки часу. Всі потрібні дані потрібно зчитати з жорсткого диска і заново помістити в пам’ять.

1. 1 Типи оперативної пам’яті: DDR, DDR2 і DDR3

У свою чергу пам’ять DRAM ділиться на велику кількість різних типів. У сучасних персональних комп’ютерах використовуються такі типи оперативної пам’яті DRAM: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM і DDR3 SDRAM.

Всі ці три типи пам’яті з’являлися по черзі, кожна нова версія отримувала значні поліпшення в порівнянні з попередньою. Вони не сумісні одна з одною. Тому в комп’ютер оснащений роз'ємом для пам’яті DDR не можна підключити пам’ять DDR2, і так далі.

Рис. 1. 2

Щоб уникнути помилкової установки пам’яті в материнську плату, модулі пам’яті мають різну і не сумісну один з одним форму. Це видно на зображенні (рис. 1.2.).

Оперативна пам’ять у комп’ютері розміщується на стандартних панельках, так званих модулях пам’яті. Модулі оперативної пам’яті встановлюються у відповідні гнізда на материнській платі (рис. 1. 3).

/

/

Рис. 1. 3

1. 2 Типи оперативної пам’яті: форм фактори DIMM і SODIMM

Форм фактор (конструкція модулів) для настільних комп’ютерів називається DIMM, і вона відрізняється від форм фактора модулів пам’яті для ноутбуків, які називаються SODIMM. Це треба враховувати при виборі оперативної пам’яті ноутбука. Як і модулі для настільних комп’ютерів, модулі SODIMM для пам’яті DDR, DDR2 і DDR3 мають конструктивні відмінності, які не дозволяють встановити їх в невідповідний роз'єм (рис. 1. 4).

Рис. 1. 4

Зараз всі нові комп’ютери оснащуються підтримкою виключно самої нової пам’яті DDR3 (у форм факторі DIMM або SODIMM, залежно від типу комп’ютера). Але, старі версії DDR і DDR2 все ще можна знайти в продажі, тому якщо ми хочемо збільшити обсяг оперативної пам’яті у нашому старому комп’ютері це можна зробити без проблем.

Як вибрати потрібний тип оперативної пам’яті.

Для того, щоб розширити оперативну пам’ять комп’ютера нам в першу чергу потрібно дізнатися, яку пам’ять він підтримує. Це можна зробити кількома способами:

— витягнути один модуль оперативної пам’яті і подивитись на наклейку на ньому. Там завжди вказаний тип пам’яті, до якого належить цей модуль пам’яті;

— використати одну з програм для перегляду характеристик комп’ютера. За допомогою таких програм ми завжди зможемо отримати всю необхідну інформацію про оперативну пам’ять і інші комплектуючі;

— але, якщо на даний момент комп’ютер вимкнений і в ньому не встановлені модулі оперативної пам’яті, ми можете отримати потрібну інформацію на сайті виробника материнської плати.

2. Основні характеристики оперативної пам’яті

Основними характеристиками DRAM є таймінги та робоча частота. Для звернення до комірок контролер задає номер банку, номер сторінки в ньому, номер стрічки та номер стовпчика. На ці всі запити використовується час. Крім того доволі великий період йде на відкриття та закриття самого банку після виконання операції. На кожну дію вимагається час, який називається таймінгом. Основними таймінгами DRAM є: затримка між подачею номеру стрічки і номера стовпчика, називається часом повного доступу (англ. RAS to CAS delay), затримка між подачею номеру стовпчика і отримання вмісту комірки, називається часом робочого циклу (англ. CASdelay), затримка між читанням останньої комірки та подачою номеру наступної стрічки (англ. RAS precharge). Таймінги вимірюються внаносекундах, і чим менша величина цих таймінгів, тим швидше працює оперативна пам’ять.

Робоча частота вимірюється в мегагерцах, і збільшення робочої частоти пам’яті призводить до збільшення її швидкодії.

2.1 Тип

Це головна характеристика оперативної пам’яті. Адже кожне нове покоління комп’ютерів змінює процесори, материнську плату, а значить — і оперативну пам’ять. В нових комп’ютерах стандартом є тип DDR II. А останні моделі процесорів та материнських плат підтримують тип DDR III.

А провідні виробники оперативної пам’яті (такі, як G. Skill, Geil, Corsair та ін.) вже працюють над новими стандартами DDR IV і навіть DDR V.

2.2 Об'єм

Чим більший об'єм оперативної пам’яті має комп’ютер, тим швидше він працює, тим більшу кількість різноманітних програм водночас можемо використовувати.

2.3 Частота

Частота оперативної пам’яті вимірюється у мегагерцах (МГц). Чим більша частота модулів оперативної пам’яті, тим чіткіше та швидше працює комп’ютер. Для нормальної роботи потрібно, щоб були встановлені модулі оперативної пам’яті з частотою як мінімум 333 МГц та об'ємом як мінімум 256 Мб.

3. Корпуси модулів пам’яті

Рис. 3. 1

Різні корпуси DRAM (рис. 3. 1). Зверху вниз: DIP, SIP, SIMM (30-контактний), SIMM (72-контактний), DIMM (168-контактний), DIMM (184-контактний, DDR)

Елементи пам’яті типу DRAM конструктивно виконуються або у вигляді окремих мікросхем в корпусі тпипу DIP, або у вигляді модулів пам’яті типу: SIP (Single In-Line Package), SIMM (Single In-lineMemoryModule), DIMM (Dual In-lineMemoryModule), RIMM (Rambus In-lineMemoryModule).

Мікросхеми в корпусах типу DIP випускалися до використання модулів пам’яті. Ці мікросхеми мають два ряди контактів, розташованих вздовж довгих сторін чипу, і загнуті донизу.

3. 1 Модулі SIP

Модулі типу SIP являють собою прямокутні плати із контактами у вигляді невеликих штирків. Цей тип пам’яті в цей час практично не використовується, так як був витіснений модулями пам’яті типу SIMM.

3. 2 Модулі SIMM

Модулі типу SIMM являють собою прямокутну плату із контактною смугою вздовж однієї із сторін, модулі фіксуються в роз'ємі поворотом за допомогою защібок. Найпоширеніші 30- і 72 — контактні SIMM. Найчастіше вживаними були модулі на 4, 8, 16, 32 і навіть 64 Мбайт.

3. 3 Модулі DIMM

Модулі типу DIMM найпоширеніші у вигляді 168-контактних модулів, встановлюються в роз'єми вертикально і фіксуються защібками. В портативних пристроях широко використовуються SO DIMM — різновид DIMM малого розміру (англ. SO — smalloutline), які в першу чергу призначалися для портативних комп’ютерів. Найчастіше зустрічаються 72- і 144 — контактні модулі типу SO DIMM. Пам’ять типу DDR SDRAM випускається у вигляді 184-контактних DIMM-модулів, а для пам’яті типу DDR2 SDRAM випускаються 240-контактні модулі.

3. 4 Модулі RIMM

Модулі типу RIMM менш поширені, в таких модулях випускається пам’ять типу Direct RDRAM. Вони представлені 168/184-контактними прямокутними платами, які обов’язково повинні встановлюватися виключно парами, а порожні роз'єми обов’язково повинні бути зайняті спеціальними заглушками. Це пов’язано із особливостями конструкції таких модулів. Також існують модулі 232-pin PC1066 RDRAM RIMM 4200, які не сумісні із 184-контактним роз'ємом.

3. 5 Принцип роботи DRAM

В сучасних комп’ютерах фізично DRAM-пам'ять являє собою плату — модуль, на якому розміщуються мікросхеми пам’яті зі спеціалізованим з'єднувачем для підключення до материнської плати. Роль комірок відіграють конденсатори та транзистори, які розташовані всередині мікросхем пам’яті. Конденсатори заряджаються у випадку, коли в комірку заноситься одиничний біт, або розряджаються у випадку, якщо в комірку заноситься нульовий біт.

Рис. 3. 2

Принцип роботи DRAM читання, для простої матриці 4 на 4, (рис. 3. 2).

Рис. 3. 3

Принцип роботи DRAM запису, для простої матриці 4 на 4, (рис. 3. 3).

Конструктивно пам’ять DRAM складається із комірок розміром в 1 або 4 біта, в кожній із яких можна зберігати певний обсяг даних. Сукупність комірок такої пам’яті створюють умовний прямокутник, який складається із певної кількості стрічок та стовпців. Один такий прямокутник називається сторінкою, а сукупність сторінок називається банком. Весь набір комірок умовно ділиться на кілька областей.

Транзистори потрібні для утримання заряду всередині конденсатора. За відсутності подачі електроенергії до оперативної пам’яті відбувається розрядження конденсаторів і пам’ять спустошується. Ця динамічна зміна заряду конденсатора і є основним принципом роботи пам’яті типу DRAM. Елементом пам’яті такого типу є чутливий підсилювач, англ. senseamp, який підключений до кожного із стовпців прямокутника. Він реагує на слабкий потік електронів, які рухаються через відкриті транзистори із обкладинок конденсаторів, і зчитує цілком всю сторінку. Саме сторінки і є мінімальною порцією обміну із динамічною пам’яттю, тому що обмін даними із окремо взятою коміркою нереальний.

Елементи пам’яті в мікросхемі DRAM — це крихітні конденсатори, які утримують заряди. Саме так наявністю або відсутністю зарядів і кодуються біти. Проблеми, пов’язані з пам’яттю цього типа, викликані тим, що вона динамічна, тобто повинна постійно регенеруватися, оскільки інакше електричні заряди в конденсаторах пам’яті стікатимуть і дані будуть втрачені. Регенерація відбувається, коли контролер пам’яті системи бере крихітну перерву і звертається до всіх рядків даних в мікросхемах пам’яті. Більшість систем мають контролер пам’яті зазвичай вбудовуваний в набір мікросхем системної плати, який налаштований на відповідну промисловим стандартам частоту регенерації, рівну 15 мкс. До всіх рядків даних звернення здійснюється після проходження 128 спеціальних циклів регенерації. Це означає, що кожні 1,92 мс прочитуються всі рядки в пам’яті для забезпечення регенерації даних.

Регенерація пам’яті, на жаль, віднімає час у процесора: кожен цикл регенерації за тривалістю займає декілька циклів центрального процесора. У старих комп’ютерах цикли регенерації могли займати до 10% (або більше) процесорного часу, але в сучасних системах, що працюють на частотах, рівних сотням мегагерц, витрати на регенерацію становлять 1%, або менше процесорного часу. Деякі системи дозволяють змінити параметри регенерації за допомогою програми установки параметрів CMOS, але збільшення часу між циклами регенерації може призвести до того, що в деяких елементах пам’яті заряд «стече», а це викличе збої пам’яті. В більшості випадків надійніше дотримуватися частоти регенерації, що рекомендується або заданої за умовчанням. Оскільки витрати на регенерацію в сучасних комп’ютерах складають менше 1%, зміна частоти регенерації має незначний вплив на характеристики комп’ютера.

У пристроях DRAM для зберігання одного біта використовується тільки один транзистор і пара конденсаторів, тому вони місткіші, ніж мікросхеми інших типів пам’яті.

В даний час є мікросхеми динамічної оперативної пам’яті ємкістю до 512 Мбіт і більше. Це означає, що подібні мікросхеми містять 512 млн і навіть більше транзисторів. Адже Pentium IV має 55 млн транзисторів. Річ у тому, що в мікросхемі пам’яті всі транзистори і конденсатори розміщуються послідовно, зазвичай у вузлах квадратних грат, у вигляді дуже простих структур, що періодично повторюються, на відміну від процесора, що є складнішою схемою різних структур і не має чіткої організації.

Транзистор для кожного однорозрядного регістра DRAM використовується для читання стану суміжного конденсатора. Якщо конденсатор заряджений, у комірці записана 1; якщо заряду немає - записаний 0. Заряди в крихітних конденсаторах увесь час стікають, ось чому пам’ять повинна постійно регенеруватися. Навіть миттєве переривання подачі живлення або який-небудь збій в циклах регенерації приведе до втрати заряду у комірці DRAM, а отже, і до втрати даних.

Динамічна оперативна пам’ять використовується в персональних комп’ютерах; оскільки вона недорога, то мікросхеми можуть бути щільно упаковані, а це означає, що пристрій великої ємкості, що запам’ятовує, може займати невеликий простір. На жаль, пам’ять цього типу не відрізняється високою швидкодією, зазвичай вона набагато «повільніша» за процесор. Тому існує безліч різних типів організації DRAM, що дозволяють поліпшити цю характеристику.

4. Тестування модулів пам’яті

Memtest86+ - ефективний засіб для тестування модулів оперативної пам’яті комп’ютера, який дозволяє практично в 100% випадків визначити наявність проблем в їх роботі. Memtest86+ - ефективний засіб для тестування модулів оперативної пам’яті

Рис. 4. 1

Memtest86+ - ефективний засіб для тестування модулів оперативної пам’яті комп’ютера, який дозволяє практично в 100% випадків визначити наявність проблем в їх роботі. Якщо комп’ютер або ноутбук працює нестабільно, часто вилітає в так званий «синій екран смерті», модулі оперативної пам’яті слід перевірити в першу чергу, оскільки саме вони найчастіше стають причиною різноманітних проблем. Оперативну пам’ять рекомендується тестувати не лише при виникненні збоїв, але й відразу після придбання комп’ютера. Це дозволить виявити наявність проблеми на ранніх етапах і відразу ж поміняти пристрій з дефектом на інший по гарантії. Несумісність деяких програм, встановлених на одному комп’ютері, та невірні дії користувача по налаштуванню ПЗ, також можуть викликати проблеми зі стабільністю. Тому великим плюсом Memtest86+ є тестування комп’ютера без завантаження операційної системи, що виключає вплив на її роботу іншого програмного забезпечення. Як сканувати: У запропонованому для скачування нижче архіві знаходиться 2 варіанти Memtest86+: образ завантажувального CD і програма для створення завантажувальної флешки з Memtest86+. Для тестування оперативної пам’яті потрібно, використовуючи ці файли, створити завантажувальний компакт-диск або флешку і запустити комп’ютер з будь-якого з цих носіїв. Memtest86+ стартує одразу після запуску комп’ютера і тестує модулі ОЗУ до зупинки її роботи користувачем тобто, перевірка може тривати скільки завгодно. Для якісної перевірки Memtest86+ повинен сканувати пам’ять протягом декількох годин в залежності від її обсягу. Рекомендується провести не менше 3−4 проходів у вікні програми кількість проходів відображається в графі «pass». Знайдені помилки відображаються червоним кольором, тому факт їхнього виявлення зможе визначити будь-який користувач, навіть не володіючи англійською, іншої мови в програмі немає. Memtest86 може запускатися на комп’ютері з будь-якою операційною системою, оскільки, як уже було сказано, робота програми від неї не залежить. Але якщо на машині встановлена Windows Vista або Windows 7, тестування оперативної пам’яті можна здійснити штатними засобами операційної системи.

Для цього:

1. У меню Пуск поле пошуку ввести mdsched і натиснути Enter

2. У вікні, що відкриється, вибрати пункт «Виконати перезавантаження і перевірку».

3. Комп’ютер перезавантажиться. При старті системи тестування розпочнеться автоматично.

Все стосується модулів ОЗУ для звичайних класичних комп’ютерів. Якщо йдеться про ноутбуки, ситуація виглядає дещо інакше. Принципи роботи ОЗУ портативного комп’ютера, звичайно, такі ж, але є специфіка. По-перше, розміри модулів ОЗУ для ноутбуків інші. У них встановлюється оперативна пам’ять у форм-факторі SO-DIMM (англ. smalloutlinedual in-linememorymodule). У стаціонарному комп’ютері використовуються модулі формату Long-DIMM.

Тому пам’ять для ноутбуків і звичайних комп’ютерів — не взаємозамінні речі. У форм-факторі SO-DIMM є такі ж типи пам’яті DDR, DDRII, DDRIII, але підходять вони лише для ноутбуків і деяких інших пристроїв. По-друге, на відміну від стаціонарного комп’ютера, замінити або доставити додатковий модуль ОЗУ в ноутбук досить складно. Часто це пов’язано з необхідністю його розбирання з усіма витікаючими з цього ризиками в залежності від моделі.

Якщо на комп’ютері буде використовуватися 32-бітна операційна система, ставити на цю машину більше 4 ГБ оперативної пам’яті особливого сенсу немає, оскільки система буде «бачити» тільки 3 ГБ ОЗУ і ще близько 25% від того, що залишилося, тобто, якщо поставити 4 ГБ, буде використовуватися тільки 3,25 ГБ. Для використання ОЗУ більшого обсягу необхідна 64-бітна операційна система.

Більшість материнських плат підтримує двоканальний, іноді навіть трьох канальний режим роботи з оперативною пам’яттю, що забезпечує до неї більш швидкий доступ процесора. Але для цього необхідно, щоб в слотах обох каналів ОЗП роз'єми на материнській платі було встановлено однакову кількість модулів однакових об'ємів. Вкрай бажано, щоб частота шин і таймінги цих модулів також збігалися. Тобто замість 1 модуля пам’яті об'ємом 4 ГБ доцільніше придбати 2 модуля по 2ГБ по одному на кожен канал.

5. Охорона праці

Однією із характерних особливостей сучасного розвитку суспільства є зростання сфер діяльності людини, в яких використовуються інформаційні технології. Широке розповсюдження отримали персональні комп’ютери. Однак їх використання загострило проблеми збереження власного та суспільного здоров’я, вимагає удосконалення існуючих та розробки нових підходів до організації робочих місць, проведення профілактичних заходів для запобігання розвитку негативних наслідків впливу ПК на здоров’я користувачів.

Заходи з охорони праці користувачів ПК необхідно розглядати в трьох основних аспектах: соціальному, психологічному та медичному.

У соціальному плані розв’язання цих проблем пов’язане з оптимізацією — умов життя, праці, відпочинку, харчування, побуту, розвитком культури, транспорту.

Значне місце у профілактиці розладів здоров’я належить психології праці. Тому заходи, пов’язані з формуванням раціональних гягрббничих колективів, у яких відсутня психологічна несумісність, сприяють зменшенню нервово-психічного перенапруження, підвищенню працездатності та ефективності праці.

Особливої значущості у користувачів відеодисплейних терміналів набуває психоемоційний стрес, який більшою або меншою мірою проявляється у кожного з них.

5.1 Пожежна безпека

Приміщення з ЕОМ, крім приміщень, в яких розміщуються ЕОМ типу ЕС, СМ та інші великі ЕОМ загального призначення, повинні бути оснащені системою автоматичної пожежної сигналізації відповідно до вимог Переліку однотипних за призначенням об'єктів, які підлягають обладнанню автоматичними установками пожежогасіння та пожежної сигналізації, затвердженого наказом Міністерства внутрішніх справ України від 20. 11. 97 № 779 (z0567−97) і зареєстрованого в Міністерстві юстиції України 28. 11. 97 за № 567/2371, та СНиП 2. 04. 09−84 «Пожежна автоматика будівель» з димовими пожежними сповіщувачами та переносними вуглекислотними вогнегасниками з розрахунку 2 шт. на кожні 20 кв. м площі приміщення з урахуванням граничнодопустимих концентрацій вогнегасної рідини відповідно до вимог Правил пожежної безпеки в Україні (z0219−95). В інших приміщеннях допускається встановлювати теплові пожежні сповіщувачі. Приміщення, в яких розміщуються ЕОМ типу ЄС, СМ та інші великі ЕОМ загального призначення, обладнуються системою автоматичної пожежної сигналізації та засобами пожежогасіння відповідно до вимог Переліку однотипних за призначенням об'єктів, які підлягають обладнанню автоматичними установками пожежогасіння та пожежної сигналізації, СНиП 2. 04. 09−84, СН 512−78, Правил пожежної безпеки в Україні та вимог нормативно-технічної та експлуатаційної документації заводу-виробника. Підходи до засобів пожежогасіння повинні бути вільними.

5.2 Електробезпека

Працюючи з відкритим корпусом комп’ютера, ви повинні вжити заходи, що унеможливлюють електростатичний розряд через сигнальні ланцюги. Ваше тіло завжди заряджене до деякого потенціалу відносно ланцюгів комп’ютера, і цей потенціал може виявитися небезпечним для напівпровідникових компонентів. Перш ніж забратися всередину відкритого пристрою, торкніться ділянки його шасі, наприклад кришки блоку живлення. При цьому потенціали тіла і загального дроту комп’ютера зрівняються. Вважається, що заряд обов’язково повинен «стекти на землю». Не раджу працювати з відкритим комп’ютером при вставленому в розетку мережевому шнурі, оскільки ви цілком можете його включити в самий непідходящий час або просто забути вимкнути. Крім того, в даному випадку досить висока вірогідність попадання в комп’ютер вологи або маленьких предметів, що може викликати коротке замикання на електронній платі і привести до її ушкодження.

Звичайно, в цьому випадку електричний заряд не може «стекти» на дріт заземлення. Проте проблема полягає не в тому, чи є заряд на пристрої, а в тому, чи протікає струм розряду від одного тіла до іншого через чутливі ланцюги. Торкаючись шасі або будь-якої іншої сполученої з ним частини комп’ютера, як вже відзначалося, ви зрівнюєте потенціали свого тіла і загального дроту комп’ютера, тому між вами і схемою струм протікати не буде.

Складніший спосіб рівномірного розподілу потенціалів між вами і компонентами комп’ютера — це застосування розглянутого вище захисного електростатичного комплекту. У комплект входить браслет і килимок, забезпечений дротами для підключення до шасі. При роботі з комп’ютером підкладете килимок під системний блок. Після цього з'єднаєте його дротом з шасі і надіньте антистатичний браслет. Оскільки килимок і шасі вже сполучені, дріт від браслета можна підключити до будь-якого з цих предметів. Якщо у вас немає килимка, під'єднаєте дріт до шасі.У місцях підключення сполучних дротів шасі комп’ютера не повинно бути забарвлено, інакше електричного контакту не буде. Усі ці заходи спрямовані на те, щоб рівномірно розподілити електростатичні заряди між вашим тілом і вузлами комп’ютера і уникнути появи небезпечних струмів. Покладіть на антистатичний килимок вийняті з комп’ютера елементи: накопичувачі на жорстких і гнучких дисках, плати адаптерів і особливо крихкі компоненти — системну плату, модулі пам’яті і процесор. Не ставте системний блок так, щоб він займав увесь килимок (потім вам доведеться переставляти його, щоб звільнити місце для демонтованих вузлів).

Якщо ви хочете вийняти системну плату, спочатку потрібно звільните для неї місце на килимку. Якщо у вас немає килимка, розміщуйте вийняті схеми і пристрої прямо на столі. Плати адаптерів завжди тримайте за кріплення, яким вони кріпляться до корпусу. Ці кріплення сполучені із загальним дротом плати, і можливий електростатичний розряд не приведе до ушкодження компонентів адаптера. Якщо у плати немає металевого кріплення (як, наприклад, у системної плати), акуратно тримаєте її за краї і не торкайтеся встановлених на ній компонентів

5.3 Аналіз умов праці

Користувачі ЕОМ повинні слідкувати за тим, щоб відеотермінали, ЕОМ, периферійні пристрої ЕОМ та устаткування для обслуговування, ремонту та налагодження ЕОМ були справними і випробуваними відповідно до чинних нормативних документів.

Щоденно перед початком роботи необхідно проводити очищення екрану відеотерміналу від пилу та інших забруднень.

Після закінчення роботи відеотермінал та персональна ЕОМ повинні бути відключені від електричної мережі.

У разі виникнення аварійної ситуації необхідно негайно відключити відеотермінал та ЕОМ від електричної мережі.

Є неприпустимими такі дії:

— виконання обслуговування, ремонту та налагодження ЕОМ безпосередньо на робочому місці користувача ЕОМ;

— зберігання біля відеотермінала та ЕОМ паперу, дискет, інших носіїв інформації, запасних блоків, деталей тощо, якщо вони не використовуються для поточної роботи;

— відключення захисних пристроїв, самочинне проведення змін у конструкції та складі ЕОМ, устаткування або їх технічне налагодження;

— робота з відеотерміналами, в яких під час роботи з’являються нехарактерні сигнали, нестабільне зображення на екрані тощо;

— праця на матричному принтері зі знятою (трохи піднятою) верхньою кришкою

Висновок

Існує багато різних типів оперативної пам’яті (RAM — Random Access Memory), але за фізичними принципами роботи розрізняють динамічну пам’ять (DRAM) і статичну пам’ять (SRAM).

Комірку динамічної пам’яті (DRAM) можна подати як набір мікроконденсаторів, що можуть накопичувати заряд на своїх пластинах. Це найбільш розповсюджений і економічно доступний тип пам’яті. Недоліки цього типу пам’яті пов’язані, по-перше, з тим, що як заряджання, так і розряджання конденсаторів потребує певного часу, тобто записування даних відбувається порівняно повільно. Другий важливий недолік пов’язаний з тим, що заряди конденсаторів мають властивість розсіюватися в просторі, причому дуже швидко. Якщо оперативну пам’ять постійно не «дозаряджати», відбувається втрата даних. Для цього у комп’ютері здійснюється постійна регенерація (дозаряджання) комірок оперативної пам’яті. Регенерація здійснюється кілька десятків разів за секунду і викликає непродуктивну витрату ресурсів обчислювальної системи.

Комірку статичної пам’яті (SRAM) можна подати як набір електронних мікроелементів — тригерів, що складаються з кількох транзисторів. У тригері зберігається не заряд, а стан (ввімкнено/вимкнено), тому цей тип пам’яті забезпечує більш високу швидкодію, хоч технологічно вона складніша і відповідно дорожча.

Мікросхеми динамічної пам’яті використовують як основну оперативну пам’ять комп’ютера. Мікросхеми статичної пам’яті використовують як допоміжну пам’ять (так називану кеш-пам'ять), призначену для оптимізації роботи процесора.

Кожна комірка пам’яті має свою адресу (номер), що виражається числом. У сучасних процесорів адреси подаються за допомогою 32 двійкових розрядів, а це означає, що усього незалежних адрес може бути 232= 4 Гбайт.

Основними характеристиками модулів оперативної пам’яті є її обсяг і швидкість передавання даних. Швидкість передавання даних визначає максимальну пропускну здатність пам’яті (у Мбайт/с або Гбайт/с). При цьому враховується час доступу до пам’яті, ширина шини пропускання і додаткові можливості, такі як передавання кількох сигналів за один такт роботи. Час доступу до пам’яті вимірюється в мільярдних частках секунди (наносекундах, нc). Для сучасних модулів пам’яті це значення може складати 5 нc, а для особливо швидкої пам’яті - 2−3 нc.

Перелік інформаційних джерел

1. Калбертсон Роберт, Браун Крис, Кобб Гэри Быстрое тестирование. — М.: «Вильямс», 2002. — 374 с.

2. «Про затвердження Правил охорони праці під час експлуатації електронно-обчислювальних машин», що затверджені наказом Міністерства праці та соціальної політики України і комітетом по нагляду за охороною праці України № 21 від 10. 02. 99. та зареєстрованого в Міністерстві юстиції України 17 червня 1999 р. за № 382/3675.

ПоказатьСвернуть
Заполнить форму текущей работой