Моделирование релейных систем автоматического регулирования тока на Multisim при симметричной и диагональной коммутациях ключей мостовой схемы вентильного преобразователя

Тип работы:
Реферат
Предмет:
Электротехника


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

УДК 62−83: 621. 314. 632 ББК З291. 074: З852. 3
Г П. ОХОТКИН
МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕЛЕЙНЫХ СИСТЕМ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ТОКА НА MULTISIM ПРИ СИММЕТРИЧНОЙ И ДИАГОНАЛЬНОЙ КОММУТАЦИЯХ КЛЮЧЕЙ МОСТОВОЙ СХЕМЫ ВЕНТИЛЬНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
Ключевые слова: моделирование, релейная система автоматического регулирования (САР) тока, законы коммутации транзисторных ключей, вентильный преобразователь (ВП).
Проведен структурный синтез силовой схемы полупроводникового преобразователя электроэнергии, установлены основные принципы построения мостовой схемы ВП, схемы драйверов и датчика тока как с гальванической развязкой, так и без гальванической развязки цепей управления и силовой схемы преобразователя. Разработаны модели релейных САР тока при симметричной и диагональной коммутациях ключей мостовой схемы ВП на Multisim. Моделирование на Multisim подтверждает достоверность полученных в ходе структурного синтеза результатов.
G. OKHOTKIN
MULTISIM SIMULATION OF AUTOMATIC CURRENT CONTROL RELAY SYSTEMS WITH SYMMETRIC AND DIAGONAL SWITCHING OF VALVE INVERTER BRIDGE KEYS Key words: simulation, automatic current control relay system, transistor keys switching laws, valve inverter.
The paper presents a structural synthesis of a semiconductor converter power circuit, the basic principles of construction of the valve inverter bridge circuit, the drivers and the current sensor connection diagrams both with galvanic isolation and without isolation of control circuits and the power converter circuit. By means of Multisim, there were developed models of the automatic current control relay systems with symmetric and diagonal switching of the valve inverter bridge keys. Multisim simulation confirmed the validity of the structural synthesis results.
Релейное регулирование находит широкое применение в системах автоматического регулирования (САР) тока, используемых в качестве внутреннего контура регулирования в высокодинамичных регулируемых электроприводах (РЭП). Обеспечение предельного быстродействия РЭП является важной задачей при управлении подвижными высокоманевренными объектами.
Синтез на предельное быстродействие является сложной задачей, состоящей из нескольких этапов. В [1−9] разработана методика структурного синтеза релейных САР тока, состоящая из этапа разработки математической модели законов коммутации ключей мостовой схемы вентильного преобразователя (ВП) [1−3], структурного синтеза релейных регуляторов тока [4−6] и структурного синтеза логических устройств [7−9], формирующих импульсы управления транзисторами ВП.
После проведенного трехэтапного структурного синтеза САР тока появляется математическая модель, внешний вид которой имеет сходство с принципиальной электрической схемой и интуитивно понятен разработчику электронных схем. Существует множество пакетов программ для описания электронных схем. Единственным в мире интерактивным эмулятором схем является Multisim — программный комплекс для описания и тестирования схем за минимальное время. Представленные в Multisim схемы помогут разработчику спастись от ошибок синтаксического характера и сэкономят время при проектировании.
Для проверки достоверности полученных в ходе синтеза на третьем этапе результатов осуществляется моделирование релейных САР тока на МиШ-
Эти вопросы в доступной литературе освещены недостаточно полно, поэтому данная задача является актуальной.
Целью представленной работы являются разработка на Multisim моделей релейных САР тока при симметричной и диагональной коммутациях ключей мостовой схемы вентильного преобразователя и оценка достоверности полученных в ходе синтеза результатов.
Структурная схема релейной САР тока состоит из релейного регулятора тока (РРТ), логического устройства (ЛУ), вентильного преобразователя (ВП), якорной цепи двигателя постоянного тока (ДПТ) и датчика тока (ДТ). В ходе структурного синтеза в [1−9] получены математические модели законов коммутации ключей ВП, статические характеристики релейных регуляторов тока и схемы логических устройств. Для моделирования релейной САР тока на МиШ8т требуется также выполнить структурный синтез силовой схемы полупроводникового преобразователя электроэнергии (ППЭ), состоящей из схемы вентильного преобразователя, якорной цепи ДПТ и датчика тока.
Однофазная мостовая схема вентильного преобразователя, выполненная на четырех транзисторах УТ1-УТ4, шунтированных обратными диодами У01-У04, состоит из двух стоек (рис. 1). Первая стойка образована схемой, последовательно соединенных транзисторов УТ1 и УТ3 по отношению к источнику питания ивх, а вторая — транзисторами УТ2 и УТ4. Питание мостовой схемы ВП осуществляется от источника постоянного напряжения ивх. В диагональ моста, образованного транзисторными ключами, включен якорь двигателя постоянного тока.
Модель схемы ВП будет реализована на виртуальных полупроводниковых приборах, представленных идеальными ключами, соединенных в мостовую схему. При подаче на входы виртуальных транзисторов сигналов единичного уровня (ибэ = 1) происходит их отпирание, а при ибэ = 0 — запирание. Управляющие импульсы подаются на базы транзисторов относительно эмиттеров. В мостовой схеме ВП эмиттеры транзисторов имеют разные потенциалы, а импульсы управления, формируемые в схеме управления, привязаны к общей точке схемы управления. Поэтому для согласования потенциалов эмиттеров транзисторов моста с общей точкой схемы управления САР тока требуется специальная схема управления транзисторными ключами, так называемая схема драйверов.
Якорная цепь ДПТ в модели силовой схемы ППЭ может быть представлена инерционным звеном (Ья — Яя — активно-индуктивной нагрузкой) с про-тиво-ЭДС Ея.
Датчик тока, преобразующий информацию о токе якоря iя ДПТ в сигнал обратной связи иот, необходим для формирования замкнутого контура регулирования тока. Следовательно, сигнал иот формируется относительно общей точки системы управления САР тока. Для формирования напряжения, пропорционального току якоря, можно в якорную цепь двигателя включить шунт. При этом для согласования потенциалов шунта и схемы управления должна быть предусмотрена гальваническая развязка цепей управления и якоря ДПТ. Для увеличения чувствительности датчика тока и сглаживания высокочастотных помех, связанных с работой транзисторных ключей моста, сигнал, снимаемый с шунта, усиливается и фильтруется. Датчики тока с галь-
ванической развязкой могут быть выполнены также на основе элементов Холла и высокочастотных трансформаторов постоянного тока.
Схемы САР тока могут быть выполнены как с гальванической развязкой, так и без гальванической развязки цепей управления и силовой схемы ППЭ. При небольших мощностях находят широкое применение схемы САР тока без гальванической развязки цепей управления и силовой схемы ППЭ. При этом датчики тока могут быть выполнены как с гальванической развязкой, так и без гальванической развязки. Гальванически развязанный датчик тока требуется, например, при диагональной коммутации с поочередным переключением ключей ВП.
В маломощных системах схема ВП может быть построена на транзисторах как прямой (р-п-р), так и обратной (п-р-п) проводимостей. Схема драйвера значительно упрощается, когда верхние транзисторы моста УТ1 и УТ2 (рис. 1, а) типа р-п-р, а нижние транзисторы УТ3 и УТ4 — типа п-р-п и зажим «минус» источника питания ивх является общей точкой как силовой схемы ППЭ, так и схемы управления. Для управления верхними транзисторами моста относительно общей точки в схему управления введены транзисторы обратной проводимости УТ11 и УТ22 с номинальным напряжением коллектор-эмиттер, равным напряжению питания моста ВП, икэ = ивх. При этом отпирание верхних транзисторов моста УТ1 и УТ2 осуществляется от источника питания ивх. Для отпирания нижних транзисторов моста УТ3 и УТ4 используется источник питания системы управления САР тока.
Для формирования сигнала обратной связи, пропорционального току якоря '-я ДПТ, шунты Лш1 и Яш2 включены в стойки моста. При этом на шунтах формируются сигналы иш1 и иш2 на различных интервалах времени, соответствующих различным режимам работы ВП:
иш1 = Дп1'-я1, иш2 = ^ш2'-я2, (1)
где Лш1 и Лш2 — сопротивления первого и второго шунтов- /я1 и /я2 — токи нагрузки ВП, протекающие через шунты в различных режимах работы ВП.
В зависимости от режима работы ВП ток якоря на рассматриваемом интервале времени может протекать либо через один шунт, либо одновременно через два шунта. Ток якоря протекает только через один шунт в рассматриваемом интервале времени при симметричном законе коммутации ключей ВП, т. е. когда транзисторные ключи, находящиеся в различных диагоналях, переключаются в противофазе. При этом возникают следующие режимы работы ВП: режим два «Вперед» (Р2В) при открытых двух транзисторах УТ1 и УТ4- режим ноль «Вперед» (Р0ДВ) при открытых диодах УБ2 и УБ3- режим два «Назад» (Р2Н) при открытых УТ2 и УТ3- режим ноль «Назад» (Р0ДН) при открытых диодах У01 и У04. В режимах Р2 В и Р0ДН ток якоря протекает через шунт Лш2, а в режимах Р2Н и Р0ДВ — через шунт Лш1. Учитывая это и полярности сигналов на шунтах, сигнал, пропорциональный току нагрузки ВП, формируется в виде:
идт = Ку (КАиш2 Квиш) = Кдт
0'-я2 — '-я1), (2)
где Ку, КА, КВ — коэффициенты усиления сумматора и каналов, А и В- Кдт = КуКЯш — коэффициент усиления датчика тока при равенстве коэффициентов усиления каналов, А и В (К = КА = КВ) и сопротивлений шунтов (Лш = Лш1 =
= Лш2) — /я и /я2 — токи якоря ДПТ, протекающие через первый и второй шунты. Соотношение (2) в схеме (рис. 2, а) реализовано на аналоговом сумматоре А.
в
Рис. 1. Силовые схемы ППЭ
а
б
Сигнал идт, сформированный аналоговым сумматором A, может содержать как провалы, так и узкие выбросы напряжения идт, возникающие в моменты переключения ключей ВП, т. е. в моменты возникновения сигналов иш1 и иш2 на входах A и B сумматора A. Для устранения высокочастотных помех к выходу сумматора A подключается RC-фильтр.
При диагональной коммутации ключей с переключением верхних транзисторов моста ток якоря в некоторых режимах работы ВП протекает одновременно через два шунта Лш1 и Лш2. Это режимы один «Вперед» (Р1В) и один «Назад» (Р1Н), возникающие, соответственно, для направления вращения ДПТ «Вперед» при открытых транзисторе VT4 и диоде VD3 и для направления вра-
щения «Назад» при открытых VT3 и диоде VD4. В остальных режимах работы ВП: Р2 В, Р0ДВ, Р2Н, Р0ДН ток якоря ДПТ протекает только через один шунт, либо через шунт Яш1, либо через шунт Лш2. В этом случае при формировании сигнала обратной связи иот требуется организовать определенный выбор сигналов с шунтов, заключающийся в блокировании одного из одновременно возникающих сигналов иш1 или иш2 на входе сумматора A с помощью ключей.
Для выбора одного из сигналов иш1 или иш2 в схеме (рис. 2, б) используются резистивный делитель R1-R4, ключи VT1 и VT2 и схема управления ключами. Схема управления ключами VT1 и VT2 определяется принятым алгоритмом выбора сигналов с шунтов. Так, например, если в режимах Р2 В, Р1 В и Р0ДН для формирования сигнала обратной связи иот используется сигнал со второго шунта иш2, а в режимах Р2Н, Р1Н и Р0ДВ — с первого шунта иш1, то схема управления ключами VT1 и VT2 может быть синтезирована в виде, представленной на рис. 2, б. Отпуская подробности синтеза схемы управления ключами, представим логические выражения, описывающие алгоритм работы схемы в виде
б
Рис. 2. Схемы датчиков тока: а — при симметричной коммутации ключей ВП- б — при диагональной коммутации с переключением одного ключа ВП
UvT 1 = (U бэ3 A U рэ4) v (U бэ4 Л U рэ4),
Uvt2 = (Uбэ3 Л Uрэ4) v (Uбэ4 Л Uрэ4).
(3)
Выражения (3) реализованы на схеме (рис. 2, б) с помощью двух инверторов (INVl, INV2), четырех двухвходовых элементов «И» (ANDY- AND4) и двух двухвходовых элементов «ИЛИ» (ORI, OR2).
В качестве общей точки схемы (рис. 1, а) можно принять также зажим «плюс» источника питания моста ивх. В этом случае шунты Rm1 и Rm2 включаются последовательно с верхними транзисторами моста VT1 и VT2. Для управления нижними транзисторами моста VT3 и VT4 относительно общей точки используются драйверы на транзисторах VT11 и VT22. Однако здесь схема подключения транзисторов VT11 и VT22 претерпевает небольшие изменения: коллекторы транзисторов подключаются к общей точке, а эмиттеры — к базам нижних транзисторов моста.
Ограничение мощности ВП (рис. 1, а) связано с отсутствием мощных транзисторов типа p-n-p. Мощные В П строятся с использованием транзисторов обратной (n-p-n) проводимости. Схема В П без гальванической развязки цепей управления и силовой схемы ППЭ представлена на рис. 1, б. Для
управления верхними транзисторами моста УТ1 и УТ2 используются драйверы, выполненные на оптотранзисторах УТ11 и УТ22 и дополнительные источники питания и1 и и2 для формирования отпирающих импульсов ибэ = 1. Разрыв базовой цепи верхних транзисторов моста от источников и1 и и2 обеспечивает их пассивное запирание. В реальной схеме ВП используются двуполярные источники питания для активного отпирания и запирания верхних транзисторов моста. Драйверы верхних транзисторов моста также могут быть выполнены с трансформаторной развязкой. Конкретные схемные решения драйверов в литературе приводятся достаточно широко.
На рис. 1, в приведена схема ВП с гальванической развязкой цепей управления и силовой схемы ППЭ. Схема выполнена на четырех драйверах, содержащих четыре оптотранзистора УТ11-УТ44, трех дополнительных источниках питания Ш-Ц3 и датчике тока (ДТ) с гальванической развязкой, включенного в якорную цепь ДПТ. Объединение эмиттеров нижних транзисторов моста УТ3 и УТ4 позволяет управлять ими от одного источника питания из. Это уменьшает число гальванически изолированных источников питания, используемых драйверами для управления транзисторами моста.
Таким образом, в ходе структурного синтеза силовой схемы ППЭ установлены основные принципы построения мостовой схемы ВП на биполярных транзисторах, схемы драйверов и датчика тока как с гальванической развязкой, так и без гальванической развязки цепей управления и силовой схемы преобразователя. Мостовая схема ВП может быть построена также на мощных полевых и ЮБТ транзисторах. В этом случае принципы построения силовой схемы ППЭ не отличаются от вышеописанных, основные отличия касаются схемотехники драйверов. В литературе эти вопросы рассмотрены достаточно полно.
В [5, 6] синтезированы статические характеристики релейных элементов РЭ1 и РЭ2, образующих релейный регулятор тока при симметричной коммутации ключей ВП. Релейные характеристики в [10] реализованы на идеальных компараторах РЭ1 и РЭ2 (рис. 3, а). Сдвиг релейных характеристик по оси ивх в разные стороны от начала координат осуществляется напряжениями смещения исм1 и исм2, включенными на инверсные входы компараторов с разной полярностью. В результате этого релейная характеристика РЭ1 сдвинута влево, а релейная характеристика РЭ2 — вправо относительно начала координат. Поэтому релейный элемент РЭ1 служит для включения транзисторов УТ2 и УТ3 и выключения УТ1 и УТ4, а РЭ2 наоборот — для включения транзисторов УТ1 и УТ4 и выключения УТ2 и УТ3.
В работе [7] произведен синтез логического устройства и распределителя импульсов САР тока. Логическое устройство, формирующее импульсы управления транзисторами при симметричном законе коммутации ключей моста ВП, состоит из ДО-триггера и аналогового инвертора 1КУ (рис. 3, а). Распределение импульсов управления транзисторами моста осуществляется распределителем, выполненным на элементах «И» Л^^1-ЛАЮ4. Для формирования режима ноль ВП в схеме используется сигнал «0», формируемый кнопкой «Пуск». Схема логического устройства и распределителя импульсов САР тока содержит минимальное количество электронных компонентов.
На первый вход сумматора Л1 подается сигнал задания тока изт, а на второй вход — сигнал обратной связи иот. Для формирования сигнала задания тока изт и контроля параметров к схеме подключены функциональный гене-
ратор ХЕ01 и двухканальный осциллограф XSC1. Схема модели САР тока (рис. 3, а), выполненная на виртуальных элементах, обладающих идеальными свойствами, имеет сходство с принципиальной схемой САР тока и позволяет осуществить эмуляцию процессов, протекающих в ней.
б
Рис. 3. Модели релейных САР тока: а — при симметричной коммутации ключей ВП- б — при диагональной коммутации с переключением одного ключа ВП
В работах [4, 6, 8, 9] разработана методика структурного синтеза релейного регулятора тока и логического устройства при диагональном законе коммутации ключей ВП с переключением верхних транзисторов мостовой схемы, а в [11] разработана модель релейной системы автоматического регулирования тока на МиШ8т, которая представлена на рис. 3, б. Модель релейной САР тока включает в себя: аналоговый сумматор Л1- релейный регулятор тока (РРТ), выполненный на релейных элементах РЭ1-РЭ3- логическое уст-
ройство (ЛУ), состоящее из аналоговых инверторов INV1-INV3 и RS-триггеров RS1 и RS2- распределитель импульсов (РИ), выполненный на элементах «И» AND1-AND4- драйверы — на транзисторах VT11 и VT22- вентильный преобразователь (ВП), выполненный на четырех транзисторах VT1-VT4 с обратными диодами VD1-VD4- активно-индуктивную нагрузку Ья — Rя и датчик тока (ДТ), состоящий из шунтов Rm1 и Rm2, резистивных делителей R1 — R4, транзисторных ключей VT5 и VT6, аналогового сумматора A2, R — C -фильтра, элементов «И» AND5 -AND 10, аналоговых инверторов INV4 и INV5 и элементов «ИЛИ» OR1 и OR2.
Статические характеристики РЭ2 и РЭ3 сдвинуты, соответственно, влево и вправо относительно начала координат напряжениями смещения исм1 и исм2. В результате этого релейный элемент РЭ2 формирует верхний порог для выключения транзисторов, работающей диагонали моста, а релейный элемент РЭ3 — для включения верхнего транзистора моста. Релейный элемент РЭ1 предназначен для выключения верхних транзисторов моста, а РЭ4 задает направление тока нагрузки.
На рис. 4 представлены временные диаграммы работы моделей САР тока при подаче на входы синусоидального сигнала задания тока изт = 6 В с частотой f = 100 Гц. На первой диаграмме (рис. 4, а) показан процесс отслеживания выходным сигналом иот САР тока за сигналом задания изт при симметричном законе коммутации ключей ВП, а на рис. 4, б — при диагональном законе коммутации ключей ВП с переключением верхних транзисторов мостовой схемы.
а
б
Рис. 4. Временные диаграммы работы моделей САР тока: а — при симметричной коммутации ключей ВП- б — при диагональной коммутации с переключением одного ключа ВП
Временные диаграммы работы САР тока (рис. 4) подтверждают достоверность полученных в ходе структурного синтеза результатов. Кроме того, модели САР тока сокращают материальные и временные затраты при проектировании САР тока и регулируемых электроприводов.
Литература
1. Охоткин Г. П., Романова Е. С. Анализ законов коммутации ключей мостовой схемы импульсного преобразователя // Вестник Чувашского университета. 2012. № 3. С. 142−149.
2. Охоткин Г. П., Романова Е. С. Разработка математической модели симметричного закона коммутации ключей мостовой схемы вентильного преобразователя // Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем: материалы X Всерос. науч. -техн. конф. Чебоксары: Изд-во Чуваш. ун-та, 2013. С. 180−186.
3. Охоткин Г. П., Романова Е. С. Разработка математической модели диагонального закона коммутации ключей с переключением верхнего транзистора мостовой схемы преобразователя // Информационные технологии в электротехнике и электроэнергетике: материалы IX Всерос. науч. -техн. конф. Чебоксары: Изд-во Чуваш. ун-та, 2014. С. 77−86.
4. Охоткин Г. П. Способ регулирования тока якоря с высокими динамическими показателями // Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем: материалы IX Всерос. науч. -техн. конф. Чебоксары: Изд-во Чуваш. ун-та, 2011. С. 129−136.
5. Охоткин Г. П., Романова Е. С. Синтез релейных регуляторов САР тока с симметричным законом коммутации ключей мостового преобразователя // Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем: материалы X Всерос. науч. -техн. конф. Чебоксары: Изд-во Чуваш. ун-та, 2013. С. 187−194.
6. Охоткин Г. П. Разработка методики синтеза релейных регуляторов САР тока при симметричной и диагональной коммутациях транзисторов ВП // Вестник Чувашского университета. 2014. № 2. С. 66−74.
7. Охоткин Г. П., Романова Е. С. Синтез логического устройства и распределителя импульсов САР тока // Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем: материалы X Всерос. науч. -техн. конф. Чебоксары: Изд-во Чуваш. ун-та, 2013. С. 194−203.
8. Охоткин Г. П., Романова Е. С. Синтез логического устройства вентильных преобразователей // Информационные технологии в электротехнике и электроэнергетике: материалы IX Всерос. науч. -техн. конф. Чебоксары: Изд-во Чуваш. ун-та, 2014. С. 92−95.
9. Охоткин Г. П. Разработка методики синтеза дискретного логического управляющего устройства САР тока // Вестник Чувашского университета. 2014. № 2. С. 74−83.
10. Охоткин Г. П. Разработка на MULTISIM модели системы автоматического регулирования тока с релейным регулятором тока при симметричном законе коммутации ключей вентильного преобразователя // Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем: материалы XI Всерос. науч. -техн. конф. Чебоксары: Изд-во Чуваш. ун-та, 2015. С. 119−125.
11. Охоткин Г. П. Модель релейной системы автоматического регулирования тока на MULTISIM при диагональном законе коммутации ключей с переключением верхних транзисторов мостовой схемы вентильного преобразователя // Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем: материалы XI Всерос. науч. -техн. конф. Чебоксары: Изд-во Чуваш. ун-та, 2015. С. 125−129.
References
1. Okhotkin G.P., Romanova E.S. Analiz zakonov kommutatsii klyuchei mostovoi skhemy im-pul'-snogo preobrazovatelya [Analysis of switching laws for pulse converter bridge keys]. Vestnik Chuvashskogo universiteta, 2012, no. 3, pp. 142−149.
2. Okhotkin G.P., Romanova E.S. Razrabotka matematicheskoi modeli simmetrichnogo zakona kommutatsii klyuchei mostovoi skhemy ventil'-nogo preobrazovatelya [Developing a mathematical model of symmetric switching law for valve inverter bridge keys.]. Dinamika nelineinykh diskretnykh elektrotekhnicheskikh i elektronnykh sistem: materialy X Vseros. nauch. -tekhn. konf. [Proc. of 10th Rus. Sci. Conf. «Dynamics of non-linear discrete electric and electronic systems"]. Cheboksary, Chuvash University Publ., 2013, pp. 180−186.
3. Okhotkin G.P., Romanova E.S. Razrabotka matematicheskoi modeli diagonal'-nogo zakona kommutatsii klyuchei s pereklyucheniem verkhnego tranzistora mostovoi skhemy preobrazovatelya [Developing a mathematical model of diagonal switching law for keys with the inverter bridge upper transistors switched]. Informatsionnye tekhnologii v elektrotekhnike i elektroenergetike: materialy IX Vseros. nauch. -tekhn. konf. [Proc. of 9th Rus. Sci. Conf. «Information technology in electric and electric power engineering"]. Cheboksary, Chuvash University Publ., 2014, pp. 77−86.
4. Okhotkin G.P. Sposob regulirovaniya toka yakorya s vysokimi dinamicheskimi pokazate-lyami [Method of controlling current in high dynamics armature]. Dinamika nelineinykh diskretnykh elektrotekhnicheskikh i elektronnykh sistem: materialy IX Vseros. nauch. -tekhn. konf. [Proc. of 9th Rus. Sci. Conf. «Dynamics of non-linear discrete electric and electronic systems"]. Cheboksary, Chuvash University Publ., 2011, pp. 129−136.
5. Okhotkin G.P., Romanova E.S. Sintez releinykh regulyatorov SAR toka s simmetrichnym za-konom kommutatsii klyuchei mostovogo preobrazovatelya [Synthesis of automatic current control system relay regulators with symmetric switching of valve inverter bridge keys]. Dinamika nelineinykh diskretnykh elektrotekhnicheskikh i elektronnykh sistem: materialy X Vseros. nauch. -tekhn. konf. [Proc. of 10th Rus. Sci. Conf. «Dynamics of non-linear discrete electric and electronic systems"]. Cheboksary, Chuvash University Publ., 2013, pp. 187−194.
6. Okhotkin G.P. Razrabotka metodiki sinteza releinykh regulyatorov SAR tokapri simmetrich-noi i diagonal'-noi kommutatsiyakh tranzistorov VP [Developing techniques for synthesizing relay regulators of automatic current control system with symmetric and diagonal switching of valve inverter transistors]. Vestnik Chuvashskogo universiteta, 2014, no. 2, pp. 66−74.
7. Okhotkin G.P., Romanova E.S. Sintez logicheskogo ustroistva i raspredelitelya impul'-sov SAR toka [Synthesis of logic unit and pulse distributor of automatic current control systems]. Dinamika nelineinykh diskretnykh elektrotekhnicheskikh i elektronnykh sistem: materialy X Vseros. nauch. -tekhn. konf. [Proc. of 10th Rus. Sci. Conf. «Dynamics of non-linear discrete electric and electronic systems"]. Cheboksary, Chuvash University Publ., 2013, pp. 194−203.
8. Okhotkin G.P., Romanova E.S. Sintez logicheskogo ustroistva ventil'-nykh preobrazovatelei [Synthesis of valve inverter logic unit]. Informatsionnye tekhnologii v elektrotekhnike i elektro-energetike: materialy IX Vseros. nauch. -tekhn. konf. [Proc. of 9th Rus. Sci. Conf. «Information technology in electric and electric power engineering"]. Cheboksary, Chuvash University Publ., 2014, pp. 92−95.
9. Okhotkin G.P. Razrabotka metodiki sinteza diskretnogo logicheskogo upravlyayushchego ustroistva SAR toka [Developing synthesis technics for discrete logic control unit of automatic current control system]. Vestnik Chuvashskogo universiteta, 2014, no. 2, pp. 74−83.
10. Okhotkin G.P. Razrabotka na MULTISIM modeli sistemy avtomaticheskogo regulirovaniya toka s releinym regulyatorom toka pri simmetrichnom zakone kommutatsii klyuchei ventil'-nogo preobrazovatelya [Multisim simulation of automatic current control system model with relay current regulator with symmetric switching of valve inverter bridge keys]. Dinamika nelineinykh diskretnykh elektrotekhnicheskikh i elektronnykh sistem: materialy XI Vseros. nauch. -tekhn. konf. [Proc. of 11th Rus. Sci. Conf. «Dynamics of non-linear discrete electric and electronic systems"]. Cheboksary, Chuvash University Publ., 2015, pp. 119−125.
11. Okhotkin G.P. Model'- releinoi sistemy avtomaticheskogo regulirovaniya toka na MULTI-SIM pri diagonal'-nom zakone kommutatsii klyuchei s pereklyucheniem verkhnikh tranzistorov mosto-voi skhemy ventil'-nogo preobrazovatelya [Multisim simulation of automatic current control system model with diagonal switching of keys with the valve inverter bridge upper transistors switched]. Dinamika nelineinykh diskretnykh elektrotekhnicheskikh i elektronnykh sistem: materialy XI Vseros. nauch. -tekhn. konf. [Proc. of 11th Rus. Sci. Conf. «Dynamics of non-linear discrete electric and electronic systems"]. Cheboksary, Chuvash University Publ., 2015, pp. 125−129.
ОХОТКИН ГРИГОРИЙ ПЕТРОВИЧ. См. с. 93.

ПоказатьСвернуть
Заполнить форму текущей работой