Интеллектуальные датчики давления

Тип работы:
Реферат
Предмет:
Общие и комплексные проблемы естественных и точных наук


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Интеллектуальные
датчики давления
Оксана СМИРНОВА Юрий ТРОИЦКИЙ
troicky@keytown. com
В настоящее время в литературе большое внимание уделено использованию микроконверторов широко распространенного семейства ADuC8xx в системах сбора информации с температурных датчиков. Естественно, что уникальные возможности этих приборов позволяют кардинальным образом улучшить метрологические характеристики электронных модулей, предназначенных для обработки сигналов и с других типов датчиков. В предлагаемой статье оцениваются возможности повышения точности измерения давления, силы, деформации за счет создания интеллектуальных датчиков на базе микроконверторов.
Сегодня широкое распространение получили интегрированные системы сбора информации, содержащие на одном кристалле прецизионные аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи и многофункциональный микроконтроллер, обеспечивающий возможность первичной обработки полученной информации и ее передачи по стандартным или специальным интерфейсам промышленной сети. Наибольшую известность среди таких систем получили прецизионные системы сбора данных (микроконверторы) семейства ADuC8xx фирмы Analog Devices и семейства MSC12xx фирмы Texas Instruments. Микросхемы этих серий включают в себя (рис. 1) один или два 16- или 24-разрядных аналого-цифровых преобразователя с сигма-дельта модуляцией, цифро-аналоговые преобразователи, а также встроенный микроконтроллер с ядром МС51 и расширенной периферией, обеспечивающей широкие возможности организации различных способов обмена с внешними устройствами.
АЦП с сигма-дельта модуляцией обладают большой разрешающей способностью и линейностью во всем диапазоне измерений, что позволяет обрабатывать сигналы низкого уровня с первичных датчиков без предварительного усиления прецизионными усилителями. Встроенный микроконтроллер с ядром МС51 (52) позволяет осуществлять коррекцию всех погрешностей датчиков программными методами. Поэтому в дальнейшем под термином «интеллектуальный датчик» мы будем понимать модуль, включающий в себя соответствующий датчик и микроконвертор. Такое понятие используется и в материалах фирмы Analog Device [1]. Безусловно, многие фирмы оснащают свои датчики «интеллектом», но при этом, как правило, решаются те или иные частные задачи повышения точности тех или иных конкретных преобразователей. Естественно, что структура микросхем ADuC8xx и MSC12xx позволяет строить интеллектуальные датчики для различных физических параметров, которые при
AIN 1 & lt-AIN 2& lt-г-
AIN (п-
(п-1) & lt-_ AIN п& lt--
МС51
MUX
PGA
ADC1 і-
---- ТО Sensor j~≅ uac -------
ADC2
DAC
CPU
CSEG (64K)
EEPROM (4K)
4 Ports
DSEG (2304 byte)
U _ _ -L
3 Timers
Uart, SPI, PC
SPI l2C
Рис. 1
сохранении общей структуры будут отличаться, прежде всего, способом подключения первичных преобразователей и, соответственно, программным обеспечением.
Рассмотрим особенности построения интеллектуальных датчиков давления на базе микроконверторов ЛБиС8хх (структура М8С12хх такая же) и первичных преобразователей давления — тензорезисторов.
Тензорезисторы чаще всего включаются в схему неравновесного моста (моста Уитстона), с измерительной диагонали которого снимается напряжение, пропорциональное приращению сопротивления ЛЯ. Мостовая схема легко реализует все возможные конфигурации включения датчиков — четверть-мост (с тензодачиком в одном из плеч), полумост (с датчиками в двух плечах) и полный мост (с датчиками во всех четырех плечах).
В настоящее время четвертьмостовые и по-лумостовые схемы используются при измерении деформации конструктивных элементов при использовании наклеиваемых металлических (проволочных, фольговых или пленочных) тензорезисторов.
При возбуждении четверть-моста и полумоста источником напряжения зависимость величины напряжения и0, снимаемого с измерительной диагонали, от приращения сопротивления тензорезистора ЛЯ имеет нелинейный характер:
и"
Чв
4
и"
ДR
U = -Л-U° 2
R + M 2
ДR
R +
AR
для четверть-моста,
для полумоста.
Линеаризацию четвертьмостового и полу-мостового датчиков можно произвести
для полумоста (рис. 1б),
тт UBxRc
где иг = -5 д-
с 2 R+Rr
ние напряжения, снимаемого с выхода операционного усилителя.
Для металлических тензорезисторов SRmax я 1%, следовательно при UB = 5 В, в соответствии с (1) IU0maxl = 25 мВ.
Высокая разрешающая способность АЦП микроконвертора и высокая линейность (±15 ppm) преобразователя позволяют обрабатывать сигналы такого уровня без дополнительного усиления.
Независимость результатов преобразования АЦП от нестабильности напряжения питания UB достигается тем, что опорное напряжение АЦП Urf снимается с одного из плеч моста:
v"-^. (3)
2R + R
путем балансировки моста, входы которого подключены к измерительной диагонали, а один из чувствительных элементов (Я + ЛЯ) включен в цепь обратной связи операционного усилителя (рис. 2) [1].
Для схем рис. 2 справедливы зависимости:
и0 = -ив- = -ив- -
0 В2Я в 2
для четверть-моста (рис. 1а), (1)
до
и0 = -ив — = -ив8Я —
К
Действительно, в результате аналого-цифрового преобразования напряжения ио получим следующую зависимость:
(4)
AR =
2 NxR2
8R =
(2R+Rc)xNnax
2 NrxR (2 R + R c) x ,
(5)
(6)
(2)
где SR = AR/R — относительное приращение сопротивления тензорезистора.
Рассмотрим работу этих схем при подключении их к микроконвертору ADuC8x (рис. 3).
В связи с тем, что, начиная с +30 мВ, АЦП микроконвертора преобразовывает только положительные напряжения, в схему включают резистор Rc, с помощью которого создается синфазный сдвиг напряжения Uc, подаваемого на входы AIN+ и AIN-. При этом должно выполняться условие
Uc * IU0maxI +30 мВ
Nmax рассчитывают из условия:
Nm
= yx2n,
(7)
В соответствии с выражением (6) и с учетом влияния шумов разрешающую способность измерительной схемы рис. 2 можно определить как
8R =________Ш__________
(2R+Rc)x2л~n'-& quot-
или, учитывая, что обычно Я& lt-<- Яс:
1
6 8R"
Для 24-разрядного АЦП при пш я 0,4, что значительно превышает требования, предъявляемые к подобным устройствам.
Другим способом линеаризации полумос-товых схем является запитывание их источником тока. Для четвертьмостовых схем нелинейность при этом сохраняется. Зависимость напряжения разбаланса от ЛЯ в них определяется выражением
и0 =
IBxRxAR
: aF
или, учитывая зависимости (1), (2), получим:
U =-^ 4х
Ах LxRxbR
/
іЗ
V 4 У
(8)
(9)
где 8Я = ЛЯ/Я — относительное приращение сопротивления тензорезистора.
Связь между приложенным давлением и относительным приращением давления определяется выражением
где N — код на выходе АЦП,тах — максимальное значение кода, соответствующее верхнему пределу преобразования, ЛЯ = ЛЯ/Я — относительное приращение сопротивления тензорезистора.
R L
(10)
где у = 2,5/2,56, п — разрядность АЦП (п = 16 или 24 в зависимости от типа используемого микроконвертора).
Коэффициент у учитывает то, что опорное напряжение АЦП соответствует не пределу измерения 2,56 В (ите), а лишь некоторой его части 2,5 В (ухит^-).
Таким образом, результат преобразования не зависит от стабильности напряжения ив, но существенно зависит от стабильности сопротивления плеч моста, которая должна обеспечиваться в любом случае (выражения (1), (2) справедливы при равенстве всех плеч моста).
При определении разрешающей способности преобразователя следует учитывать, что из-за влияния шумов используются не все п разрядов преобразователя. Количество неиспользуемых разрядов пш лежит в пределах от 3 до 6 в зависимости от выбранного поддиапазона и полосы пропускания (скорости потока) цифрового фильтра АЦП микроконвертора.
где GF характеризует тензочувствительность (значение 2,0−4,5 для металлов и более 150 — для полупроводников), безразмерная величина AL/L является мерой силы, приложенной к тензорезистору, и выражается в мик-рострейнах (1це = 10−6 см/см).
В качестве источника тока в схеме интеллектуального модуля (рис. 4) использован преобразователь напряжения в ток, построенный на операционном усилителе DA1.
а IU0maxI — максимально возможное значе
или
или
Таблица 1. Типовые параметры металлических тензорезисторов
Наименование параметра Ед. измер. Значение
Номинальное электрическое сопротивление Ом 400,600, 700
Отклонения электрического сопротивления от номинального, не более % ±0,5
Коэффициент тензочувствительности ЭР 2±10%
Температурный коэффициент тензочувствительности 1/ & quot-С от 120×10−6 до 0,02
Температурный коэффициент сопротивления 1/°С 15×10−6
Диапазон температур окружающей среды & quot-С −70… +200
Диапазон измеряемых деформаций млн-1 (^е) ±5000
Ток возбуждения мостовой схемы, снимаемый с выхода операционного усилителя, составляет
Л
Rn
В
(11)
Для металлических датчиков значение тока 1 В в соответствии с таблицей 1 лежит в пределах 20 мА. Однако для некоторых типов датчиков это значение может существенно изменяться. Поэтому в предложенной схеме предусмотрена программная установка величины этого тока путем изменения уровня напряжения ив на выходе цифро-аналогового преобразователя, входящего в состав микроконвертора.
Независимость погрешности измерения давления от нестабильности источника тока можно получить путем формирования опорного напряжения АЦП, пропорционального величине 1в:
тef~
: IBод.
(12)
Преобразовав выражение (8) с использованием зависимостей (4) и (12), получим:
ARxNxR
К-
N--
R + -
v 4.
N^xRxbR
'- bR& gt- 1+ - 4
(1З)
(14)
/
Как видно из формулы (13), линейная зависимость между напряжением разбаланса моста и приращением сопротивления тензо-резистора сохраняется при условии 8Я/4& lt-<-1. Для металлических датчиков 8Ятах я 1% (табл. 1), что приводит к погрешности нелинейности 0,25%. Естественно, что и эту погрешность в интеллектуальных датчиках без особых затруднений можно учесть путем математической обработки результатов измерения.
Действительно, относительное приращение сопротивления и, соответственно, вызвавшее его давление определяется полученным из (14) выражением:
87? =----4хМгхКоп. (15)
Это выражение может использоваться для программного вычисления в модуле значения 8? и, соответственно, измеряемого давления.
Разброс отклонений от номинала сопротивлений резисторов, включенных в плечи моста, приводит как к появлению аддитивной погрешности напряжения смещения нуля, так и к увеличению погрешности нелинейности несбалансированного моста.
Эти погрешности стремятся уменьшить путем подгонки сопротивления плеч моста применением компенсирующих резисторов, в качестве которых при использовании наклеиваемых металлических тензорезисторов чаще всего применяют фольговые секционные резисторы.
В интеллектуальных датчиках погрешность начального разбаланса моста 8Яо может быть рассчитана по формуле (15) при отсутствии воздействия внешних усилий путем измерения. Далее значение 8Яо учитывается как поправка к измеренному при воздействии внешних усилий значению 8^:
— ARp Mo,
где ЛЯи — значение приращения сопротивления с учетом влияния начального разбаланса моста.
Следует отметить, что используемая в АЦП так называемая схема стабилизации прерыванием обеспечивает автоматическое устранение целого ряда источников аддитивной погрешности, например, погрешности термо-ЭДС, возникающей в местах соединения тензорезисто-ров и соединительных проводов.
Большое влияние на точность измерения давления оказывает температурная погрешность, определяемая влиянием температурного коэффициента тензочувствительности (ТКТ) и температурного коэффициента сопротивления (ТКС). При возбуждении моста напряжением влияние температурной погрешности частично компенсируют включением в цепь питания цепочки диодов (рис. 5а) или резисторно-транзисторной цепочки, имеющих температурный коэффициент напряжения, обратный по знаку (ТКТ) [7]. При питании мостов током для термокомпенсации температурной погрешности может использоваться схема, представленная на рис. 5б.
Естественно, что такая компенсация требует тщательной подборки компенсирующей цепи для каждого типа тензорезисторов и обладает довольно ограниченными возможностями по достижению необходимой стабильности преобразований. Рассматриваемая схема (рис. 4) позволяет осуществить гибкую программно-аппаратную термокомпенсацию датчиков путем контроля температуры окружающей среды и введения поправочного коэффициента для каждой температуры. Измерение температуры окружающей среды можно производить с помощью встроенного термометра микроконвертора (в случае, если условия измерения предусматривают расположение чувствительных элементов и микроконвертора в одинаковых температурных условиях). В противном случае могут использоваться внешние термометры, информация с которых обрабатывается микроконвертором. Компенсировать температурную погрешность в схеме рис. 4 можно изменением тока возбуждения пропорционально температуре путем изменения напряжения UB, задаваемого цифро-аналоговым преобразователем. При этом, конечно, нельзя использовать в качестве опорного напряжения Uref напряжение, снимаемое с резистора R^.
По сравнению с металлическими тензоре-зисторами значительно большую тензочув-ствительность имеют полупроводниковые датчики (GF я 150−200). Однако коэффициент тензочувствительности этих датчиков сильно зависит от величины деформации. Характер указанных зависимостей может быть различным и определяется свойствами материала чувствительного элемента (тип полупроводника, кристаллографическое направление вырезки элемента, удельное сопротивление). Лишь в тех редких случаях, когда полупроводники работают при весьма малых деформациях, их можно рассматривать как аналоги обычных проволочных датчиков. По этой причине многие полупроводниковые датчики семейства ALPHA 100 выпускаются набором типономиналов с относительно узким диапазоном измеряемого давления [2].
Поведение полупроводникового тензорези-стора можно с достаточной точностью описать полиномом второго или третьего порядков:
или
Таблица 2. Коэффициенты преобразования между основными единицами измерения давления
КПа Мм. рт. ст. Миллибар psi Кг/ см2
1 атм. 101,325 760 1013,25 14,6960 1,0332
1 кПа 1,00 7,50 062 10,00 0,145 038 0,0197
1 мм рт. ст. 0,133 322 1,00 1,33 322 0,193 368 0,132
1 миллибар 0,1000 0,75 062 1,00 0,145 038 0,197
1 psi * 6,89 473 51,7148 68,94,73 1,000 0,007
1 кг/см2 98,0665 735,56 980,665 14,696 1,000
5Я = С1 е + С2 е2 + С3 е3, (16)
где е — мера силы, приложенная к чувствительному элементу (е = Д1/1).
Коэффициенты С1, С2, С3 имеют вполне определенные значения, найденные теоретически для чистых материалов (с малым количеством примесей) и экспериментально для материалов с большим количеством примесей (с известным удельным сопротивлением) [4].
Для вычисления приложенного давления используют обратный полином
е = М1 5R + М2 5R2 + М3 5^ +… (17)
Коэффициенты полинома М1, М2, М3 могут быть предварительно вычислены как коэффициенты аппроксимации обратной функции уравнения (16) и затем использованы для обработки результатов измерения величины 5И.
В настоящее время кремний является важнейшим материалом для полупроводниковых тензорезисторов. В зависимости от удельного сопротивления материала и ориентации значение СР может достигать 200. Поэтому из него могут изготавливаться датчики силы с большим напряжением сигнала или со средним напряжением сигнала при очень жестком упругом элементе. Кроме того, в зависимости от типа проводимости (р- или п-кремний) СР имеет положительный или отрицательный знак.
Для измерения давления наиболее распространены интегрированные датчики, изготовленные на кремниевой пластине и включающие в себя четыре пьезорезистивных чувствительных элемента, образующих полномостовую схему, мембранную диафрагму, преобразующую измеряемое давление в силу, воздействующую на тен-зорезисторы. На том же кристалле располагаются элементы термокомпенсации и линеаризации [5].
В качестве основных параметров этих датчиков задается: максимальное измеряемое давление, полный диапазон выходного напряжения или тока, чувствительность, начальное смещение, температурный коэффициент смещения и температурный коэффициент чувствительности. Причем давление может задаваться в различных единицах (табл. 2). Чувствительность К = Ди/ДРзадается в мВ/кПа или в мВ/мм рт. ст., в зависимости от используемой единицы измерения давления.
Основными источниками погрешности в этих датчиках являются нелинейность характеристики, гистерезис, временная и температурная нестабильность. Однако погрешность из-за влияния всех этих параметров в интегрированных датчиках лежит в пределах одного или нескольких процентов, что вполне достаточно для большинства технологических измерений, но недостаточно для исследовательских работ и при решении целого ряда прикладных задач. Именно в этом случае и приходят на помощь интеллектуальные микропроцессорные датчики, выпускаемые многими фирмами [2, 4, 5]. В этом ряду достойное место занимают интеллектуальные датчики, построенные с использованием микроконверторов ЛБиС8хх. Основные алгоритмы обработки результатов измерения давления с полупроводниковых датчиков принципиально не отличаются от рассмотренных выше алгоритмов, применяемых для металлических датчиков.
Опыт разработки интеллектуальных модулей обработки сигналов для распределенных систем сбора данных и управления показал высокую эффективность использования микроконверторов ADuC8xx как при разработке, так и при эксплуатации. При этом используются многие общие подходы для измерения различных физических параметров, таких как температура [6], давление, влажность и т. п. ¦
Литература
1. Методы практического конструирования при нормировании сигналов с датчиков. По материалам семинара Practical design techniques for sensor signal conditioning. Санкт-Петербург: АВТЭКС. w ww. autexspb. da. r u.
2. w ww. pressure. r u
3. Ильинская Л. C., Подмарьков А. Н. Полупроводниковые тензодатчики. // Библиотека по автоматике. — М. -Л.: изд-во «Энергия». 1966. Вып. 189.
4. Библиотека электронных компонентов. Выпуск 11: Датчики давления фирмы SenSym. — М.: ДОДЭКА. 2000.
5. Панфилов Д. И., Иванов В. С. Датчики фирмы Motorola. — М.: ДОДЭКА. 2000.
6. Зайцев О. В., Синько С. Н., Троицкий Ю. В. Метрологические особенности систем сбора информации с температурных датчиков на базе микроконтроллеров ADuC8xx // Схемотехника. 2005. № 9.

ПоказатьСвернуть
Заполнить форму текущей работой