Автоматизированное проектирование и разработка транзисторных широкополосных СВЧ усилителей

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Радиотехника
Страниц:
400


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Широкополосные усилители (ШУ) являются составной частью радиотехнических систем (РТС) передачи, извлечения и разрушения информации, а также комбинированных PTC * Такие качественные показатели РТС, как точность и дальность действия, пропускная и разрешающая способности, помехоустойчивость, электромагнитная совместимость (ЭМС), надежность, стоимость, масса и габариты и др., в значительной степени определяются характеристиками входящих в их состав широкополосных усилительных трактов. Прогресс в разработке ШУ способствует совершенствованию параметров устройств вычисли& laquo- тельной и измерительной техники, экспериментальной физики, опто-и акус то электронных систем и т. д. В этой связи создание ШУ, удов& laquo-* летворяющих комплексу необходимых требований для использования в радиоэлектронных системах различного назначения, является важной научно-технической задачей.

Повышение быстродействия, разрешающей способности и других качественных характеристик РТС выдвигает задачу разработки ШУ, работающих в СВЧ диапазоне (СВЧ ШУ), а требование малых нелинейных искажений сигнала, определяющее помехоустойчивость и ЭМС РТС, при широких полосах пропускания может быть реализовано только в линейных ШУ. Жесткие- требования преъявляются к таким характеристикам СВЧ ШУ, как рабочий диапазон частот (от постоянного тока до единиц и десятков гигагерц), равномерность амплитудно-частотной характеристики (АЧХ), степень согласования с трактом передачи сигнала, выходная мощность, коэффициент шума, уровень нелинейных искажений, динамический диапазон и др. Анализ, проведенный в ряде работ [J, 4 и др.], показывает, что в настоящее время среди известных типов СВЧ ШУ малой и средней мощности преимуществами по комплексу технико-экономических показателей вплоть до частот миллиметрового диапазона волн обладают транзисторные СВЧ ШУ. Успехи полупроводниковой электроники в области создания СВЧ транзисторов приводят к непрерывному сдвигу этой частотной границы в сторону более высоких частот. Однако между разработками СВЧ транзисторов и СВЧ ШУ на их основе имеется определенный разрыв, связанный в ос& laquo- новном с- недостаточным теоретическим обеспечением проектирования СВЧ ШУ. В настоящее время существует потребность, в создании многоцелевых унифицированных транзисторных СВЧ ШУ с высокими качественными показателями, работающих в различных частотных диапазонах и удовлетворяющих требованиям широкого круга потребителей. На акту& laquo- альность этой задачи указывают большое количество публикаций в отечественной и зарубежной периодической литературе, ограниченность номенклатуры серийно выпускаемых СВЧ ШУ, многочисленные заказы предприятий и организаций на изготовление усилителей. Значительное внимание в последнее время уделяется разработке сверхширокополос& laquo- ных (многооктавных) СВЧ усилителей (СШУ) 11 и др.], в том числе мощных [7,1С-/2], использование которых, с одной стороны, позволяет улучшить параметры и повысить функциональные возможности РТС, а с другой стороны, способствует решению проблемы унификации усилительной аппаратуры. СВЧ СШУ нашли применение, например, в панорамных радиоприемных и измерительных устройствах, широкодиапазонных радиопередающих устройствах, многоканальных системах телевизионной и радиосвязи, быстродействующих цифровых системах передачи данных, используются в качестве модуляторов аппаратуры лазерной связи, усилителей скоростных осциллографов и др.

Важнейшими проблемами при разработке транзисторных СВЧ ШУ являются максимальная реализация усилительных свойств транзисторов, расширение полосы пропускания ШУ, повышение выходной мощности, обеспечение устойчивости, уменьшение чувствительности характеристик к дестабилизирующим факторам. При этом ключевым вопросом проектирования является выбор структуры усилительной цепи, в рамках которой могут быть удовлетворены предъявляемые к 1У требования- решение, принятое на этом этапе, во многом определяет достижимые качественные показатели ШУ, успех разработки в целом, а также затраты на проектирование и экспериментальную доводку усилителей. Проб& laquo- лема поиска рациональных структур усилительных каскадов и корректирующих цепей (Щ) приобретает особенно важное значение в зада& laquo- чах проектирования СВЧ СШУ, характеризующихся большим многообразием возможных схемных решений (структуры с различными двухполюсными и четырехполюсными цепями коррекции и ОС, каскодные схемы, заимствованные из техники низкочастотного усиления структуры и т. д.)* по& laquo- давляющая часть которых не исследована и не обеспечена соответствующими методиками расчета применительно к СВЧ диапазону. Последнее особенно касается мощных СШУ, разработка которых затрудняется низким, уровнем и высокой добротностью импедансов мощных транзисторов- сведения по построению КЦ таких усилителей в литературе очень немногочисленны [7}/0-/г].

Совершенствование качественных характеристик СВЧ ШУ на этапе схемотехнического проектирования идет по двум основным направле& laquo- ниям. Первое направление связано с исследованием и применением но*& raquo- вых перспективных структурных схем СВЧ ШУ. В настоящее время ис& laquo- пользуется преимущественно каскадная схема построения СВЧ ШУ, при которой активный элемент (АЭ) и пассивные четырехполюсные корректирующие цепа (ЧКЦ) включены каскадно [ 5} 7} 9 — 15 и др.]. Однако такой структурной схеме присущи серьезные ограничения, в част& laquo- ности, невозможность полной реализации усилительных свойств АЭ, существование теоретического предела полосы пропускания ЧКЦ, невозможность существенного улучшения таких характеристик ШУ, как стабильность, чувствительность к изменению параметров элементов, уровень нелинейных искажений.

Известные общие положения теории активных цепей [16,17] л, а также результаты теоретических и экспериментальных исследований, проведенных советскими и зарубежными авторами [ ?,$, 8, 18−15 и др.], позволяют считать, что одним из перспективных направлений дальнейшего совершенствования транзисторных СВЧ ШУ является применение структур с- обратной связью (ОС). Тем не менее, общая теория и принципы проектирования СВЧ ШУ с ОС разработаны недостаточно. В частности, в известной литературе неполностью изучено влияние ОС на различные параметры СВЧ усилителей даже в качествен*-ном отношении-. отсутствует исследование с общих позиций основных свойств СВЧ усилительных структур с ОС, в том числе предельных усилительных свойств, возможности и достижимых пределов управле& laquo- ния с помощью ОС характеристиками согласования, устойчивости, чу& laquo- вствительности- не исследована потенциальная (предельная) широко& laquo- полосность усилителей с ОС- отсутствует единая методика расчета транзисторных усилителей с ОС, известные способы расчета {18,19, ограничиваются частными структурами усилителей с ОС.

Второе направление состоит в совершенствовании методов проектирования ШУ. В связи со сложностью моделей транзисторов и пассив& laquo- ных элементов в СВЧ диапазоне успешная разработка СВЧ 1У возможна лишь на базе применения аредств машинного проектирования. Наибольшее распространение в настоящее время получил подход к проектированию, основанный на оптимизации характеристик ШУ в пространстве параметров его элементов при заданной схеме ШУ (параметрический синтез) [ВД/"Г, Однако недостатки этого подхода, как принципиальные (невозможность генерации структуры Щ), так и обусловленные применением при оптимизации методов нелинейного программирования необходимость задания начального приближения, т. е. схемы ШУ и параметров элементов на основании опыта разработчика и предварительных расяетов, локальная оптимальность решений и зависимость их от выбора начального приближения, дефекты решений, большие затраты машинного времени), — часто ведут к неоптимальным решениям и увеличивают сроки проектирования.

Существенное улучшение качественных показателей СВЧ ШУ на стадии схемотехнического проектирования связано с решением задачи оптимального топологического синтеза этих устройств. Однако на современном этапе в связи с отсутствием соответствующих алгоритмов и ограниченными возможностями ЭЦВМ указанная задача в полном объеме решена быть не может. В этих условиях целесообразным является развитие методов частичного синтеза СВЧ ШУ, т. е. синтеза пассивных Щ (двухполюсных и четырехполюсных) при заданной структурной схеме ШУ, определяющей способ соединения АЭ и Щ, Поиск оптимальных структурных схем может быть осуществлен на базе метода косвенного топологического синтеза [ю], заключающегося в определении и сравнении оптимальных решений для некоторой группы исходных структур, однако реализация такого подхода требует создания эффективных быстродействующих алгоритмов частичного синтеза.

Среди известных подходов к частичному синтезу СВЧ ШУ [ 5> 29, 31−55] наиболее перспективным с точки зрения практического использования представляется подход, основанный на классической схеме синтеза и предполагающий сведение задачи проектирования в целом к ряду существенно более простых задач синтеза пассивных Щ. Синтез Ш У при этом осуществляется поэтапно «вначале в численном виде определяются параметры Щ (например, иммитансные), при которых удовлетворяются требования к характеристикам ШУ, затем выполняется синтез КЦ, включая этапы аппроксимации, и реализации. Хотя в общем видее идея классического подхода к синтезу активных цепей высказана давно (см*, например, [34]), применительно к высокочастотным усилителям такой подход в. полном и законченном виде не реализован^ в известней литературе встречаются лишь отдельные его элементы для наиболее простых структурных схем ШУ Г И, М]. Это объясняется, прежде всего, отсутствием эффективных способов аппроксимации заданных численно иммитансных характеристик с, учетом условий физической и схемной реализуемости пассивных цепей.

К перспективным направлениям отно-сится также совершенствование графических методов расчета СВЧ ШУ, возможности которых при реализации на ЭЦВМ превышают возможности численных способов анализа. Наглядность, доступность, и информативность [36], обусловившие широкое применение этих методов при исследовании и проектировании СВЧ усилителей с реактивными ЧКЦ [ ?7 -43 и др.] с ОС [19, 23, 26] в том числе в программах диалогового проектирования ШУ [ 36], не исчерпывают их достоинств. Графические методы, по своей сущности, особенно пригодны для решения задач компромисса, где требуется выделение областей допустимых значений (ОДЗ) параметров Щ по- совокупности требований к характеристикам ШУ, они позволяют также эффективно решать достаточно сложные оптимизационные задачи, возникающие, в частности, при изучении предельных усилительных свойств активных цепей [42−4?]! аналитическое решение подобных задач сопряжено со^ значительными трудностями или вообще невозможно. К сожалению, существующие графические методы исследования СВЧ усилителей с, ОС [ 19, 23, 2б] разработаны лишь для наиболее простых структур усилительных цепей (с последовательной или параллельной двухполюсной ОС, без ЧКЦ), являются достаточно трудоемкими и мало пригодны для решения задач комплексного исследования СВЧ ШУ, синтеза цепей ОС. Для успешного применения графических методов к задачам частичного (в- том числе автоматизированного) синтеза ШУ они должны быть развиты применительно к более сложным усилительным структурам, должны обеспечивать удобное одновременное исследование комплекса, параметров ШУ, а, также удовлетворять условию формализуемости.

Целью настоящей работы является: разработка методов графического исследования, алгоритмов частичного ш косвенного топологического синтеза транзисторных линейных СВЧ ШУ- теоретическое и экспериментальное исследование, разработка многооктавных СВЧ ШУ, обеспечивающих близкий к предельно возможному коэффициент усиления и повышенный уровень выходной мощности в полосе частот, соизмеримой с граничной частотой используемых транзисторов.

Исследования в. работе ограничены частным, но распространенным классом линейных СВЧ ШУ с корректирующими двухполюсниками (КД) и реактивными: ЧНЦ, в: котором будут изучаться две разновидности усилителей: ШУ с КД и реактивными согласующими цепями (СЦ), включающие в себя ШУ с двухполюсными ОС, и ШУ каскадного типа с реактивными ЧКЦ Теоретический анализ касается, в основном, ШУ с одним КД, так как, во-первых, результаты этих исследований являются основой и во многом могут быть использованы при исследовании, и проектировании ШУ с несколькими КД, и, во-вторых, даже такие достаточно) простые структуры обладают высокими потенциальными возможностями для улучшения параметров СВЧ ШУ. В работе теоретически. изучается комплекс следующих характеристик ШУ: усиление, согласование, устойчивость, чувствительность. Эти параметры характеризуют как маломощные, так и мощные усилители, и могут рассматриваться как основные для класса линейных ШУ. При исследовании час В отличие от СЦ, реактивные ЧКЦ могут работать в режиме рассогласования с целью оптимизации характеристик ШУ. тотных характеристик мощных усилителей транзисторы полагаются линейными устройствами, — это справедливо для линейных ШУ, усилительные каскады которых работают в режиме класса, А и не заходят в область. существенных нелинейностей. Мощностные характеристики таких ШУ исследуются и оптимизируются экспериментальными методами.

Цель работы достигается решением следующих первоочередных задач-

— разработка эффективных графических методов исследования комплекса основных характеристик СВЧ ШУ, а КД и СЦ, — методик графического расчета таких усилителей-

-исследование предельных усилительных свойств ШУ с двухполюсными ОС и СЦ-

— создание эффективных алгоритмов синтеза КД и реактивных ЧЩ, исходя из требований к характеристикам ШУ, а также алгоритма косвенного топологического синтеза ШУ, реализация комплекса программ автоматизированного проектирования СВЧ ШУ с, КД и реактивными ЧКЦ-

— разработка и исследование многооктавных ШУ на биполярных транзисторах с повышенными характеристиками по комплексу параметров.

Научная новизна работы, по мнению автора, определяется следующим.

I. Разработаны эффективные графические способы исследования и расчета СВЧ усилителей произвольной структуры с КД (двухполюсными. ОС) и GEL- исследована совокупность основных свойств усилительных цепей этого класса, включая предельные усилительные свойства, достижимые пределы управления характеристиками согласования, устойчивости, чувствительности- показана принципиальная возможность существенного улучшения комплекса характеристик узко полос ных и широкополосных СВЧ усилителей при построении их на базе структур с ОС.

2. Развита теория автоматизированного частичного синтеза для классов ШУ с КД, с КД и СЦ, с реактивными ЧКЦ по совокупности параметров с учетом условие физической и схемной реализуемости КЦ, включая графические способы и геометрические алгоритмы поиска оптимальных численных значений и. ОДЗ иммитанса КЦ, алгоритмы синтеза двухполюсных и реактивных четырехполюсных КЦ по заданный численно (графически) зависимостям и ОДЗ иммитанса- сформулированы алгоритмы косвенного топологического синтеза СВЧ ШУ с КД и оптимизации ШУ в смешанном пространстве иммитансных параметров и параметров элементов КЦ.

3. Исследованы предельные аппроксимационные возможности входных функций пассивных цепей, доказаны предельные аппроксимационные теоремы, предложены алгоритмы вычисления минимально достижимых уклонений от заданных входных или передаточных характеристик в. классе двухполюсных и реактивных четырехполюсных целей. Разработаны способы оценки разрешимости задач частичного синтеза, нахождения предельно реализуемых параметров ШУ в рабочей полосе частот в рамках выбранной структурной схемы.

Практическая ценность работы заключается в следующем.

I. Разработанные методики проектирования позволяют определить наиболее, приемлемую структуру усилительнай цепи из числа заданных, найти структуру и элементы КЦ в соответствии с предъявляемыми к ШУ требованиями для выбранных (произвольных) типов АЭ, описываемых 5 -параметрами, оценить возможность реализации доставлении требований. Методики, разрешают для классов ШУ с КД, с КД и СЦ рассчитать КЦ по условию получения максимального (близкого к предельно возшжному) коэффициента усиления при заданной форме АЧХ и о граничениях на характеристики согласования, устойчивости, чувстви& laquo- тельности, а применительно к ШУ с реактивными ЧКЦ (в- сочетаний с известными графическими, методами выбора иммитанса. ЧЩ) «о существ вить также синтез ЧКЦ по- крите риякь максимизации выходной мощности, минимизации! коэффициента шума ШУ.

2. ВазработаН). комплекс прикладных программ автоматизированного- проектирования СВЧ ШУ & quot-ИШСНН"-1, применение которого позволяет автоматизировать решение задач, выбора структур ШУ, топологического. синтеза и расчета Щ на этапе схемотехнического проектирования и благодаря этому улучшить параметры и снизить затраты на разработку усилителей.

3. С учетом требований по- комплексу характеристик определены наиболее приемлемые схемы усилительных каскадом СВЧ СШУ на, биполярных транзисторах мало. й, средней и. большой мощности, а также структуры КЦ, получены рекомендации по построению многокаскадных мощных СШУ. Еазработаны линейные сверхширолсоплоеные и. импульсные СВЧ усилители с повышенным уровнем выходного сигнала, не имеющие по. совокупности параметров аналогов среди отечественной аппаратуры.

Основные положения, представляемые к защите.

I. Учет свойств подобия функций? -параметров многополюсной цепа (Щ) о варьируемым двухполюсником. (ВД) и линейной связи их с коэффициентом отражения на зажимах подключения ВД существенно упрощает гра< |ическое исследование параметров рассеяния МЦ в зависимости от иммитанса. ВД, делает возможным одновременное исследование 5 -параметров и выражаемых через них основных характеристик МЦ с помощью единственной обобщенной диаграммы, облегчав ет формализацию и решение задач выбора иммитанса. КД пр! проектировании ШУ с- КД и СЦ.

2. Решение, задач частичного синтеза и расчета СВЧ ШУ с КД и реактивными! ЧЩ, оценки принципиальной возможности выполненля поставленных требований в рамках выбранной структурной схемы ШУ, нахождения предельных параметров ШУ (например, предельного коэффициента усиления) в. заданной полосе частот при ограничениях на другие характеристики целесообразно проводить по классической схеме вз два этапа: а) поиск на дискретных точках частотного диапазона численных значений или ОДЗ иммитанса. КЦ, при которых удовлетворяются предъявляемые к ШУ требования и оптимизируются заданные его параметры, и вычисление соответствующих идеальных (одночастотных) предельных параметров ШУ- б) оценка разрешимости задач синтеза Щ, топологический синтез или расчет Щ по найденным зависимостям иммитанса.

Эффективным на первом этапе является применение графических методов и геометрических алгоритмов оптимизации на основе обобщенной диаграммы, обеспечивающих получение глобально-оптимальных решений- соответствие найденных на этом этапе идеальных параметров ШУ предъявляемым требованиям является необходимым, но недостаточные условием, разрешимости задачи проектирования ШУ. На базе графических методов могут быть решены также задачи расчета простых КД ШУ.

Эффективное решение задач синтеза КД, СД и реактивных ЧЩ досте гается их линеаризацией на этапе аппроксимации и применением метода приближения иммитансных характеристик на основе построения аналитического продолжения (АЛ) с использованием алгоритмов линейного программирования. При этом возможно связать минимально достижимые (в классе пассивных цепей) уклонения от заданной иммитансной характеристики с предельно реализуемыми в полосе частот параметрами ШУ и, такими образом, найти последние, окончательно оценить разрешимость задачи синтеза ШУ.

3. Осуществление косвенного топологического синтеза (ШУ) на основе сравнения получаемых на первом этапе частичного синтеза предельных (идеальных) параметрв усилительных структур ведет к существенной экономии, машинного времена, так как задачи синт. еза. Щ решаются только для отобранных (лучших) структур. Во многих практических задачах проектирования ШУ оптимизацию на первом эта* не частичного синтеза целесообразно проводить в смешанном пространстве. параметров, задавая одни из Щ (синтезируемые) с точность& reg- до структуры, а другие ^ с точность!) до параметров элементов. Та& laquo-: кой подход, являющийся сочетанием! топологического и параметрического, методов синтеза, эффективен, так как позволяет в рамках разработанной теории синтеза ШУ с- КД и СЦ, решать задачи проектирования ШУ более сложных структур, учесть, опыт разработчика.

4. Совместное применение в. СВЧ усилителях двухполюсных ОС и реактивных СЦ позволяет получить, существенный выигрыш (до 6. * 10 дБ и более) в величине коэффициента усиления по сравнению с усилителями, каскадной структуры, использующими только, реактивные, или. диссилативные ЧКЦ, прш обеспечении! абсолютной устойчивости, согласования на входе и. выходе усилительных каскадов. Коэффициент усиления усилителя с двухполюсной ОС и СЦ. может превысить, величину и -функции используемого транзистора.

5. Для обеспечения максимального коэффициента усиления при удовлетворенна требований к равномерности АЧХ, согласованию, устойчивости^ простоте реализации маложщные каскады многооктавных трашзистораых усилителей следует выполнять, по схеме с общим эмиттером (ОЭ) с двухполюсной комбинированной (последовательной и параллельной) ОС, а мощные каскады — по. схеме с ОЭ с диссипативной ЧЩ на входе и реактивной ЧЩ на выходе, последняя схема удовлетворяет1 также условию, получения максимальном выходной мощности. С целью достижения компромисса между характеристиками усиления, согласования & выходной мощности^ многокаскадные мощные СШУ целесообразно строить, чередуя согласованные ш несогласованные по входу усилительные каскады с & amp-Э с диссипативной входной ж реактивной выходное ЧЩ.

В связи с тем, что настоящая работа является одним ез первых систематических исследований по, машинному топологическому синтезу СВЧ ШУ, — она. не претендует на охват всего- круга вопросов, относящихся к проектированию таких усилителей. В частности, в ней отсутствует теоретическое рассмотрение таких характеристик СВЧ ШУ с КД и. СЦ, как коэффициент шума, выходная мощность, уровень нелинейных искажений, динамический диапазон. Эта вопросы составляют предмет, отдельных исследований-, тем не менее, ряд полученных в диссертации результатов (и, в первую очередь, предложенные способы синтеза Щ) могут быть использованы и при. проектировании ШУ с учетом указанных характеристик.

Представленная работа является составной частью НИР по, разработке широкополосных и импульсных СВЧ усилителей, выполненных на. кафедре «Р& диоприемные & усилительные устройства& quot- ТЬмского инс^ титута автаматизированных систем управления и радиоэлектроники шх постановлению правительства, и заказам различных предприятий страны в период 1971—1982 гг. Характеристика разработанных при непосредственном участии, автора усилителей ш документы, подтверждающие внедрение- усилителей и программ, приведены в Приложении.

Г9

I. СВОЙСТВА ОСНОВНЫХ СТРУКТУРНЫХ СХЕМ И МЕТОДЫ СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ ШИРОКОПОЛОСНЫХ СВЧ УСИЛИТЕЛЕЙ

В настоящей главе кратко рассматриваются свойства основных структурных схем транзисторных каскадных СВЧ ШУ, а также существующие методы проектирования таких усилителей. В заключение формулируются задачи работы.

результаты работы в свое* разработках и осуществляет да ль нейшве «научно-тегнгескхв свяви с ТШ?2Р ----------------------- у^ т. ЕСсастр^ггор СЯБ-12

Представители ТМАСУРа: jj^ j^fПредставители предпри^тия-^^^^^^^^^Д^д^

— -fe-.C,. *

За метаете. Данный Шклвашяеи для предъявления финансовых претензий по выплате прений. «^

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ПоказатьСвернуть

Содержание

1. СВОЙСТВА ОСНОВНЫХ СТРУКТУРНЫХ СХЕМ И МЕТОДЫ СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ ШИРОКОПОЛОСНЫХ СВЧ УСИЛИТЕЛЕЙ

1.1. Широкополосные СВЧ усилители с четырёхполюсными корректив рующими цепями

1.2. Широкополосные СВЧ усилители с обратными связями.

1.3. Методы машинного синтеза транзисторных широкополосных СВЧ усилителей.

1.4. Основные задачи исследования

2. ПАРАМЕТРЫ РАССЕЯНИЙ СВЧ ЦЕПЕЙ С ВАРЬИРУЕМЫМ ДВУХПОЛЮСНИКОМ. 41 2*1. Параметры рассеяния многополюсной цепи с варьируемым двухполюсником

2.2. Полюсно-нулевое представление параметров рассеяния многополюсной цепи с ВД

2.3. Параметры рассеяния каскадных четырёхполюсных цепей с ВД

2.4. Обобщенная матрица рассеяния цепи с ВД при комплексных нагрузках.

2.5. Результаты исследования.

3. ГРАФИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ СВЧ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ЦЕПЕЙ С КОРРЕКТИРУЮЩИМИ ДВУХПОЛЮСНИКАМИ.

3.1. Обобщенные диаграммы для исследования многополюсных цепей с ВД.

3.2. Анализ устойчивости

3*3. Анализ характеристик усиления и согласования.

3.4. Анализ чувствительности

3.5. Результаты исследования

4. ГРАФИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ РАСЧЁТА И АЛГОРИТМЫ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО СИНТЕЗА СВЧ УСИЛИТЕЛЕЙ.

4.1. Формулировка задач поиска иммитанса корректирующих цепей

СВЧ усилителей.

4.2. Решение задач выбора иммитанса корректирующих цепей на основе обобщенной диаграммы

4.3. Геометрические алгоритмы оптимального выбора иммитанса корректирующих цепей. III

4.4. Синтез корректирующих цепей 1ШГ по заданным частотным характеристикам иммитанса

4.5. Алгоритмы косвенного топологического синтеза СВЧ ШУ и решение задачи оптимизации в смешанном пространстве параметров

4.6. Результаты исследования

5. АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ, ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ. ШИРОКОПОЛОСНЫХ

СВЧ УСИЛИТЕЛЕЙ.

5.1. Комплекс программ исследования и топологического синтеза

СВЧ ШУ «ТО ПСИН& quot-

5.2. Графический анализ усилителей с двухполюсными ОС, исследование и проектирование узкополосных и октавных

СВЧ усилителей.

5.3. Исследование и премирование сверхширокополосных СВЧ усилителей

5.4. Основные результаты исследования

Список литературы

1. Гуткин Л. С. Современная радиоэлектроника и её проблемы. «-»- М.: Сов. радио, 1980,-192 с.

2. Основы проектирования микроэлектронной аппаратуры. /Под ред. Б. Ф. Высоцкого.- М.: Gob. радио, 1978. -352 с.

3. Полупроводниковые входные устройства СВЧ. T.I. /Под ред. В. С. Эткина.- М.: Сов. радио, I975. -344 с.

4. Руденко В. М. и др. Малощумящие входные цепи СВЧ приёмных устройств.- М.: Связь, I97I. -280 с.

5. Шварц Н. З. Линейные транзисторных усилители СВЧ.- М.: Сов. радио, 1980. -368 с.

6. Головко Б. А., Савон А. Д. Машинное проектирование сверхширокополосных. транзисторных усилителей СВЧ.- Электронная техника. Сер. I. Электроника СВЧ, 1976, вып. II, с. 132−136.

7. Жаворонков В. Ч., Иэгагин Л. Н., Шварц Н. Э. Транзисторный усилитель СВЧ с полосой пропускания 1-^000 МГц.- Приборы и техника эксперимента, 1972, И 3, с. 134−136. «

8. Nikias K. B et al. The matched feedback amplifier: ultra-wide-hand microwave amplification with GaAs MESFET’s. -IEEE Trans., 1980, v. OTT-28, n4, p. 285−294.

9. Honjo K., Takajama Y. GaAs FET ultrahroad-hand amplifiers Cor Ghit/s data rate systems. -IEEE Trans., 1981, v. MTT-29, N7, p. 629−636.

10. Basawapatna G.R. Design and performance of a 2 to 18 GHz1. JSJmedium powern& aAs MESFET amplifier.- In: 8th Eur. Microwave Conf. 78, Paris: Conf. Proo. -Sevenoaks, -1978, p. 458−462.

11. Tserng H.Q., Maoksey H.M. Ultra-wideband medium-power GaAs MESFET amplifiers.- In: 1980 IEEE Int. Solid-State Circuits Conf#: Dig. Tech. Papers.- New York, 1980, p. 166−167.

12. Бахтин H.A., Шварц Н. З. Транзисторные усилители СВЧ с диссипативными выравнивающими цепями.- Радиотехника и электроника, 1971, т. 16, Ь 8, с. 1401−1410.

13. Широкополосные радиопередающие устройства /Под ред. О. В. Алексеева.- М.: Связь, 1978.- 304 с.

14. Хотунцев Ю. Л. Полупроводниковые СВЧ устройства. (Анализ и синтез).- М.: Связь, I978. -256 с.

15. Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью.- И.: ИЛ, 1948. -642 с.

16. Горовиц A.M. Синтез систем с обратной связью: Пер. с англ. /Под ред. М.В. йеерова.- М.: Сов. радио, 1970. -600 с.

17. Казаков А. Ю., Шварц Н. Э., Терлецкий Г. Г. Исследование нейтрализации внутренних обратных связей СВЧ транзисторов.- В кн.: Полупроводниковые приборы в технике электросвязи /Под ред. И. Ф. Николаевского.- М.: Связь, 1974, вып. 14, с. 98−107.

18. Судейко Г. И. Графоаналитический расчёт транзисторных усилителей с обратной связью на основе s-параметров. «- В кн.: Широкополосные усилители.- Томск: Изд-во ТГУ, 1974, вып. 4, с. 26−39.

19. Ключарёв М. Ю., Сокольский В. В. Анализ и расчёт транзисторных усилителей СВЧ с обратной связью.- Радиотехника, 1981, т. 36, «3, с. 35−37.

20. Bodway G. E" Cirouit design and characterisation of transistors Ъу means of treeport scattering parameters" — Microwave Journal, 1968, v. 11, N5, p. 55−65.

21. Besser L. Design considerations of 3#1~3#5 GHz GaAs FET amplifier.- In: IEEE GMTT Int. Microwave Sympos., Arlington Heights, ILL., 1972: Dig. Teohn. Pap.- New York, 1972, p. 230−232.

22. Sturzu P. Build a 12 octave hybrid amplifier.- Microwaves, 1974, v. 13, N6, p. 54−57″

23. Ленк Дк. Справочник no современным твёрдотельным усилителям: Пер. с англ.- М.: Мир, 1977.

24. Козлов В. И., Юфит Г. А. Проектирование СВЧ устройств с помощью ЭВМ.- М.: Сов. радио, I975. -I76 с.

25. Батищев Д. И. Поисковые методы оптимального проектирования.- М.: Сов. радио, I975. -2I6 с.

26. Изгагин Л. Н. и др. Машинный синтез сверхширокополосных транзисторных усилителей СВЧ.- Известия ВУЗов. Радиоэлектроника, 1974, т. 17, с. II2-II7.

27. Трохименко Л. К., Каширский И. О., Ловкий В, К. Проектирование радиотехнических схем на инженерных ЭЦВМ.- Киев: Техника, 1976. -272 с.

28. Темнов В. М., Левенсон Л. С. Машинный синтез транзисторных СВЧ усилителей, — Вопросы радиоэлектроники. Сер. Радиоизмерительная техника, 1974, вып. 2, с. 34−41.

29. Волков Ю. А., Королёв В. А., Серов B.Q. Od оптимизации линейных электронных схем.- В кн.: Ядерная электроника.- М.: Атом-издат, 1979, вып. 9, с. 47−66.

30. Siddiqui Т. Synthesis technique for a 2−8 GHz 1 W FET amplifier. -Microwave Journal, 1979|v. 22, N4, p. 57−62.

31. Сигорский В. П. Содержание и методы теории электронных цепей.- Известия ВУЗов. Сер. Радиоэлектроника, 1967, т. 10, № 7.

32. Гапличук JI.C. Структурный синтез транзисторных усилителей с обратной связью, — М.: Связь, 1972. -128 с.

33. Kuhn N. CAD with grafios make circuit design a science Microwaves, 1974, v, 13, N6, p"42−50.

34. Вайнерт Ф. Расчёт высокочастотных транзисторных схем с помощью параметров рассеяния.- Электроника, 1966, т. 39, № 18, с. 3−14.

35. Карсон Р. Высокочастотные усилители: Пер. с англ. /Под ред. В.Р. магаушевского.- М.: Радио и связь, I98I. -2I6 с.

36. Bodway G"E. Two-port power flow analysis using generalized scattering parameters" — Microwave Journal, 1967* v. 10, N6, p. 61−69.

37. Hauri E"Bi Darstellung der Verstarkereigenschaften von Transistoren als linear aktive Vierpole durch die Streuparameter Technische Mitteilungen PTT, 1970, Bd. 48, N1, s. 2−12- N2, s. 74−84.

38. Hauri ?"R" Stabilitatshetraohtungen mit Streuparametern fur lineare aktive Vierpole (Transistoren).- Technische Mitteilungen PTT, Bd. 49,1971, N1, s. 4−11- N2, s*77~83.

39. Толстой А. И. Общая методика расчёта линейных однокаскадных СВЧ усилителен с использованием s-параметров.- Радиотехника, 1977, т. 32, № 2, с. 68−75.

40. Spence R. Linear active networks. -London-New York-Sydney-Toronto: Wiley-Interscience, 1970*~354p"

41. Плавский JI.Г., Девятков Г. Н. Расчёт цепи с потерями для коррекции широкополосных транзисторных усилителей.- В кн.: Полупроводниковые приборы в технике электросвязи /Под ред. И. Ф. Николаевского.- М.: Связь, 1973, вып. II, с. Ill-116.

42. Lieohti С#А"} Tillman R.L. Desigh and performance of microwave amplifiers with GaAs Shottky-gate field-effect transistors. IEEE Trans., 1974, v. MTT-22, N5, p. 510−517.

43. Энгельбрехт P., Курокава К. Широкополосный балансный малошумящий усилитель L-диапазона на транзисторах.- ТИИЭР, 1965, т. 53, № 3.

44. Rollet J.M. Stability and power-gain invariants of linear two-ports. -IRE Trans., 1962, v. CT-9, N1, p. 29−32.

45. Анализ и расчёт интегральных схем. 4.1.: Пер. с англ. под ред. Б. И. Ермолаева и П. И. Завалишина /Под ред. Длинна,

46. Ч. Мейера, Д. Гамильтона-- М.: Мир, 1969. -370 с.

47. Kurokawa К. Power waves and the scattering matrix.

48. EE Trans., 1965, v. MTT-13, N2, p. 194−202.

49. Wood D. Reappraisal of the unconditional stability criteria for active 2-port networks in terms of S-parameters. -IEEE Trans., 1976, vol. CAS-23, N2, p. 73−81.

50. Фано Р. Тёоретические ограничения полосы согласования произвольных импедансов: Пер. с англ. /Под ред. Г. И. Слободенюка. -М.: Сов. радио, 1965.- 72 с.

51. Youla D.C. A new theory of broad-band matohing.- IEEE Trans., 1964, v. CT-11, N1, p. 30−50.

52. Вай Кайчэнь. Теория и проектирование широкополосных согласующих цепей: Пер. с англ. /Под ред. Ю. Л. Хотунцева.- й.: Связь, 1979, 288 с.

53. Carlln H. J & raquo-у Friedenson R.A. Gain bandwidth properties of a distributed parameters load- IEEE Trans, 1968, v. CT~15, N12, p. 455−464.

54. Tucker R.S. Gain-bandwidth limitation of microwave transistor amplifiers.- IEEE Trans., 1973, v*MTT~21,N5, p. 322−327″

55. Ku W.H., Petersen W. Optimum gain-bandwidth limitation of transistor amplifiers.- IEEE Trans., 1975, v. CAS-22, N6, p. 523−533.

56. Калиникос Д. А. Исследование и разработка методов проектирования широкополосных транзисторных СВЧ усилителей для радиопередающих устройств.- Дис. канд. техн. наук.- Л., 1978.

57. Щепеткин Ф. В., Данич Ю. С. Шумовые свойства транзисторного усилителя дециметрового диапазона.- Электросвязь, 1973, т. 27, «2, с. 60−65.

58. Жалуд В., Кулешов В. Е. Шумы в полупроводниковых устройствах /Под ред. А. К. Нарышкина.- М.: Сов. радио, I977. -4I6 с.

59. Kotzebue K. L*, Ehlers E.R. Design technique for broadband microwave transistor power amplifiers.- IEEE Journal of Mi-* crowaves, Optics and Aooustics, 1979, v. 3, N3, p*121"127*

60. Каганов В. И. СВЧ полупроводниковые радиопередатчики. -М.: Радио и связь, 1981.- 400 с.

61. Mellor D*J*, Linvill J"G" Synthesis of interstage networks of prescribed gain versus frequency slopes"" IEEE Tr., 1975″ v"MTT-23, N12, p"1013−1020″

62. Dao T"H", Ha T.T. Explioit formulas for GaAs f"e"t" amplifier interstage matohing networks*- IEEE Proc", 1981, v. 128, Pt. G, N1, p. 25−31″

63. Скит Ф. Круговые диаграммы в радиоэлектронике: Пер. с англ.- М.: Связь, 1976. -142 с.

64. Medley M.W., Allen J"L" Broad-band GaAs FET amplifier design using negative-image devioe models" — IEEE Trans", 1979, v. MTT-27, N9, p"784−788″

65. Unbehauen В& raquo- Die Ermittlung nichtrationaler Frequenzcharakteristiken, deren komplexe Werte in einem Teilbereich reeller Frequenzen vorgeschrieben sind*- AEU, 1964, Bd. 18, N 8, s. 497−507″

66. Unbehauen H" Die rationale Approximation vor Frequenz Charakteristiken" — AEU, 1964, Bd"18, N10, s"607−616″

67. Suhareanu M", Suhareanu E. Determinarea functiei de in-trare cind ambele componente se prescriu grafio si indepentent

68. JLntr-o banda finita de frecvente" — Telecomunicatii, 1968, v"12,1. N1, p. 16−22″

69. Кривошейкин A.B., Ланнэ A.A. Проблема синтеза неуравновешенных амплитудных корректоров и метод оценок.- Вопросы радиоэлектроники. Сер. Техника проводной связи, 1970, вып. 9, с. П-22.

70. Ланнэ A.A. Оптимальный синтез линейных электронных схем.- М.: Связь, I978. -336 с.

71. Карпов Е. А., Косюк Л. В., Рядинских A.C. Аппроксимация и оптимизация в задачах анализа и синтеза нелинейных цепей. -йзвестия ВУЗов. Радиоэлектроника, 1976, т. 19, № 11, с. 69−76.

72. Алексеев Л. В. и др. Электрические фильтры метрового и дециметрового диапазонов, — М.: Связь, 1976. -280 с.

73. Маттей Д. Л., Янг Л., Дионс Е.М. Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи: т.1. Пер. с англ. /Под ред. Л. В. Алексеева и Ф. В. Кушнира.- М.: Связь, 1971. -440 с.

74. Rollet I.M. The measurement of transistor unilateral gain* IEEE Trans., 1965, v. CT-12, N2, p. 91−97.

75. Lieohti С .A. Performance of dual-gate GaAs MESFET*s as gain -controlled low-noise amplifiers and high-speed modulators"-IEEE Trans., 1975, v. MTT-23, N6, p. 461−469.

76. Баранов Л. В., Бердыев B.C. Улучшение энергетических характеристик маломощных СВЧ усилителей.- Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1977, вып. 4.

77. Walker J.L.B. et al. The application of negative feed-hack to miorowave bipolar transistor.- In: 6th Eur. Microwave Conf. Rome: Conf. Proc.- Sevenoaks, 1976, p. 530−533.

78. Ulrich E. Use Negative Feedback to Slash Wideband VSWR. -Microwaves, 1978, v. 17, N10, p. 66−70.

79. Головко Б. А. Моделирование на ЭВМ различных схем транзисторных усилителей СВЧ.- Электронная техника. Сер. I. Электроника СВЧ, 1977, вып. 3, с. 51−54.

80. Krowne С.М. Extending the low-frequency range of GaAs FET broadband microwave amplifiers using microstrip transmission lines.- El, Letters, 1979, v. 15, N6, p. 197−198.

81. Engberg J. Simultaneous input power match and noise optimization using feedback.- In: 4th European Microwave Conf.: Proc*-Montreaux, 1974, p. 385−389.

82. Weinreb S. et al. Ultra-low-noise 1. 2-to 1. 7-GHz oooled GaAs FET amplifiers.- IEEE Trans., 1982, v. MTT-30, N6,1. P. 849−853.

83. Колесов И.A., Якушевич Г. Н., Губин в. А. Широкополосные транзисторные усилители с суммированием выходных токов от нескольких транзисторов.- В кн.: Наносекундные и субнаносекундные усилители, — Томск: Изд-во ТГУ, 1976, с. Ю5-П6.

84. Бабак Л. И. Анализ широкополосного усилителя по схеме со сложением напряжении.- В кн.: Наносекундные и субнаносекундные усилители.- Томск: Изд-во ТГУ, 1976, с. 123−133.

85. Дьячко А. Н., Бабак Л. И. Мощный наносекундный видеоусилитель по схеме со сложением напряжений.- Приборы и техника эксперимента, 1981, «3, с. 127−129.

86. Mason S.J. Power gain in feedbaok amplifier.- IRE Trans., 1954, v. CT-1, N2, p. 20−25.

87. Vendelin G. Try CAD for accurate GaAs MESFET models.

88. Microwaves, 1975, v. 14, N6, p. 58−70.

89. Niclas K.B. Noise in broad-band GaAs MESFET amplifierswith parallel feedback.- IEEE Trans., 1982, v. MTT-30, N1, p. 63−70.

90. Pitzalis 0., Jr. et al. Broadband 60-W HF linear amplifier.- IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1971, v. SC-6, Ю, p. 93−103.

91. Мелихов С. В., Ко лесов И. А. Влияние нагружающих обратных связей на уровень выходного сигнага усилительных каскадов. «- В кн.: Широкополосные усилители, — Томск: Изд-во ТПГ, 1975, вып. 4, с. I02-II0.

92. Meyer R.G. et al. A Wide-band ultralinear amplifier from 3 to 300 MHz.- IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1974, v. SC-9, N4.

93. Нагоршй Л. Я. Анализ и расчёт усилительных схем.- Киев: rati, 19 63. -244 с.

94. Балабанян Н. Синтез электрических цепей- Пер. с англ. /Под ред. Г. И. Атабекова.- И. -Л.: ГОсэнергоиздат, I96I. -4I6 с.

95. Каушанский А. С. Синтез двухполюсников с минимальным числом элементов. -М.: Связь, 1973. -86 с.

96. Ланна А. А. Оптимальный синтез линейных электрических цепей.- М.: Связь, I969. -294 с.

97. Белецкий А. Ф. Теоретические основы электропроводной связи. Ч.З. -М.: Связьиздат, 1959. -392 с.

98. Сешу С., Балабанян Н. Анализ линейных цепей: Пер. с англ. /Под ред. Г. И. Атабекова.- М. -Л.: Госанергоиздат, 1963. -552 с.

99. Бобин Б. В. О совместной аппроксимации амплитудно-частотных и фазо-частотных характеристик при синтезе электронных схем.- Вестник КПИ. Сер. Радиоэлектроника, 1972, «9, с. 69−70.

100. Carlln H.J. A new approach to gain-band-width problems. -IEEE Trans., 1977, v. CAS-24, N4, p. 170−175.

101. Carlin H.J., Komiak J.J. A new method of broad"band equalization applied to microwave amplifiers" — IEEE Trans., 1979″ v. MTT-27, N2, p. 93−99.

102. Кривошейкин, А .В. Метод оптимизации- характеристик в задачах синтеза амплитудных выравнивателей и двухполюсных цепей. -Известия ВУЗов. Радиоэлектроника, 1972, т. 15, «2, с. 199−204.

103. Чавка Г. Г. Оптимизация на ЭВМ широкополосных согласую& laquo- щих устройств для нагрузок высокой добртности.- Известия ВУЗов. Радиоэлектроника, 1976, т. 19, «6, с. 124−127.

104. Redheffer R.M. Design of a circuit to approximate a prescribed amplitude and phase.- J. Math. Phys., 1949, v. 28, p. 140−147.

105. Braun A.R., MoMahon E.L. Network funotion determinationfrom partial specification" — IEEE Tr*, v. CT-16, p. 257−259,

106. Живица Н. И., Ланнэ А. А. Синтез амплитудно^фазовых корректоров.- Электросвязь, 1973, т. 27, М, с. 61−66.

107. Зотов Л. В., Трохимёнко Я. К. Расчёт на ЦВМ RC-усилителей с плоской частотной характеристикой.- Известия ВУЗов. Сер. Радиоэлектроника, 1967, т. 10, № 7.

108. Wooley В"А* Automated design of DC-coupled monolithic broad-hand amplifiers.- IEEE Journal of Solid-State Cirouits, 1971, v. SC-6, n1•

109. Гехер К. Теория чувствительности и допусков электронных цепей: Пер. с англ. /Под ред. Ю. Л. Хотунцева.- М.: Сов. радио, 1973. -200 с.

110. Shekel J. Some properties of networks with one variable element. -IEEE Tr., 1967, CT-14, N2, p. 89−92″

111. Зелях Э.в. Основы общей теории линейных электрических схем.- М.: Изд-во АН СССР, I95I. -336 с.

112. Monaoo V.A., Tiberio P. On the transformations of a lumped element linear network into a oirouit oomposed of multiports.

113. Alta Frequenza, 1970, v. 39, N11, p. 1013−1014.

114. Salzmann G. Zusammensohaltung von Mehrpolen in wellenmS, ssiger Darstellung- Nachriohtentechnik, 1960, Bd. 10, N8, s. 353−355″

115. Силаев M.A., Брянцев С. Ф. приложение матриц и графов к анализу СВЧ устройств.- М.: Сов. радио, 1970. -248 с.

116. Сигорский В. П. Математический аппарат инженера.- Киев: Техника, I975. -766 с.

117. Сазонов Д. М., Гридин А. Н. Техника СВЧ.- М.: Изд-во МЭИ, 1970. -314 с.

118. Свешников А. Г., Тихонов А. Н. Теория функций комплексной переменной.- М.: Наука, 1967. -304 с.

119. Коппенфельс В., Штальман Ф. Практика конформных отображений: Пар. с нем. /Под ред. Л. И. Волковыского.- М.: Изд-во иностр. лит., 1963. -40б с.

120. Сушкевич В. И. Нерегулярные линейные волноводные системы. -М.: Gqb. радио, I967. -296 с.

121. Куликовский A.A. Устойчивость активных линеаризованных цепей с усилительными приборами новых типов, — М. -Л.: Госэнерго-издат, 1962. -192 с. 122. 1Уткин л .С. Оптимизация радиоэлектронных устройств М.: Сов. радио, I975. -368 с.

122. Голев Б. Ф., Кузьмин A.A. Анализ амплитудно-частотных характеристик каскада РУ на усилительных элементах ОЭ-ОБ и ОК-ОБ с корректирующими RC -двухполюсниками.- В кн.: Широкополосные усилители.- ТЬмск: Ияд-во ТГУ, 1974, вып. 3, с. 5?-65.

123. A.A. Рывкин и др. Справочник по математике.- М.: Высшая школа, 1964. *520 с.

124. Современная теория фильтров и их проектирование: Пер. с англ. под ред. И. Н. Теплюка /Под ред. Г. Темеша, С. Митра.- М.: Мир, 1977. -560 с.

125. Х26. Daxlington S. Synthesis of reactance 4-poles. which produce prescribed insertion loss characteristics, — J. Math, and Phys., 1939, v. 18, N9, p. 257−353.

126. Зуховицкий С. И., Авдеева Л. И. Линейное и выпуклое программирование.- М.: Наука, 1969. -348 с.

127. Ершов A.n., Кожухин Г. Й., Поттосин И. В. Руководство к пользованию системой АЛЬФА /Под ред. И. В. Поттосина.- Новосибирск: Наука, 1968. -180 с.

128. Руководство к программам косвенного топологического син- • теза транзисторных СВЧ усилителей: Учебно-методическое пособие /Бабак Л.И.- Томск, 1983.- 17 с.

129. Титов A.A. Упрощённый расчёт широкополосного усилителя. -Радиотехника, 1979, т. 34, Ь б, с. 88−90.

130. Агаханян Г. М., Гаврилов Л. Е., Мищенко Б. Г. Основы нано-секундной импульсной техники.- М.: Атомиздат, I976. -376 с.

131. Куркин Ю. Л., Уточкин Б. А. Элементы и узлы транзисторных скоростных осциллографов.- Новосибирск: Наука, I975. -I04 с.

132. Теория и расчёт импульсных и усилительных схем на полупроводниковых приборах /Под ред. Т. М. Агаханяна.- М.: Атомиздат, 1969, вып. I. -272 с.

133. Бабак Л. И. Частотный метод измерения параметров рассеяния СВЧ четырёхполюсников.- Радиотехника, 1981, т. 36,1" — 4, с. 81−84.

134. Гюнтер В. Я., Серебряков A.B., Лахтиков В. А. Программы расчёта и оптимизации частотных характеристик распределённых усилителей.- В кн.: Наносекундные и субнаносекундные усилители. -ТЬмск: Изд-во ТГУ, 1976, с. 91−104.

135. Руководство к использованию программы анализа электронных схем & quot-РЭЛС"- при учебно-исследовательской работе и учебном проектировании по курсу «Радиоприёмные устройства& quot-: Учебно-методическое пособие /Л.И. Бабак.- Томск, 1980. -16 с.

136. Фельдштейн А. Л., Явич Л. Р. Синтез четырёхполюсников и восьмиполюсников на СВЧ.- М.: Связь, 1965. -352. с.

137. Mathis H.F. Bilinear transformation. -IRE Trans., 1956, v. CT-3, N2, p. 156.

138. Яглом И. М. Комплексные числа и их применение в геометрии.- М.: Физматгиз, 1963.- 192 с.

139. Уолш Д. Л. Интерполяция и аппроксимация рациональнымифункциями в комплексной области.- М.: ИИЛ, I96I. -508 с.

140. Бронштейн И. Н., Семендяев К. А. Справочник по математике. «-* К.: Наука, 1967. -608 с.

141. Юров Ю. Я., Нелеп В. А. Допустимые изменения параметров согласующего четырёхполюсника.- Известия ВУЗов. Радиоэлектроника, 1972, т. 15, «2, с. 258−265.

142. Saal R., Ulbrich Е. On the design of filters by synthesis. -IRE Trans., 1958, v. CT-5, N4, p. 284−327.

143. Калахан Д. Методы машинного расчёта электронных схем. Пер. с англ. /Под ред. С. И. Сирвидаса, — М.: Мир, 1970. -344 с.

144. Беллерт С., Возняцки Г. Анализ и синтез электрических цепей методом структурных чисел. Пер с польск. /Под ред. П.А. Ион-кина.- М.: Мир, 1972. -332 с.

145. Ланнэ A.A. и др. Оптимальная реализация линейных электронных RLC -схем.- Киев: Наукова думка, I982. -208 с.

146. Пенфилд П. Описание электрических цепей с помощью операторов соединения.- ТИЙЭР, 1972, т. 60, «I, с. 76*82.

147. Волцит В. В., Каменецкий Ю. А. Малошумящие ВЧ и СВЧ транзисторы.- В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение /Под ред. Я. А. Федотова.- М.: Сов. радио, 1975, вып. 25, с. 30−56.

148. Богачёв В. М., Никифоров В. В. Транзисторные усилители мощности.- М.: Энергия, 1978. -344 с.

149. Бабак Л. И. Анализ и расчёт широкополосного усилительного каскада на мощном СВЧ транзисторе с рассогласующей RLC -цепью. -Аннотации докладов научно-технического семинара Н10РЭС им. А. С. Попова & quot-Широкополосные усилители& quot-.- М., 1975, с. 7−8.

150. Маттей Г. Таблицы для расчёта трансформаторов сопротивлений в виде фильтра нижних частот Чебышева.- ТШЭР, 1964, т. 52, № 8, с. 1003−1028.

151. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник /К.М. Брежнева и др. Под ред. Б. Л. Пврельмана.- М.: Радио и связь, I98I. -656 с.

152. Тишенко A.M. и др. Расчёт и проектирование импульсных устройств на транзисторах /Под ред. М. Д. Штерка.- М.: Сов. радио, 1964. -568 с.

153. Изделия промышленности средств связи: Каталог. Сер. X. Радиоизмерительные приборы /Центр. отрасл. орган науч. -техн. информа-ции & quot-ЭКОС"-.- M., 1982. -240 с.

154. Microwave Journal, 1981, v. 24, N12, р& raquo-51. 156. 1981−1982 product data direotory, — Microwaves, 1981, v. 20, N10, p. 336,337,340,342.

155. Microwave Journal, 1982, v. 25, N3, p. 53, 93.

156. Электроника, 1977, т. 50, № 22, с. ПО.

157. Perez F", Ortega V. A grafical method of the design of feedback networks for microwave transistor amplifiers: theory and applications.- IEEE Trans., 1981, vol. MTT-29, N10, p. 1019 1026.

158. Бабак Л. И., Прокопьев В. М. Расчёт параметров рассеяния и круговых диаграмм каскадных усилительных цепей с корректирующим двухполюсником.- В кн.: Широкополосные усилители.- Томск: Изд-во ТГУ, 1975, вып. 4, с. 4−17.

159. Бабак Л. И. Определение функции входного сопротивленияцепи по заданный реальной и мнимой составляющим с помощью ЭЦВИ, — в кн.: Наносекундные и субнаносекундные усилители.- Томск: Изд-во ТГУ, 1976, с. 159−167.

160. Бабак Л. И. Анализ транзисторных СВЧ усилителей с обратной связью с помощью круговых диаграмм.- В кн.: Полупроводниковая электроника в технике связи /Под ред. И. Ф. Николаевского.- М.: Связь, 1978, вып. 19, с. 69−81.

161. Бабак Л. И. Синтез двухполюсных цепей с заданными частотными характеристиками иммитанса.- Радиотехника, 1981, т. 36, № II, с. 36−44.

162. Бабак Л. И. Подход к машинному проектированию транзистор& laquo-* ных широкополосных СВЧ усилителей с позиций классического синтеза. «- В сб.: Измерительные комплексы и системы: Тезисы докладов Всесоюзной конференции. Часть I.- Томск, 1981, с. 110−113.

163. Авдоченко Б. И., Бабак Л. И., Обихвостов В. Д. Транзисторный видеоусилитель импульсов наносекундной длительности с повышен-. ным выходным напряжением, — Приборы и техника эксперимента, 1980, № 5, с. 107−109.

164. Разработка усилителя наносекундных импульсов на полупроводниковых приборах. Отчёт /ТИАСУР- Науч. рук. И. А. Суслов.- Шифр 38/69- 8* гос. ре г. 7I0I8322- Инв. № Б237 946.- Томск, I97I. -6I с.

165. Разработка широкополосных и импульсных усилителей. Отчёт /ТИАСУР- Науч. рук. И. А. Суслов.- Шифр 23/72- «гос. рег. 72 057 509- Инв. № Б205 195& mdash- Томск, I972. -78 с.

166. Разработка широкополосных и импульсных усилителей. Книга I. Отчёт /ШСУР- Науч. рук. И. А. Суслов.- Шифр 23/72- «гос. рег. 72 057 509- Инв. № Б331 381.- ТЬмск, I974. -83 с.

167. Разработка транзисторных наносекундных усилителей с повышенным уровнем выходного сигнала. Книга I. Отчёт /ТИАСУР- Науч. рук. И. А. Суслов.- Шифр 12/73- «гос. рег. 73 071 809- Инв. «Б349 189. -Томск, 1974.- 75 с.

168. Разработка транзисторных наносекундных усилителей с повышенным уровнем выходного сигнала. Книга 2. Отчёт /ТИАСУР- Науч. рук. И. А. Суслов.- Шифр 12/73- «гос. рег. 73 071 809- Инв. «Б545 451& mdash- Томск, 1976. -46 с.

169. Разработка наносекундных усилителей с высоким уровнем выходного сигнала. Книга I. Отчёт /ТИАСУР- Науч. рук. И. А. Суслов. -Шифр 26/76- fc гос. рег. 77 073 499- Инв. «Б626 193.- ТЬмск, 1977.- ИЗ с.

170. Разработка мощных субнаносекундных видеоусилителей с регулируемым усилением с использованием ЭЦВМ. Отчёт /ТИАСУР- Науч. рук. Суслов И.А.- Шифр 7/80- «гос. рег. 80 074 275- Инв. «2 817 015 822. -Томск, 1981.- ИЗ с.

Заполнить форму текущей работой