Динамическая самоорганизация системы квазидвумерных экситонных поляритонов в условиях резонансного фотовозбуждения

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Физико-математические науки
Страниц:
107


Узнать стоимость новой

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Физические закономерности взаимодействия света и вещества рассматривались на протяжении всей истории естествознания. Однако бурное развитие микро- и нано-технологии в конце XX века позволило контролируемым образом создавать объекты с размерами меньше длины волны света, что обнаружило новые аспекты этой проблемы. Были открыты квазичастицы (элементарные возбуждения), представляющие собой связанные состояния света и вещества. Один из самых интересных примеров такого рода — квазидвумерные экситонные поляритоны, возникающие в активном слое планарного полупроводникового микрорезонатора за счет сильной связи эксито-на (электрон-дырочной пары) и резонаторной фотонной моды [1].

Квазидвумерные поляритоны характеризуются чрезвычайно малой эффективной массой (Ю-4 — Ю-5 массы электрона в вакууме) и обладают уникальной дисперсией Ei, p (k), имеющей точку перегиба в области световых квазиимпульсов (индекс 'LP' указывает нижнюю ветвь поляритонной дисперсии, совпадающую с дисперсией экси-тона при больших к). Система поляритонов в микрорезонаторе обнаруживает свойства слабонеидеального квазидвумерного бозе-газа- обменное взаимодействие электронов, составляющих экситонные состояния (композитные бозоны), приводит к поляритон-поляритонному рассеянию. Представляя характерный пример открытой диссипатив-ной системы с нелинейным взаимодействием, система квазидвумерных поляритонов обнаруживает примечательные коллективные свойства, теоретическому исследованию которых и посвящена данная диссертация.

Актуальность темы. Ключевой эффект, анализу которого будет уделено большое внимание, наблюдается экспериментально в условиях резонансного оптического возбуждения системы квазидвумерных поляритонов. В 2000 г. было обнаружено, что возбуждение в окрестности точки перегиба дисперсии Е^р (к) с положительной расстройкой энергии относительно резонанса [Ер > ?ьр (?ф)] приводит к пороговому усилению моды к ~ 0, в результате чего появляется гигантский сигнал люминесценции резонатора в направлении нормали к поверхности [2, 3]. Последующие эксперименты показали, что с увеличением плотности накачки на несколько процентов (вблизи порога) сигнал в направлении sin0 = hck/Ep ж 0 относительно нормали возрастает на несколько порядков [4, 5, 6].

Начиная со времени первых экспериментов, о которых сказано выше, процессы перераспределения возбуждения в системе поляритонов вызывают неослабевающий интерес. В теоретических работах была предложена модель параметрического рассеяния фотовозбужденных поляритонов из состояния (кр, Ер) в состояния (ks, Es) и (к-,& pound--), получившие названия & quot-сигнала"- и & quot-холостого сигнала& quot- (англ. «idler»), соответственно, с сохранением энергии и планарного квазиимпульса: ks + kj = 2kp, Es + E — 2Ep. В том случае, когда накачка фиксирована в окрестности точки перегиба дисперсии

E’lp (к), & quot-сигнал"- и & quot-холостой сигнал& quot- также находятся на дисперсионной кривой, и потому рассеяние идет намного более интенсивно [7, 8]. Заметим, однако, что законы сохранения предполагают сильную зависимость положения & quot-сигнала"- от импульса и частоты возбуждения, не наблюдающуюся в экспериментах.

Очерченная проблема & quot-неравновесной конденсации& quot- поляритонов остается не вполне решенной вплоть до настоящего времени. В частности, не совсем ясны процессы развития неустойчивости, приводящие к появлению выделенного & quot-сигнала"- в направлении в = 0, а также динамика неравновесных переходов, в которых осуществляется критическая трансформация состояния. Настоящая работа посвящена исследованию этих явлений.

Основная цель настоящей работы состоит в исследовании эффектов, приводящих к пороговой трансформации состояния системы квазидвумерных поляритонов в условиях резонансного фотовозбуждения.

Поставлены следующие задачи:

• Исследовать возможные сценарии развития параметрической неустойчивости в системе квазидвумерных поляритонов.

• Проанализировать динамику неравновесного перехода в состояние с выделенным & quot-сигналом"- стимулированного рассеяния и определить условия, в которых такой сигнал возникает под действием когерентной накачки.

• Исследовать отклик системы квазидвумерных поляритонов в зависимости от оптической поляризации возбуждения.

Теоретический формализм, в рамках которого решаются поставленные задачи, основан на квазиклассической теории слабонеидеального бозе-газа с кубичной нелинейностью во взаимодействии. Решаются уравнения, аналогичные уравнению Гросса-Питаевского в приближении среднего поля, учитывающие внешнюю накачку и экситон-экситонное взаимодействие в системе большого числа (порядка нескольких тысяч) экситонных и фотонных мод на двумерной сетке планарных квазиимпульсов. Данный подход обусловлен выбором предмета исследования: существенно коллективных эффектов в сильно неравновесной системе взаимодействующих бозонов с мак-розаполненными когерентными модами, возникающими под действием когерентной накачки. Таким образом, вопрос об исходном возникновении когерентности нами не рассматривается.

Научная новизна и практическая ценность работы состоит в решении указанных выше задач, в известной мере являющихся ключевыми для понимания свойств нелинейного отклика системы планарных поляритонов в микрорезонаторе.

К защите представлены следующие основные результаты.

1. Построена теоретическая модель динамики квазидвумерных экситонных поля-ритонов в условиях резонансного когерентного фотовозбуждения, учитывающая процессы упругого экситон-экситонного рассеяния в приближении среднего поля. На примере численного решения уравнений эволюции показано, что процессы перераспределения возбуждения в системе поляритонов приводят к выраженному гистерезису сигнала стимулированного рассеяния в зависимостях от внешней накачки и амплитуды возбуждаемой моды, в качественном согласии с результатами недавних экспериментов.

2. Исследован процесс развития параметрической неустойчивости в системе квазидвумерных поляритонов. Найдено, что в том случае, когда планарная проекция волнового вектора накачки фиксирована вблизи точки перегиба нижней поляритонной ветви, а частота превышает собственную частоту поляритона, в системе пороговым образом возникает многомодовая неустойчивость. Именно, сколь угодно плавный рост интенсивности накачки вблизи порога приводит к скачку интенсивности возбуждаемой поляритонной моды и быстрому заполнению множества мод в конечной двумерной области-пространства (жесткое возбуждение стимулированного рассеяния).

3. Найдено, что в случае жесткого возбуждения стимулированного рассеяния становятся существенными коллективные эффекты, приводящие к появлению выделенного сигнала в направлении нормали к поверхности (ks 0). Квазистационарное распределение интенсивности поля в активном слое резонатора обнаруживает резкие максимумы в направлениях ks 0 (сигнал), кр (накачка) и 2кр& mdash- ks" 2кр (холостой сигнал), в хорошем качественном согласии с результатами экспериментов. Переход к такому состоянию сопровождается значительным спектральным сужением сигнальной моды (ks) и появлением линейных участков дисперсии в окрестностях ks, kp и 2kp- ks.

4. Показано, что устойчивость квазистационарного состояния с выделенным сигналом рассеяния (ks) обусловлена сильными корреляциями в поведении «надкон-денсатных» мод, имеющих значительно меньшую интенсивность. Таким образом, установлено, что теория, описывающая процесс порогового усиления сигнала в области k ~ 0, а также свойства такого сигнала в квазистационарном режиме, принципиально несводима к моделям типа параметрического осциллятора, учитывающим только три поляритонные моды ks, kp и 2kp- ks.

5. Исследованы свойства системы квазидвумерных поляритонов в случае произвольной оптической поляризации возбуждения. Найдено, что поляритон-поляритонное взаимодействие приводит к неоднозначности отклика поля в активном слое резонатора- число различающихся решений, определяющих стационарное состояние возбуждаемой моды, зависит от поляризации накачки и в общем случае может достигать четырех. В критических точках, в которых меняется количество и/или устойчивость стационарных решений, сколь угодно плавное изменение параметров накачки может привести к скачку состояния возбуждаемой моды. Проанализированы критические переходы, осуществляющиеся за счет изменения интенсивности и поляризации возбуждения. Показано, что даже малое отклонение поляризации накачки от строго линейной может привести к значительной циркулярной поляризации поля в активном слое.

6. Установлено, что взаимодействие экситонов с противоположными проекциями полного момента (Jz = ±1) приводит к возможности спонтанного нарушения симметрии а±-компоиент поля в активном слое резонатора в условиях строго линейной поляризации когерентной накачки. Диапазон значений интенсивности накачки, в котором наблюдается данный эффект, существенно зависит от частоты возбуждения.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на семинарах ИФТТ РАН, ФИАН им. П. Н. Лебедева, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Физическом факультете МГУ им. М. В. Ломоносова, рабочих семинарах университетов Клермон-Феррана (Франция) и Шеффилда (Великобритания), а также на международных конференциях: «Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures» (Магдебург, 2006 г., устный доклад), «4th Russian-French Workshop on Nanosciences and Nanotechnologies» (Гренобль, 2007 г., приглашенный доклад).

Публикации. По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано пять печатных работ.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка публикаций по материалам диссертации и списка литературы.

4.4 Выводы и общие замечания о результатах четвертой главы

Суммируем основные результаты, полученные в данной главе.

• Поляритон-поляритонное взаимодействие приводит к неоднозначности отклика поля в активном слое резонатора- число различающихся решений, определяющих стационарное состояние возбуждаемой моды, зависит от поляризации накачки и в общем случае может достигать четырех. В критических точках, в которых меняется количество и/или устойчивость стационарных решений, сколь угодно плавное изменение параметров накачки может привести к скачку состояния возбуждаемой моды. Нами проанализированы критические переходы, осуществляющиеся за счет изменения интенсивности и поляризации возбуждения. Показано, что даже малое отклонение поляризации накачки от строго линейной может привести к значительной циркулярной поляризации поля в активном слое.

В разд. 4. 2, где эти результаты обоснованы, мы не принимали во внимание возможность параметрического распада состояния возбуждаемой моды (кр) в другие к-состояния. В соответствующих расчетах, связанных с анализом решений системы (134), положение кр не имеет специального значения и, следовательно, может быть выбрано в близкой окрестности к = 0, где такого распада не происходит (см. [А5]). Таким образом, мы ожидаем, что полученные результаты (в частности, характер зависимости поля в активном слое от интенсивности и поляризации накачки) могут быть проверены экспериментально- отметим, что простая бистабильность, типичная для |/9ext| = 1, действительно наблюдалась при возбуждении с кр и 0 [82]. С другой стороны, ясно, что в случае кр ~ кшя характер трансформации возбуждаемой моды с ростом накачки имеет определяющее значение для перехода в режим стимулированного рассеяния — несмотря на то что, вообще говоря, такая трансформация уже не может рассматриваться как строго одномодовая. Возникающие здесь задачи анализа обратного влияния рассеянного сигнала на состояние возбуждаемой моды представляют широкое поле дальнейших исследований. Ожидается, например, что коллективное состояние системы взаимодействующих поляритонов (см. гл. 3) обнаружит примечательные нелинейные свойства, связанные с оптической поляризацией.

• Взаимодействие экситонов с противоположными проекциями полного момента (V+ < 0) приводит к возможности спонтанного нарушения симметрии а'^'-компонент поля в активном слое в условиях строго линейной (симметричной) поляризации когерентной накачки. Диапазон значений интенсивности накачки, в котором наблюдается данный эффект, существенно зависит от частоты возбуждения.

Возможность такого эффекта установлена путем исследования стационарных решений (134), а также анализа устойчивости в приближении (138−142). Вслед за этим мы рассмотрели динамику трансформации возбуждаемой моды вблизи критической точки, решив исходные уравнения (128, 129), и нашли, что спонтанное усиление сг±или сг~-компоненты поля в активном слое происходит с равной вероятностью. В дальнейших работах должен быть сделан более последовательный анализ структурной устойчивости ([96]), а также роли флуктуаций, & quot-управляющих"- переходом и, в частности, определяющих характерные времена трансформации как в классическом, так и в существенно квантовом описаниях (см., например, [100]).

• В том случае, когда в процессе критической трансформации состояние раскачиваемой моды (кр) остается линейно поляризованным (в условиях линейной поляризации внешнего поля J7), жесткое возбуждение стимулированного рассеяния (кр, кр) -> (ks, 2кр& mdash-ks) приводит к усилению & quot-сигнала"- (ка и 0), поляризованного по нормали к накачке: V{ks) L Т.

Эффект инверсии линейной поляризации в процессе параметрического рассеяния был обнаружен экспериментально ([97, 98]) и описан в рамках предположения о малой интенсивности рассеянного сигнала ([99]). Мы нашли, что тот же эффект имеет место в ситуации жесткого возбуждения рассеяния — тогда, когда & quot-сигнал"- ks ~ 0 возникает вследствие самоорганизации и оказывает сильное обратное воздействие на состояние возбуждаемой моды, а система в целом характеризуется значительной корреляцией множества поляритонных гармоник.

Заключение

В настоящей работе исследован достаточно сложный механизм развития параметрической неустойчивости, характерный для неравновесной системы квазидвумерных экситонных поляритонов. Ключевая особенность этой системы — существование точки перегиба дисперсионной кривой [k = kinfl] в области световых квазиимпульсов. Мы показали, что бистабильность (характерная для нелинейного осциллятора) и неустойчивость относительно распада возбуждаемой моды kp ~ к! пП могут возникать совместно, приводя к возможности новых динамических режимов. По достижении критической плотности накачки происходит взрывообразное усиление большого числа мод в двумерной области /с-пространства, после чего динамика системы становится сильно стохастической. Последующая эволюция (в условиях стационарной накачки) осуществляется как процесс самоорганизации, с течением времени приводящей к появлению корреляции множества волновых гармоник и, одновременно с этим, — к появлению выделенного сигнала (макрозаполненной моды) рассеяния в области дна нижней поляритонной ветви.

Таким образом, нами установлено, что гигантский сигнал стимулированного рассеяния возникает за счет образования коллективного состояния в системе взаимодействующих поляритонных мод. Коллективные эффекты приводят к макроскопической пространственной и временной когерентности, а также к выраженному гистерезису сигнала в зависимостях от внешней накачки и амплитуды возбуждаемой моды. Эти результаты находятся в хорошем качественном соответствии с результатами недавних экспериментов и открывают широкую перспективу для дальнейших исследований. В частности, необходимо установить характерные параметры порядка связанной многочастичной системы такого рода, исследовать роль флуктуаций и построить статистическую теорию осуществляющихся неравновесных переходов. В свою очередь, это позволит проанализировать другие возможности управления состоянием вблизи критических точек, например с помощью возбуждения акустических волн, приводящего к трансформации закона дисперсии поляритонов за счет экситон-фононного взаимодействия.

Кроме того, нами был исследован случай произвольной оптической поляризации возбуждения. Было найдено, что в общем случае экситонная нелинейность приводит к мулътистабильности (в отличие от простой бистабильности) отклика возбуждаемой моды. Установлена возможность неравновесных переходов, в которых осуществляются резкие изменения как амплитуды, так и состояния поляризации поля в активном слое под действием сколь угодно плавно меняющейся накачки. Наиболее интересный эффект такого рода связан с возможностью спонтанного нарушения симметрии ст*-компонент экситонной плотности в условиях строго линейной (симметричной) оптической поляризации возбуждения. Данный эффект имеет место только тогда, когда константа взаимодействия экситонов с противоположными проекциями полного момента (Jz = ±1) принимает отрицательные значения, и сильно зависит от интенсивности и частоты накачки. Ожидается, что изучаемые нами процессы эффективного & quot-переключения"- отклика низкоразмерной оптической системы найдут практическое приложение.

В заключение я хотел бы выразить искреннюю благодарность моим учителям и коллегам, без постоянного участия и поддержки которых эта работа никогда не была бы выполнена. Я глубоко признателен своему научному руководителю Владимиру Дмитриевичу Кулаковскому за постоянное внимание и всестороннюю поддержку на всех этапах работы. Хочу особенно поблагодарить Николая Алексеевича Гиппиуса и Сергея Григорьевича Тиходеева, моих старших коллег и наставников.

Показать Свернуть

Содержание

1 Обзор литературы

1.1 Экситонные поляритоны.

1.1.1 Экситонные состояния в полупроводниковых средах.

1.1.2 Экситон-фотонное взаимодействие

1.1.3 Экситонные поляритоны в планарном микрорезонаторе.

1.2 Стимулированное поляритон-поляритонное рассеяние.

1.2.1 Экситон-экситонное взаимодействие.

1.2.2 Стимулированное поляритон-поляритонное рассеяние в приближении среднего поля. Оптический параметрический осциллятор

2 Анализ устойчивости возбуждаемой поляритонной моды

2.1 Квазиклассическая модель системы экситонных и фотонных состояний в активном слое планарного резонатора.

2.2 Сдвиг резонансной энергии и бистабильность отклика возбуждаемой моды поля в активном слое.

2.3 Перенормировка спектра поляритона. Анализ устойчивости относительно рассеяния.

2.4 Взаимовлияние бистабильности и параметрической неустойчивости. Жесткое возбуждение поляритон-поляритонного рассеяния.

2.5 Выводы и общие замечания о результатах второй главы.

3 Динамическая самоорганизация системы взаимодействующих поля-ритонов

3.1 Численный анализ эволюции системы поляритонов (общие замечания)

3.2 Эволюция после прохождения порога неустойчивости: формирование сигнала рассеяния (ks ~ 0).

3.3 Коллективные эффекты рассеяния.

3.4 Пороговая трансформация распределения сигнала рассеяния: результаты эксперимента. Гистерезис сигнала в зависимостях от внешней накачки и амплитуды возбуждаемой поляритонной моды.

3.5 Выводы и общие замечания о результатах третьей главы

4 Стимулированное рассеяние в условиях взаимодействия оптических (ст*) компонент поля экситонной поляризации

4.1 Квазикласснческая модель экситон-фотонной системы в микрорезонаторе, учитывающая оптическую поляризацию.

4.2 Мультистабильность отклика возбуждаемой моды поля в активном слое

4.3 Стимулированное рассеяние в общем случае произвольно поляризованной накачки. Эффект инверсии линейной поляризации.

4.4 Выводы и общие замечания о результатах четвертой главы.

Список литературы

1. С. Weisbuch, М. Nishioka, A. 1. hikawa, Y. Arakawa. Observation of coupled exciton-photon mode splitting in a semiconductor quantum microcavity, Phys. Rev. Lett. 69, 3314 (1992)

2. A. I. Tartakovskii, D. N. Krizhanovskii, V. D. Kulakovskii. Polariton-polariton scattering in semiconductor microcavities: Distinctive features and similarities to the three-dimensional case, Phys. Rev. В 62, R13298 (2000)

3. V. D. Kulakovskii, A. I. Tartakovskii, D. N. Krizhanovskii, N. A. Gippius, M. S. Skolnick, J. S. Roberts. Nonlinear effects in a dense two-dimensional exciton-polariton system in semiconductor microcavities, Nanotechnology 12, 475 (2001)

4. R. Butte, M. S. Skolnick, D. M. Whittaker, D. Bajoni, J. S. Roberts. Dependence of stimulated scattering in semiconductor microcavities on pump power, angle, and energy, Phys. Rev. В 68, 115 325 (2003)

5. В. Д. Кулаковский, Д. Н. Крижановский, М. Н. Махонин, А. А. Деменев, Н. А. Гиппиус, С. Г. Тиходеев. Стимулированное поляритон-поляритонное рассеяние в полупроводниковых микрорезонаторах, УФН 175, 334 (2005)

6. С. Ciuti, P. Schwendimann, В. Deveaud, A. Quattropani. Theory of angle-resonant polariton amplifier, Phys. Rev. В 62, R4825 (2000)

7. D. M. Whittaker. Classical treatment of parametric processes in a strong-coupling planar microcavity, Phys. Rev. В 63, 193 305 (2001)

8. G. H. Wannier, Phys. Rev. 52, 191 (1937)

9. R. S. Knox. Theory of Excitons (New York, 1963) Нокс P. С. Теория экситонов (& quot-Мир"-, Москва, 1966)]

10. И. Н. Haken. Quantenfeldtheorie des festkorpers (В. G. Teubner, Stuttgart, 1973) Xa-кен X. Квантовополевая теория твердого тела (& quot-Наука"-, Москва, 1980)]

11. J1. В. Келдыш, А. Н. Козлов. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках, ЖЭТФ 54, 978 (1968)

12. J. J. Hopfield. Theory of the contribution of excitons to the complex dielectric constant of crystals, Phys. Rev. 112, 1955 (1958)

13. Y. Yamamoto, F. Tassone, H. Cao. Semiconductor Cavity Quantum Electrodynamics (Springer, Berlin, 2000)

14. E. Yablonovitch. Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics, Phys. Rev. Lett. 58, 2059 (1987)

15. E. L. Ivchenko, G. E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Properties (Springer, Berlin, 1995)

16. R. P. Stanley, R. Houdre, U. Oesterle, M. Ilegems, C. Weisbuch. Impurity modes in one-dimensional periodic systems: The transition from photonic band gaps to microcavities, Phys. Rev. A 48, 2246 (1993)

17. R. C. Miller, D. A. Kleinman, W. T. Tfeang, A. C. Gossard. Observation of the excited level of excitons in GaAs quantum wells, Phys. Rev. В 24, 1134 (1981)

18. G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, E. Esaki. Exciton binding energy in quantum wells, Phys. Rev. В 26, 1974 (1982)

19. R. L. Greene, К. K. Bajaj, D. E. Phelps. Energy levels of Wannier excitons in GaAs quantum-well structures, Phys. Rev. В 29, 1807 (1984)

20. L. C. Andreani and A. Pasquarello. Accurate theory of excitons in GaAs quantum wells, Phys. Rev. В 42, 8928 (1990)

21. V. M. Agranovich, O. A. Dubovskii, JETP Lett. 3, 233 (1966)

22. E. Hanamura. Rapid radiative decay and enhanced optical nonlinearity of excitons in a quantum well, Phys. Rev. В 38, 1228 (1988)

23. L. C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani. Radiative lifetime of free excitons in quantum wells, Solid State Commun. 77, 641 (1991)

24. B. Deveaud, F. Clerot, N. Roy, K. Satzke, B. Sermage, D. S. Katzer. Enhanced radiative recombination of free excitons in GaAs quantum wells, Phys. Rev. Lett. 67, 2355 (1991)

25. B. Sermage, B. Deveaud, K. Satzke, F. Clerot, D. Dumas, N. Roy, D. S. Katzer, F. Mollot, R. Planel, M. Berz, J. L. Oudar, Superl. Microst. 13, 271 (1993)

26. D. S. Citrin. Homogeneous-linewidth effects on radiative lifetimes of excitons in quantum wells, Solid State Commun. 84, 281 (1992)

27. D. S. Citrin. Radiative lifetimes of excitons in quantum wells: Localization and phase-coherence effects, Phys. Rev. В 47, 3832 (1993)

28. N. Peyghambarian, H. M. Gibbs, J. L. Jewell, A. Antonetti, A. Migus, D. Hulin, A. Mysyrowicz. Blue Shift of the Exciton Resonance due to Exciton-Exciton Interactions in a Multiple-Quantum-Well Structure, Phys. Rev. Lett. 53, 2433 (1984)

29. D. S. Citrin, Comments Condens. Matt. Pliys., 16, 263 (1993)

30. E. L. Ivchenko. Excitonic polaritons in periodic quantum well structures, Sov. Phys. Solid State 33, 1344 (1991)

31. F. Tassone, F. Bassani, L. C. Andreani. Quantum well reflectivity and exciton-polariton dispersion, Phys. Rev. В 45, 6023 (1992)

32. A. Kavokin, G. Malpuecli. Cavity Polaritons (Elsevier, Amsterdam, 2003)

33. V. Savona, L. C. Andreani, P. Schwendimann, A. Quattropani. Unified treatment of weak and strong coupling regimes, Solid State Commun. 93, 733 (1995)

34. R. Houdre, C. Weisbuch, R. P. Stanley, U. Oesterle, P. Pcllandini, M. Ilegems. Measurment of cavity-polariton dispersion curve from angle-resolved photoluminescence experiments, Phys. Rev. Lett. 73, 2043 (1994)

35. R. J. Elliot, Phys. Rev. 96, 266 (1954) —

36. Y. Yafet. Solid State Physics, Vol. Ц (Academic Press, New York, 1963)

37. Г. E. Пикус, Г. Л. Вир, ЖЭТФ 60, 195 (1971)

38. М. И. Дьяконов, В. И. Перель, Физика твердого тела 13, 3851 (1971)

39. М. Z. Maialle, Е. A. de Andrada е Silva, L. J. Sham. Exciton spin dynamics in quantum wells, Phys. Rev. В 47, 15 776 (1993)

40. S. Pau, G. Bjork, J. Jacobson, H. Cao, Y. Yamamoto. Stimulated emission of a microcavity dressed exciton and suppression of phonon scattering, Phys. Rev. В 51, 7090 (1995)

41. В. Sermage, S. Long, I. Abram, J. Y. Marzin, J. Bloch, R. Planel, V. Thierry-Mieg. Time-resolved spontaneous emission of excitons in a microcavity: Behavior of the individual exciton-photon mixed states, Phys. Rev. В 53, 16 516 (1996)

42. R. P. Stanley, S. Pau, U. Oesterle, R. Houdre, M. Ilegems. Resonant photoluminescence of semiconductor microcavities: The role of acoustic phonons in polariton relaxation, Phys. Rev. В 55, R4867 (1997)

43. F. Tassone, С. Piermarocchi, V. Savona, A. Quattropani, P. Schwendimann. Photoluminescence decay times in strong-coupling semiconductor microcavities, Phys. Rev. В 53, R7642 (1996)

44. J. Bloch, J. Y. Marzin. Photoluminescence dynamics of cavity polaritons under resonant excitation in the picosecond range, Phys. Rev. В 56, 2103 (1997)

45. F. Tassone, C. Piermarocchi, V. Savona, A. Quattropani, P. Schwendimann. Bottleneck effects in the relaxation and photoluminescence of microcavity polaritons, Phys. Rev. В 56, 7554 (1997)

46. A. I. Tartakovskii, M. Imam-Ismail, R. M. Stevenson, M. S. Skolnick, V. N. Astratov,

47. D. M. Whittaker, J. J. Baumberg, J. S. Roberts. Relaxation bottleneck and its suppression in semiconductor microcavities, Phys. Rev. В 62, R2283 (2000)

48. E. Hanamura. Theory of the high density exciton, J. Phys. Soc. Jpn. 29, 50 (1970) —

49. E. Hanamura, J. Phys. Soc. Jpn. 37, 1545 (1974) — E. Hanamura, J. Phys. Soc. Jpn. 37, 1553 (1974) —

50. A. I. Bobrysheva, M. F. Miglei, M. I. Shmiglyuk. On the bi-exciton formation in crystals, Phys. Stat. Sol. (b) 53, 71 (1972)

51. E. Hanamura, H. Haug. Condensation effects of excitons, Phys. Rep. 33, 209 (1977)

52. H. Stilz, R. Zimmermaim, G. Ropke. Correlated Hartree-Fock theory of the electron-hole plasma containing exciton bound states, Phys. Stat. Sol. (b) 105, 585 (1981)

53. A. L. Ivanov, H. Haug. Self-consistent theory of the biexciton optical nonlinearity, Phys. Rev. В 48, 1490 (1993)

54. С. Ciuti, V. Savona, C. Piermarocchi, A. Quattropani. Role of the exchange of carriers in elastic exciton-exciton scattering in quantum wells, Phys. Rev. В 58, 7926 (1998)

55. J. Inoue, T. Brandes, A. Shimizu. Effective hamiltonian for excitons with spin degrees of freedom, J. Phys. Soc. Jpn. 67, 3384 (1998)

56. Yu. P. Svirko, M. Shirane, H. Suzuura, M. Kuwata-Gonokami. Four-wave mixing theory at the excitonic resonance: Weakly interacting boson model, J. Phys. Soc. Jpn., 68, 674 (1999)

57. F. Tassone, Y. Yamamoto. Exciton-exciton scattering dynamics in a semiconductor microcavity and stimulated scattering into polaritons, Phys. Rev. В 59, 10 830 (1999)

58. G. Rochat, С. Ciuti, V. Savona, C. Piermarocchi, A. Quattropani, P. Schwendimann. Excitonic Block equations for a two-dimensional system of interacting excitons, Phys. Rev. В 61, 13 856 (2000)

59. J. Inoue, T. Brandes, A. Shimizu. Renormalized bosonic interactions of excitons, Phys. Rev. В 61, 2863 (2000)

60. К. Bott, О. Heller, D. Bennhardt, S. T. Cundiff, P. Thomas, E. J. Mayer, G. O. Smith, R. Eccleston, J. Kuhl, K. Ploog. Influence of exciton-exciton interactions on the coherent optical response in GaAs quantum wells, Phys. Rev. В 48, 17 418 (1993)

61. J. Fernandez-Rossier, C. Tejedor, L. Munoz, L. Vina. Polarized interacting exciton gas in quantum wells and bulk semiconductors, Phys. Rev. В 54, 11 582 (1996)

62. M. Kuwata-Gonokami, S. Inouye, H. Suzuura, M. Shirane, R. Shimano, T. Someya, H. Sakaki. Parametric Scattering of Cavity Polaritons, Phys. Rev. Lett. 79, 1341 (1997)

63. N. N. Bogoliubov, J. Phys. USSR 11, 23 (1947) —

64. H. H. Боголюбов, H. H. Боголюбов (мл.). Введение в квантовую статистическую механику (& quot-Наука"-, Москва, 1984) —

65. V. A. Zagrebnov, J. В. Bru, The Bogoliubov model of weakly imperfect Bose gas, Phys. Rep. 350, 291 (2001)

66. А. А. Абрикосов, JI. П. Горьков, И. Е. Дзялошинский. Методы квантовой теории поля в статистической физике (& quot-Физматгиз"-, Москва, 1962)

67. N. R. Werthamer, in Superconductivity, Vol. 1, ed. R. D. Parks (Marcel Dekker Inc., New York, 1969)

68. L. P. Pitaevskii, S. Stingari. Bose-Einstein Condensation (Clarendon Press, Oxford, 2003)

69. H. Haken, in Encyclopedia of Physics, Vol. XXV'/2c: Laser Theory (Springer, Berlin, 1970)

70. Ii. Haken. Synergetics, An Introduction: Nonequilibrium Phase Transitions and Self-Organization in Physics, Chemistry and Biology (Springer, Berlin, 1978) Г. Хакен, Синергетика (& quot-Мир"-, Москва, 1980)]

71. С. Ciuti, P. Schwendimann, A. Quattropani. Parametric luminescence of microcavity polaritons, Phys. Rev. В 63, R41303 (2001)

72. С. Ciuti, P. Schwendimann, A. Quattropani. Theory of polariton parametric interactions in semiconductor microcavities, Semicond. Sci. Technol. 18, S279 (2003)

73. A. Baas, J. P. Karr, M. Romanelli, A. Bramati, E. Giacobino. Optical bistability in semiconductor microcavities in the nondegenerate parametric oscillation regime: Analogy with the optical parametric oscillator, Phys. Rev. В 70, 161 307® (2004)

74. C. Ciuti, I. Carusotto. Quantum fluid effects and parametric instabilities in microcavities, Phys. Stat. Sol. (b) 242, 2224 (2005)

75. D. M. Whittaker. Effects of polariton-energy renormalization in the microcavity optical parametric oscillator, Phys. Rev. В 71, 115 301 (2005)

76. M. Wouters, I. Carusotto. Parametric oscillation threshold of semiconductor microcavities in the strong coupling regime, Phys. Rev. В 75, 75 332 (2007)

77. N. A. Gippius, S. G. Tikhodeev, V. D. Kulakovskii, D. N. Krizhanovskii, A. I. Tartakovskii. Nonlinear dynamics of polariton scattering in semiconductor microcavity: Bistability vs. stimulated scattering, Europhys. Lett. 67, 997 (2004)

78. N. A. Gippius, S. G. Tikhodeev. Multiple-polariton scattering in a semiconductor microcavity, J. Phys.: Condens. Matter 16, S3653 (2004)

79. N. A. Gippius, S. G. Tikhodeev, V. D. Kulakovskii. Bistability vs stimulated scattering in semiconductor microcavities, Phys. Stat. Sol. © 2, 744 (2005)

80. H. А. Гиппиус, С. Г. Тиходеев, JI. В. Келдыш, В. Д. Кулаковский. Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах, УФН 175, 334 (2005)

81. В. Ф. Елесин, Ю. В. Копаев. Бозе-конденсация экситонов в сильном магнитном поле, ЖЭТФ 63, 1447 (1972)

82. Н. Н. Боголюбов, Ю. А. Митропольский. Асимптотические методы в теории нелинейных колебаний (& quot-Наука"-, Москва, 1974)

83. Т. С. Ахромеева, С. П. Курдюмов, Г. Г. Малинецкий, А. А. Самарский. Нестационарные структуры и диффузионный хаос (& quot-Наука"-, Москва, 1992)

84. V. Savona, P. Schwedinmann, A. Quattropani. Onset of coherent photoluminescence in semiconductor microcavities, Phys. Rev. В 71 125 315 (2005)

85. A. Baas, J. P. Karr, H. Eleuch, E. Giacobino. Optical bistability in semiconductor microcavities, Phys. Rev. A 69, 23 809 (2004)

86. W. Langbein. Spontaneous parametric scattering of microcavity polaritons in momentum space, Phys. Rev. В 70, 205 301 (2004)

87. H. Haken. Advanced Synergetics: Instability Hierarchies of Self-Organizing Systems and Devices (Springer, Berlin, 1983) Г. Хакен. Иерархии пеустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах (& quot-Мир"-, Москва, 1980)]

88. R. Houdre, С. Weisbuch, R. P. Stanley, U. Oesterle, М. Ilegems. Nonlinear emission of semiconductor microcavities in the strong coupling regime, Phys. Rev. Lett. 85, 2793 (2000)

89. В. Д. Кулаковский, А. И. Тартаковский, Д. H. Крижановский, А. Армитаж, Дж. Роберте, М. С. Сколник. Двумерные экситонные поляритоны и их взаимодействия, УФН, 170, 912 (2000)

90. A. I. Tartakovskii, D. N. Krizhanovskii, D. A. Kurysh, V. D. Kulakovskii, M. S. Skolnick, J. S. Roberts. Polariton parametric scattering processes in semiconductor microcavities observed in continuous wave experiments, Phys. Rev. В 65, 81 308® (2002)

91. D. N. Krizhanovskii, A. I. Tartakovskii, V. D. Kulakovskii, M. S. Skolnick, J. S. Roberts. Threshold power and internal loss in the stimulated scattering of microcavity polaritons, Phys. Rev. В 66, 165 329 (2002)

92. В. Д. Кулаковский, Д. H. Крижановский, А. И. Тартаковский, Н. А. Гиппиус, С. Г. Тиходеев. Поляритон-поляритонное взаимодействие и неравновесная конденсация экситогтых поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах, УФН 173, 995 (2003)

93. V. D. Kulakovskii, М. N. Makhonin, D. N. Krizhanovskii, A. I. Tartakovskii, N. A. Gippius. Instability effects in cw FWM of cavity polaritons in planar microcavities, Phys. Stat. Sol. © 2, 751 (2005)

94. I. Carusotto, C. Ciuti. Spontaneous microcavity-polariton coherence across the parametric threshold. Quantum Monte Carlo studies, Phys. Rev. В 72, 125 335 (2005)

95. D. M. Whittaker. Numerical modelling of the microcavity OPO, Phys. Stat. Sol. © 2, 733 (2005)

96. D. N. Krizhanovskii, D. Sanvitto, A. P. D. Love, M. S. Skolnick, D. M. Whittaker, J. S. Roberts. Dominant Effect of Polariton-Polariton Interactions on the Coherence of the Microcavity Optical Parametric Oscillator, Phys. Rev. Lett. 97, 97 402 (2006)

97. R. Thom. Stabilite Structurelle et Morphogenese (Benjamin, New York, 1972) P. Том. Структурная устойчивость и морфогенез (& quot-Логос"-, 2002)]

98. Т. Poston, I. Stewart. Catastrophe Theory and its Applications («Pitman», London, 1978) Т. Постои, И. Стюарт. Теория катастроф и ее приложения (& quot-Мир"-, Москва, 1980).

99. К. V. Kavokin, P. Renucci, Т. Amand, X. Marie, P. Senellart, J. Bloch, B. Sermage. Linear polarisation inversion: A signature of Coulomb scattering of cavity polo, ritans with opposite spins, Phys. Stat. Sol. © 2, 763 (2005)

100. I. A. Shelykh, A. V. Kavokin, G. Malpuech. Spin dynamics of exciton polaritons in microcavities, Phys. Stat. Sol. (b) 242, No. ll, 2271 (2005)

101. N. S. Maslova, R. Johne, N. A. Gippius. Role of fluctuations in nonlinear dynamics of driven polariton system in semiconductor microcavities, Письма в ЖЭТФ, 86,1. No. 2, 135 (2007)

Заполнить форму текущей работой