Формирование и исследование арсенид-галлиевых наноструктур на нанотехнологическом комплексе НАНОФАБ НТК-9

Тип работы:
Реферат
Предмет:
Физика


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Краткие сообщения
УДК 621. 38−022. 532
А. В. Рукомойкин, М.С. Солодовник
ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫХ
НАНОСТРУКТУР НА НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ КОМПЛЕКСЕ
НАНОФАБ НТК-9
Нитевидные нанокристалы, а также структуры из пористого наноструктуриро-ванного арсенида галлия были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии, реализованном в составе сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9. Нитевидные нанокристаллы получены на подложках GaAs (100) без предварительного нанесения каталитических центров. Пористый арсенид галлия формировался непосредственно в процессе эпитаксиального роста, а не традиционными методами электро-. -дом растровой электронной микроскопии на электронном микроскопе NOVA NANOLAB.
Молекулярно-лучевая эпитаксия- GaAs- нитевидные нанокристаллы- пористый GaAs.
A.V. Rukomoykin, M.S. Solodovnik
FORMING AND INVESTIGATION OF ARSENIDE GALLIUM NANOSTRUCTURE AT NANOTECHNOLOGICAL SYSTEM NANOFAB NTF-9
Nanowhisker and structure from porous nanostructured GaAs was obtained by method mo-lecular-beam epitaxy, integrated in consist ultrahigh-vacuum nanotechnological system NANOFAB NTF-9. Nanowhiskers gallium arsenide was obtain on substrates GaAs (100) without preliminary infliction catalytic centre. Porous GaAs was formed directly in process at epitaxy-growth, rather than traditional methods electrochemical etching. Show result ofinvestigation obtain structure by method scanning electron microscopy on microscope NOVA NANOLAB.
Molecular-beam epitaxy- GaAs- nanowhisker- por-GaAs.
Структуры GaAs пониженной размерности — нитевидные нанокристаллы (ННК) и пористый арсенид галлия — привлекают к себе все более пристальный интерес и как объекты фундаментальных исследований, и как перспективные материалы для создания на их основе приборов с новыми эксплуатационными возможностями [1].
Для получения арсенид-гадлиевых наноструктур использовался модуль мо- 3 5, —
ционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9 [2]. Полученные структуры исследовались растровой электронной микроскопии (РЭМ) на электронном микроскопе NOVA NANOLAB 600.
В рамках работы были получены нитевидные нанокристаллы на основе арсе,.
ННК выращивались на подложках GaAs (001) без предварительного нанесения катализаторов путем нанесения арсенида галлия. Исследования методами РЭМ показали, что полученные ННК имели длину порядка 4 мкм и диаметр в поперечном сечении 80−87 нм (рис. 1, а). Структуры с пористым арсенидом галлия
GaAs (001)
.
(рис. 1,6) показывает формирование пористой структуры на участках с затравоч-. -сталлический эпитаксиальный слой.
Известия ЮФУ. Технические науки
Тематичекий выпуск
Рис. 1. РЭМ-изображение: а — нанокристаллов и б — пористого GaAs
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Дубровский В Т., Цырлин Г. Э., Устинов В. М. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применение // Физика и техника полупроводников. — 2009. -Т. 43, № 12. — С. 1585−1628.
2. .,.. — -стемной техники // Известия ЮФУ. Технические науки. — 2008. — № 12 (89). — C. 165−175.
Статью рекомендовал к опубликованию д.т.н. A.C. Кужаров.
Рукомойкин Андрей Васильевич
Технологический институт федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Южный федеральный университет» в г. Таганроге.
E-mail: Andru. Rukomoykin@gmail. com.
347 928,. ,., 2.
.: 88 634 371 611.
Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры- аспирант.
Солодовник Максим Сергеевич E-mail: solodovnikms@mail. ru
Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры- аспирант.
Rukomoykin Andrey Vasil’evich
Taganrog Institute of Technology — Federal State-Owned Autonomy Educational Establishment of Higher Vocational Education «Southern Federal University».
E-mail: Andru. Rukomoykin@gmail. com.
2, Shevchenko Street, Taganrog, 347 928, Russia.
Phone: +78 634 371 611.
The Department of Micro- and Nanoelectronics- Postgraduate Student.
Solodovnik Maxim Sergeevich
E-mail: solodovnikms@mail. ru.
The Department of Micro- and Nanoelectronics- Postgraduate Student.

ПоказатьСвернуть
Заполнить форму текущей работой