Поведение глубоких уровней в полупроводниках

Тип работы:
Курсовая
Предмет:
Физика
Страниц:
32

940 Купить готовую работу
Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Содержание

1.1. Полупроводники. Дефекты в полупроводниках.

2.2. Классификация полупроводников.

1.3. Полупроводниковые материалы.

Глава 1. Глубокие уровни в соединениях типа A3B5.

1.1. Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность.

1.2. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~ 2МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов.

1.3. Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN.

Глава 2. Глубокие уровни в соединениях типа A2B6.

2.1. Глубокие уровни, имеющие донорную природу. Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии.

2.2. Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов CdF2 с барьером Шоттки.

2.3. Глубокие акцепторные уровни. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов. Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe.

2.4. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb, vSnvTe под давлением.

Глава 3. Методы создания Глубоких уровней в пп.

3.1. Радиационное модифицирование и радиационное дефектообразование в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии.

Список литературы

Абдуллаев А.А., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7,796.

[2] Ashour H., F. El Akkad. Phys. Status Solidi A, 184 (1), 175 (2001).

[3] Брудный В. Н. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4, стр. 409.

[4] Гривулин В. И. др., Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 7, стр 806.

[5] Емцев К. В., XXXVI Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2006) Москва МГУ, http: //danp. sinp. msu. ru/pci2006/1_utro2. pdf

[6] Карпович И. А. и др., Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3, стр. 319.

[7] Кузнецов В. П. и др., Физика и техника полупроводников, 19, 735 (1985).

[8] Martin G.M., D. Bois. In: Semiconductor Characterization Techniques, ed. by P.A. Barnes, GA. Rozgonyi, PV 78−3, p. 32 (The Electrochemical Society, Inc., Princeton, NJ, 1978).

[9] Мир-Гасан Ю. Сеидов и др., Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7, стр. 1270.

[10] Мынбаев К. Д., В.И. Иванов-Омский, Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1, стр. 3.

[11] Одринский А. П., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6, стр. 660.

[12] Савицкий А. В. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7, стр. 788.

[13] Сизов Д. С. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2, стр. 264.

[14] Скипетров Е. П. и др., Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2, стр. 149.

[15] Туринов В. И., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9, стр. 1129.

[16] Тырышкин И. С. Основы полупроводниковой электроники, учебное пособие, 2004, Новосибирск.

[17] Hurter Ch., M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett, 32, 821 (1978).

[18] Шалимова К. В., Физика полупроводников, М.: Энергоатомиздат, 1985.

[19] Шейнкман М. К. и др., Н, Физика и техника полупроводников, 14, 438 (1980).

[20] Щеулин А. С. и др., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1, стр. 72.

Заполнить форму текущей работой