Магнитные, резонансные и транспортные свойства примесных и слоистых систем

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Физико-математические науки
Страниц:
286


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

АКТУАЛЬНОСТЬ ИССЛЕДОВАНИЙ

Последние десятилетия стремительными темпами расширяется использование в науке и технике материалов, обладающих сложным составом и сложной структурой. Это приводит к необходимости решения ряда специфических задач, которые порождаются технологическими проблемами, потребностью в более совершенных экспериментальных методиках, необходимостью поиска подходов для описания и прогнозирования свойств таких систем, как керамики, композиты, поликристаллы, стекла, эмульсии, многослойные пленочные структуры. Мы в настоящей работе сосредоточим внимание на некоторых специфических аспектах исследований двух классов магнитоупорядоченных материалов: 1) магнитные кристаллы, легированные примесями- 2) слоистые магнитные структуры.

Непрерывный интерес исследователей к примесным материалам, т. е. к материалам, в исходный состав которых вводится определенное количество химических примесей, связан, прежде всего, с появлением у таких систем новых, часто уникальных, физических свойств, по сравнению с & laquo-чистыми»- составами. Здесь достаточно упомянуть, что, например, все многообразие современной полупроводниковой электроники (диоды, транзисторы, полупроводниковые лазеры и т. д., вплоть до микросхем высокой степени интеграции) основано на присутствии примесных ионов в полупроводниковом материале. Но, несмотря на уже широчайшее практическое использования легированных материалов, в том числе и обладающих магнитным порядком, одной из важнейших на повестке дня остается задача решения фундаментальных вопросов физики примесных систем. Остаются актуальными поиск новых магнитных материалов, в которых примеси могут приводить к новым физическим свойствам, и применение новых методов исследования, что может повлечь за собой обнаружение новых эффектов. Остается насущной и необходимость разработки новых современных теоретических подходов и моделей, которые бы позволяли проводить описание примесных состояний и их влияния на магнитные и другие, связанные с магнитной подсистемой, физические свойства.

Современные тенденции развития физики твердого тела характеризуются тем, что основными объектами исследования все в большей степени становятся не массивные кристаллы, а искусственные слоистые системы — многослойные тонкопленочные структуры. В таких системах существенно меняется большинство электронных свойств — возникает большое число новых, так называемых размерных эффектов. Наиболее кардинальной перестройкой свойств отличаются квантовые размерные структуры, в которых свободные носители заряда локализованы, хотя бы в одном из направлений, в области с размерами порядка дебройлевской длины волны носителей. При этом вступают в силу законы квантовой механики и происходит изменение наиболее фундаментальной характеристики электронной системы — ее энергетического спектра. Квантово-размерные эффекты обладают целой совокупностью уникальных свойств, весьма далеких от того, что можно наблюдать в обычных трехмерных системах. Такие структуры могут служить основой создания новых типов наноэлектронных приборов. При этом использование гетероструктур, содержащих магнитоактив-ные слои, значительно расширяет функциональные возможности низкоразмерных структур, поскольку в этом случае, наряду с зарядом, спин электрона представляет собой активный элемент для хранения, обработки и передачи информации. В настоящее время физика низкоразмерных структур с магнитоактив-ными слоями интенсивно развивается, но устойчивая система взглядов и представлений в этой области исследований окончательно еще не сложилась. Такая ситуация настоятельно требует наращивания усилий в области технологии получения, экспериментального и теоретического исследования магнитных многослойных пленочных структур. По причинам как фундаментального, так и прикладного характера, также не стоит исключать из сферы интересов и системы, которые можно рассматривать как двумерные, в силу их состава и кристаллической структуры.

Примесные и слоистые магнитные системы имеют свои специфические особенности в поведении магнитных и транспортных свойств. Но есть моменты, которые объединяют рассматриваемые классы материалов в рамках настоящей работы и которые, к тому же, во многом определяют актуальность исследований.

Во-первых, общим моментом для этих двух классов материалов является возможность направленного управления их энергетической структурой (а, следовательно, и физическими свойствами) на технологической стадии либо путем легирования примесями, либо путем выбора материала слоев и варьирования их толщины в слоистых системах.

Во-вторых, все исследуемые материалы относятся к классу магнитоупо-рядоченных, и это позволяет использовать для них общие подходы и модельные представления, развитые в физике магнитных явлений.

В-третьих, объединяющий фактор — использование одинаковых экспериментальных подходов. Помимо классических методов, мы привлекали при изучении всех исследуемых систем нетрадиционные методы, в основу которых положен принцип комбинированного воздействия на образец. В этом случае исследуется отклик системы, переведенной в неравновесное состояние, а по характеру релаксации в основное состояние можно судить о характере взаимодействий в системе. Кроме того, применение таких методов позволяет находить эффективные способы управления свойствами различного класса магнитных систем путем внешнего воздействия, что открывает новые возможности для их практического применения.

Перечисленные выше доводы дают основания объединить рассмотрение магнитных примесных и слоистых систем в рамках настоящей работы. Актуальность проведения исследований таких систем представляется обоснованной. В целом, по нашему мнению, работа может быть квалифицирована как исследование, посвященное изучению физических свойств примесных и слоистых систем, обладающих дальним магнитным порядком.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Исследования, составившие предмет настоящей работы, направлены на изучение особенностей физических свойств легированных магнитоупорядоченных кристаллов и слоистых структур с магнитоактивными слоями. Можно вы делить две главные задачи, которые решались при проведении исследований:

• исследовать магнитные статические и резонансные свойства, а также транспортные свойства новых магнитных материалов, полученных в результате легирования или с привлечением пленочных технологий-

• исследовать влияние неравновесных состояний, созданных воздействием внешних возмущений (оптическое излучение, электрический транспортный ток), на магнитные свойства примесных и слоистых магнитных систем.

В последнем случае исследования позволяют, с одной стороны, изучать особенности поведения различного класса систем с дальним магнитным порядком в неравновесном состоянии, а, с другой стороны — получать дополнительную информацию о характере магнитных взаимодействий в таких системах.

В соответствии с определенными задачами в качестве объектов исследования были выбраны следующие материалы: монокристаллы гематита, легированные редкоземельными ионами- монокристаллы манганитов ЬполРЬо. зМпОз и Еи0. 7РЬ0. зМпО3- трехслойные пленки Fe/Si/Fe- структура [(монокристалл манга-нита)/(пленка Fe)]- монокристаллы с квазидвумерной структурой в системе (CH3NH3)2Cu (Cl, Br)4.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

В процессе проведения исследований получены новые результаты, основные из которых выносятся на защиту.

1. Впервые экспериментально исследованы магнитные свойства монокристаллов гематита, легированных редкоземельными ионами. Показано, что:

• редкоземельные ионы непосредственно участвуют в формировании магнитной анизотропии гематита, а все особенности анизотропного поведения определяются спецификой электронного энергетического спектра конкретного иона-

• наблюдаемые экспериментально спин-переориентационные переходы — результат конкуренции магнитных анизотропных вкладов от железной и редкоземельной подсистем легированного кристалла.

2. Впервые обнаружен поляризационно-зависимый эффект оптического облучения в монокристалле гематита, легированном ионами иттербия и галлия. Изучение этого эффекта позволило установить, что:

• фотоиндуцированные изменения связаны с перестройкой электронной структуры фоточувствительного центра, включающего ион иттербия-

• облучение в зависимости от поляризации меняет соотношение центров, находящихся в слабо анизотропном и сильно анизотропном состояниях и распределенных по неэквивалентным позициям кристалла.

3. Проведено комплексное исследование магнитных, резонансных и транспортных свойств кристаллов манганитов. Впервые при изучении фазовой неоднородности в манганитах применен метод исследования частотно-полевых зависимостей спектров магнитного резонанса. Исследования позволили установить наличие состояния с фазовым расслоением в области температуры магнитного фазового перехода, где наблюдается эффект колоссального магнитосо-противления.

4. Обнаружено и исследовано явление изменения проводимости монокристалла манганита, индуцированное магнитным резонансным СВЧ поглощением. Показано, что ключевую роль в механизме изменения проводимости играет состояние фазового расслоения, реализующееся в образце.

5. Впервые экспериментально обнаружено и изучено влияние транспортного тока на проводимость в СВЧ диапазоне в монокристаллах манганита. Установлено, что характер отклика СВЧ проводимости на воздействие переменного тока зависит от внешнего магнитного поля. Определены параметры, которые характеризуют взаимодействия в системе, ответственные за наблюдаемые магнитоэлектрические эффекты.

6. В квазидвумерных кристаллах (CH3NH3)2Cu (Cl, Br)4 впервые экспериментально обнаружено и исследовано нелинейное СВЧ поглощение, по своему характеру подобное классическому нелинейному резонансу ангармонического осциллятора. Впервые обнаружен светоиндуцированный переход между состояниями в бистабильном режиме при нелинейном магнитном резонансе в (СНзМНз)2СиС14. Предложен механизм, обусловленный развитием индуцированных упругих колебаний.

7. Впервые в трехслойных пленках Fe/Si/Fe обнаружено фотоиндуцирован-& quot- ное изменение параметров магнитного резонанса. Исследования позволили установить, что воздействие оптического излучения сводится к возбуждению носителей тока в зону проводимости полупроводникового слоя структуры, приводящее к усилению взаимодействия ферромагнитных слоев железа.

8. Впервые обнаружено магнитосопротивление туннельного типа в структуре, состоящей из монокристалла манганита и пленки железа. Показано, что эффект связан с переходным контактным слоем, обедненным кислородом и обладающим диэлектрическими свойствами. Установлено, что чувствительность сопротивления исследуемой структуры к магнитному полю определяется туннельным вкладом в механизм проводимости, при котором величина туннельного тока зависит от взаимной ориентации магнитных моментов электродов.

ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗНАЧЕНИЕ РАБОТЫ

Полученные в диссертации научные результаты, в целом, способствуют расширению существующих представлений о природе магнитных взаимодействий в кооперативных системах. В частности, они позволяют глубже понять механизмы формирования и изменения магнитных свойств при легировании материалов и при & laquo-конструировании»- многослойных структур. Это, в свою очередь, позволит прогнозировать свойства различного класса магнитных систем и целенаправленно получать материалы с требуемыми свойствами.

Один из аспектов проводимых исследований — изучение влияния оптического излучения на магнитное состояние материалов. Такие исследования важны в рамках проблемы создания электронных устройств, содержащих магнитные элементы, управляемые воздействием оптического излучения. Так кристаллы гематита уже нашли широкое применение в качестве устройств на поверхностных акустических волнах и продолжают оставаться среди перспективных для применения в устройствах магнитоэлектроники. Обнаруженные и исследованные нами поляризационно-зависимые фотомагнитные эффекты в этих кристаллах, легированных редкоземельными ионами, по нашему мнению, позволят реализовать новые устройства с дополнительным каналом управления -оптическим излучением.

Основные надежды на применение манганитов связаны с эффектом колоссального магнитосопротивления, который может служить основой при создании магнитоуправляемых устройств электроники для целей записи, хранения и обработки информации. Изучение магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов позволяет сделать вывод о возможности их использования в качестве электронных элементов, управляемых не только магнитным полем, но и другими внешними воздействиями, например, транспортным током.

Еще одно направление исследований манганитов связано с перспективой применения их в устройствах спинтроники. Высокая спиновая поляризация носителей заряда в этих материалах позволяет надеяться на успешное их применение в качестве источников поляризованных электронов, эмитируемых в магнитные гетероструктуры. Очевидно, что все работы, направленные на выяснение механизмов электронного транспорта в манганитах и магнитных структурах на их основе, остаются востребованными.

При создании экспериментальной базы, которая была необходима при решении поставленных фундаментальных научных задач, был разработан ряд оригинальных приборов, использование которых расширило функциональные возможности экспериментальных установок. На базе этих разработок предложены устройства, относящиеся к области СВЧ техники, которые могут быть использованы при создании радиоаппаратуры для связи, радиолокации, радионавигации, в измерительной технике и научном приборостроении. Часть устройств защищена патентами.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

Основные результаты исследований по теме диссертации были представлены и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

• на международном конгрессе по магнитному резонансу (г. Казань, 1994 г.)

• на международной конференции по магнетизму, ICM-95 (г. Варшава, Польша, 1994 г.).

• на международном симпозиуме & laquo-Неоднородные электронные состояния& raquo- (г. Новосибирск, 1995) —

• на объединенной конференции по магнитоэлектронике (г. Москва, 1995 г.) —

• на VIII Европейской конференции по магнитным материалам и их применению (Киев, Украина, 2000 г.) —

• на международном научном семинаре & laquo-Инновационные технологии& raquo- (г. Красноярск, 2001 г.) —

• на Европейско-Азиатском симпозиуме (г. Екатеринбург, 2001 г.) —

• на XV, XVII и XVIII международных школах-семинарах & laquo-Новые магнитные материалы микроэлектроники& raquo- (г. Москва, 1996, 2000, 2002 гг.) —

• на Московских международных симпозиумах по магнетизму, «MISM» (г. Москва, 1999, 2002 гг.) —

• на международной конференции & laquo-Функциональные материалы& raquo- (Крым, Украина, 2003 г.) —

• на международной конференции Европейского Материаловедческого Общества, «EMRS-Fall Meeting» (г. Варшава, Польша, 2003 г.) —

• на международной конференции по магнетизму (г. Рим, Италия, 2003 г.)

ПУБЛИКАЦИИ

По теме диссертации опубликовано 37 печатных работ в рецензируемых зарубежных и отечественных журналах и сборниках, получено 4 патента РФ.

СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ

Диссертация состоит из введения, шести глав, приложения, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 286 страниц, включая 86 рисунков и одну таблицу. Список цитированной литературы состоит из 218 наименований.

Выводы

• Мы предложили и реализовали ряд технических устройств, в которых используется генераторы СВЧ диапазона с гиромагнитной перестройкой частоты на основе кристалла & laquo-слабого ферромагнетика& raquo- FeBCb. Показаны пути улучшения характеристик таких генераторов, предложены устройства для дистанционного измерения температуры и механических вибраций.

• Предложена конструкция СВЧ выключателя, которая позволяет осуществлять включение-выключение проходящей СВЧ мощности при помощи изменения внешнего магнитного поля. Реализована возможность управления СВЧ выключателем оптическим излучением.

• Предложены способы металлизации диэлектриков. Учитывая характеристики используемых диэлектриков и получаемого медного покрытия, указанный способ может найти применение при изготовлении, например, микрополосковых схем СВЧ диапазона.

Заключение

В данной диссертации приведены результаты исследований двух классов магнитных систем — примесных и слоистых магнитных систем. Основное внимание при проведении исследований было уделено тем аспектам, которые объединяют эти два, казалось бы, различных класса материалов. Во-первых, это возможность формировать энергетическую структуру и, следовательно, физические свойства материалов на стадии технологии, путем легирования примесями или выбором материала слоев и варьированием их толщины в слоистых системах.

В работе на конкретных примерах показано как изменяются свойства магнитоупорядоченных кристаллов при введении в их состав примесных ионов. Для случая локальных примесей в качестве примера выбраны кристаллы гематита с примесями редкоземельных ионов, пример материалов с высоким уровнем легирования — примесные кристаллы манганитов.

На примере кристаллов, где & laquo-слоистость»- определяется их кристаллической структурой, показаны особенности динамических магнитных свойств, вызванные квазидвумерным характером магнитных взаимодействий в системе. В этом случае, целенаправленное изменение сорта ионов в составе соединений приводит к изменению величины и характера магнитных взаимодействий, кристаллическая структура при этом остается неизменной.

Исследования слоистых структур с магнитоактивными слоями, разделенными полупроводниковыми прослойками, подтвердили высокий потенциал таких структур, поскольку в этом случае появляется возможность управлять магнитными взаимодействиями в системе, не только варьируя толщину прослойки, но и путем внешних воздействий.

Вообще, поиск эффективных способов управления магнитными свойствами примесных и слоистых систем путем внешнего воздействия являлся одной из главных целей настоящей работы. Удалось показать, что при соответствующем выборе объекта и способа создания неравновесных состояний в какой-либо подсистеме этого объекта можно заметно изменять его физические свойства.

Очевидно, что все проведенные исследования направлены на выяснения физической картины поведения различных классов систем, обладающих дальним магнитным порядком. В то же время, очевиден и прикладной аспект исследований, поскольку возможность направленного управления свойствами материалов — это прямой путь к созданию новых устройств функциональной электроники.

Перейдем теперь к изложению основных выводов работы.

1. Проведено экспериментальное исследование магнитных анизотропных свойств слабоферромагнитных кристаллов гематита, легированных редкоземельными ионами. Показано, что особенности поведения магнитной анизотропии определяются энергетической структурой конкретного редкоземельного иона. Теоретическая модель, учитывающая особенности реального энергетического спектра ионов Но3+, в которой матрица-кристалл рассматривается в континуальном приближении, а примесные редкоземельные ионы как квазиизин-говские, позволила рассчитать и объяснить магнитные анизотропные свойства кристаллов а-БегОз, легированных ионами гольмия. Установлено, что наблюдаемые спин-переориентационные фазовые переходы, индуцированные примесями ионов Dy и ТЬ, являются результатом конкуренции анизотропий железной и редкоземельной подсистем кристалла.

2. Экспериментально обнаружено поляризационно-зависимое изменение магнитного состояния в монокристалле гематита, легированном ионами Ga и Yb. Предложена модель фоточувствительного центра- в рамках модели предполагается, что эффект связан с перестройкой фоточувствительного центра, содержащего ион Yb и F-центр- облучение меняет соотношение центров, находящихся в слабо анизотропном и сильно анизотропном состояниях и распределенных по неэквивалентным позициям кристалла. Установлено, что регистрируемые фотоиндуцированные изменения определяются двумя конкурирующими процессами: 1) облучение изменяет магнитную энергию центров за счет увеличения заселенности высоколежащих энергетических уровней- 2) облучение изменяет состояние фотомагнитных центров в процессе оптической накачки и термической релаксации.

3. Проведено исследование магнитных резонансных и транспортных свойств кристаллов манганитов составов Еи0. 7РЬ0. зМпО3 и ЬаолРЬо. зМпОз. Установлено наличие смешанного двухфазного состояния в области температуры магнитного фазового перехода, где наблюдается эффект KMC. Показано, что гетерофазное состояние определяется механизмом электронного фазового расслоения. Впервые при изучении фазовой неоднородности в манганитах применен метод исследования частотно-полевых зависимостей спектров магнитного резонанса, который позволил идентифицировать сосуществующие фазы и детектировать изменения фазового состояния системы в результате внешних воздействий. Обнаружено и исследовано явление изменения проводимости монокристалла Еио^РЬо. зМпОз, индуцированное магнитным резонансным СВЧ поглощением. Установлено, что ключевую роль в механизме изменения проводимости играет состояние фазового расслоения, реализующееся в образце. Для анализа результатов привлечены феноменологические модели, которые качественно воспроизводят существенные особенности поведения реальных кристаллов при изменении температуры, магнитного поля и в условиях магнитного резонансного СВЧ поглощения.

4. Экспериментально обнаружено и изучено влияние транспортного тока на проводимость в СВЧ диапазоне в монокристаллах ЬаолРЬо. зМпОз. Результаты проанализированы в рамках осцилляторного приближения. Получены параметры системы, определяющие характер возможных взаимодействий, ответственных за наблюдаемые магнитоэлектрические эффекты. Предполагается, что в основе механизма токового воздействия лежит явление электронного фазового расслоения.

5. В квазидвумерных кристаллах (CH3NH3)2CuCl4 и (CH3NH3)2CuBr4 экспериментально обнаружено и исследовано нелинейное СВЧ поглощение, по своему характеру подобное классическому нелинейному резонансу ангармонического осциллятора. Обнаружен светоиндуцированный переход между состояниями в бистабильном режиме при нелинейном магнитном резонансе в (СНзИНз^СиСЦ. Результаты проанализированы в рамках осцилляторного подхода.

6. Методом магнитного резонанса исследована зависимость межслоевого магнитного взаимодействия в трехслойных пленках Fe/Si/Fe от толщины кремниевой прослойки, температуры и оптического облучения. Для объяснения наблюдаемого поведения привлечена модель & laquo-квантовой ямы& raquo-. Показано, что зависимость взаимодействия от температуры может быть связана с изменением концентрации электронов в зоне проводимости полупроводниковой прослойки. Воздействие оптического излучения сводится к возбуждению носителей тока в зону проводимости, где происходит заселение спин-зависимых состояний & laquo-квантовой ямы& raquo-, приводящее к восстановлению взаимодействия ферромагнитных слоев Fe.

7. Обнаружено магнитосопротивление туннельного типа в структуре, представляющей собой монокристалл манганита Еио^РЬо. зМпОз с нанесенной на него эпитаксиальной пленкой Fe. Эффект связывается с формированием в при-контактной области манганит-Fe переходного слоя, обедненного кислородом и обладающего диэлектрическими свойствами. Чувствительность сопротивления исследуемой структуры к магнитному полю определяется как отрицательным магнитосопротивлением кристалла манганита, так и туннельным вкладом в механизм проводимости, при котором величина туннельного тока зависит от взаимной ориентации магнитных моментов электродов (кристалл ЕиолРЬо. зМпОз и пленка Fe).

8. Созданы экспериментальные установки для исследования магнитных резонансных и электрических свойств материалов. Конструкция автоматизированного спектрометра магнитного резонанса позволяет реализовать методы исследования, основанные на детектировании отклика системы при комбинированном воздействии: метод двойного радио-оптического резонанса- метод детектирование магнитного резонанса по изменению проводимости образца- исследование СВЧ проводимости образцов при воздействии транспортного тока.

Благодарности

Считаю своим приятным долгом поблагодарить всех сотрудников лаборатории Резонансных свойств магнитоупорядоченных веществ Института физики СО РАН за всестороннюю помощь на протяжении всех этапов выполнения этой работы. Я особо признателен заведующему лабораторией проф. Г. А. Пет-раковскому и ведущему научному сотруднику лаборатории (в настоящее время заведующий лабораторией Магнитных материалов ИФ СО РАН) проф. Г. С. Патрину, в тесном сотрудничестве с которыми была выполнена большая часть исследований. Они также оказали неоценимую помощь при подготовке и написании рукописи диссертации, их советы и замечания, несомненно, ее существенно улучшили.

Работа была выполнена при поддержке программы отделения физических наук РАН 2.4 «Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника& raquo-, грантов Российского фонда фундаментальных исследований 93−02−2 487-а, 96−02−16 548-а, 02−02−17 224-а, грантов Красноярского краевого фонда науки 1F0122, 3F0084, 9F0180, 9F041, 02−02−97 702-р2002енисей-а (совместно с РФФИ), грантов & laquo-Университеты России& raquo- 015. 01. 01. 45, 01. 01. 044.

ПоказатьСвернуть

Содержание

Глава 1. Особенности магнитных, резонансных и транспортных свойств примесных и слоистых систем, методы их описания.

1.1. Примесные системы (I). Слаболегированные магнитоупорядоченные кристаллы.

1.1.1. Локальные примесные состояния.

1.1.2. Кристаллы магнитодиэлектриков, легированные 3d и 4f ионами.

1.2. Примесные системы (II). Магнитоупорядоченные кристаллы с высоким уровнем допирования примесями.

1.2.1. Образование примесных фаз.

1.2.2. Явление электронного фазового расслоения.

1.2.2.1. Экспериментальные доказательства фазового расслоения в манганитах.

1.2.2.2. Теоретические модели фазового расслоения.

1.3. Слоистые системы (I). Магнитные пленочные структуры.

1.3.1. Особенности межслойной обменной связи в магнитных структурах.

1.3.2. Эффект гигантского магнитосопротивления.

1.3.3. Туннельное магнитосопротивление.

1.4. Слоистые системы (II). Квазидвумерные магнитоупорядоченные кристаллы

Выводы и постановка задачи.

Глава 2. Экспериментальные методы. Техника эксперимента. Приготовление образцов.

2.1. Традиционные методы исследования — экспериментальные установки, некоторые новые технические решения.

2.1.1. Установка для исследования магнитного резонанса.

2.1.2. СВЧ генератор для спектрометра магнитного резонанса.

2.1.3. Установка для исследования проводимости на постоянном токе.

2.1.4. Универсальная схема для измерения электрических характеристик твердых тел.

2.2. Методы, основанные на исследовании отклика системы при комбинированном воздействии.

2.2.1. Метод двойного радио-оптического резонанса, экспериментальная установка.

2.2.2. Метод детектирования магнитного резонанса по изменению проводимости образца.

2.2.3. Метод исследования СВЧ проводимости образцов при воздействии транспортного тока.

2.3. Синтез кристаллов, приготовление образцов.

2.3.1. Монокристаллы гематита, легированные редкоземельными ионами

2.3.2. Примесные монокристаллы манганитов.

2.3.3. Пленочные структуры.

Основные результаты.

Глава 3. Локальные магнитные анизотропные примесные состояния в монокристаллах гематита (особенности магнитных свойств монокристаллов гематита, легированных диамагнитными 3d и 4f ионами).

3.1. Кристаллы гематита: магнитные, резонансные и оптические свойства

3.2. Магнитные и фотомагнитные свойства кристаллов гематита, легированных диамагнитными и 3d ионами.

3.2.1. Магнитные анизотропные свойства.

3.2.2. Фотоиндуцированные изменения магнитных анизотропных свойств.

3.3. Примеси 4f ионов.

3.3.1. Магнитная кристаллографическая анизотропия монокристаллов гематита, легированных ионами Но3+.

3.3.1.1. Эксперимент.

3.3.1.2. Модельные представления.

3.3.1.3. Расчет магнитного резонанса в монокристалле гематита, легированном ионами Но3+.

3.3.2. Спин-переориентационные фазовые переходы, индуцированные примесями редкоземельных ионов.

3.3.2.1. Ионы Dy3+.

3.3.2.2. Ионы Tb3+.

3.3.3. Поляризационно-зависимые фотоинду цированные изменения магнитной анизотропии, в кристаллах легированных редкоземельными ионами.

3.3.3.1. Ионы Eu.

3.3.3.2. Ионы Yb.

Основные результаты.

Глава 4. Магнитные и транспортные свойства примесных кристаллов марганцевых оксидов со структурой перовскита.

4.1. Статические магнитные и транспортные свойства монокристаллов манганитов Еи0. 7РЬ0. зМпО3 и ЬаолРЬо. зМпОз.

4.2. Особенности спектров магнитного резонанса монокристаллов манганитов при электронном фазовом расслоении.

4.2.1. Монокристалл ЕиолРЬо. зМпОз.

4.2.2. Монокристалл ЬполРЬо. зМпОз.

4.3. Изменение проводимости монокристалла ЕиолРЬо. зМпОз, индуцированное магнитным резонансным СВЧ поглощением.

4.4. Приближение эффективной среды для описания свойств манганитов с фазовым расслоением.

4.5. Описание фазового расслоения в рамках феноменологических моделей

4.5.1. Простая феноменологическая модель в приближении молекулярного поля.

4.5.2. Картина фазового расслоения в модели двухминимумного потенциала.

4.6. Вариационный принцип для расчета смешанного двухфазного состояния

4.6.1. Обоснование модели.

4.6.2. Методика расчета двухфазного парамагнитного-ферромагнитного состояния.

4.6.3. Свободная энергия двухфазной системы.

4.6.4. Сравнение с результатами исследований спектров магнитного резонанса

4.7. Отклик СВЧ проводимости на воздействие транспортного тока в монокристалле манганита Ьа0. 7РЬ0. зМпОз.

4.7.1. Постоянный ток.

4.7.2. Переменный ток. Релаксационное поведение.

4.7.3. Переменный ток. Резонансный отклик.

4.7.4. Механизмы изменений проводимости примесных манганитов, индуцированных электрическим полем. Роль фазового расслоения

4.7.5. Релаксационный отклик СВЧ проводимости на воздействие переменного тока в рамках модели двухминимумного потенциала.

Основные результаты.

Глава 5. Магнитные статические свойства и спиновая динамика квазидвумерных кристаллов семейства (СНзГШз)2Си (С1, Вг)4.

5.1. Кристалл (СНзЫНз^СиСЦ.

5.1.1. Магнитные свойства.

5.1.2. Нелинейный магнитный резонанс.

5.1.2.1. Экспериментальные результаты.

5.1.2.2. Приближение нелинейного осциллятора.

5.1.3. Светоиндуцированный переход между состояниями в бистабильном режиме при нелинейном магнитном резонансе.

5.2. Кристалл (СН3ННз)2СиВг4.

5.2.1. Статические магнитные свойства.

5.2.1.1. Магнитоупорядоченное состояние.

5.2.1.2. Парамагнитная область.

5.2.1.2. Интерпретация результатов.

5.2.2. Магниторезонансные исследования, нелинейный магнитный резонанс

Основные результаты.

Глава 6. Магнитные и транспортные свойства слоистых пленочных структур

6.1. Трехслойные пленки Fe/Si/Fe.

6.1.1. Магнитное состояние структур.

6.1.2. Влияние оптического облучения на магнитное состояние.

6.2. Структура Еи0. 7РЬ0. зМпОз (монокристалл)/Ре (пленка).

6.2.1. Поляризованный по спину ток в магнитных структурах на основе манганитов.

6.2.2. Магнитосопротивление туннельного типа в структуре Еи0. 7РЬо. зМпОз (монокристалл)/Ре (пленка).

Основные результаты.

Список литературы

1. Чупрунов Е. В., Хохлов А. Ф., Фаддеев М. А. Кристаллография. Учебник для вузов. — М.: Физматлит, 2000. — 496 с.

2. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Статистическая физика. М.: Физматлит, 2001. — Т. 5. — 616 с.

3. Смарт Д. Эффективное поле в теории магнетизма. М.: Мир, 1968. — 271 с.

4. Берсукер И. Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. Л.: Химия, 1976. — 352 с.

5. Гуревич А. Г., Мелков Г. А. Магнитные колебания и волны. М.: Физматлит, 1994. -464 с.

6. Петраковский Г. А., Патрин Г. С. Влияние оптического возбуждения примесных ионов гольмия на магнитный резонанс в иттриевом феррите гранате // ЖЭТФ. 1986. — Т. 90. — В.6. — С. 1769−1780.

7. Крупичка С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов- М.: Мир, 1976. -Т.2. -504 с.

8. Teale R., Temple D. Photomagnetic anneal, a new magneto-optic effect in Si-doped yttrium garnet // Phys. Rev. Lett. 1967. — V. 19. -N. 16. — P. 904−905.

9. Teale R., Weatherley D. Photoinduced change in the magnetic anisotropy of silicon doped yttrium iron garnet // J. Phys. C: Solid State Phys. 1973. — V.6. -N.4. — P. 750−7554.

10. Уайт P. Квантовая теория магнетизма. M.: Мир, 1985. — 304 с.

11. Рис А. Л. Агрегация дефектов в химии твердого состояния. В кн.: Физические методы исследования и свойства неорганических соединений. — М. :Мир, 1970. -С. 371−391.

12. Коллонг Р. Нестехиометрия М.: Мир, 1974. -196 с.

13. Bean С.Р. Hysteresis loops of mixtures of ferromagnetic micropowders // J. Appl. Phys. 1955. — V. 26. — N. 11. — P. 1381−1383.

14. Патрин Г. С., Волков Н. В. Фотомагнитные свойства примесных кристаллов гематита // В сб.: Физические свойства магнетиков, Красноярск: ИФ СО АН СССР, 1990. -С. 119−132.

15. Нагаев Э. Л. Сильнолегированные магнитные полупроводники. В кн.: Редкоземельные полупроводники. -JI.: Наука, 1977. С. 48−81.

16. Yunoki S., Ни J., Malvezzi A., Moreo A., Furukawa N., and Dagotto Е. Phase Separation in Electronic Models for Manganites // Phys. Rev. Lett. 1998. -V. 80. — N.4. — P. 845−848.

17. Zhou J.S., Goodenough J.B. Phonon-Assisted Double Exchange in Perovskite Manganites //Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 80. -N. 12. -P. 2665−2668.

18. Нагаев Э. Л. Манганиты лантана и другие магнитные полупроводники // УФН. 1996. — Т. 166. — В.8. — С. 833−853.

19. Salamon М., Jaime М. The physics of manganites: Structure and transport // Reviews of Modern Physics. 2001. -V. 73. — No.3. — P. 583−628.

20. Dagotto E., Hotta Т., Moreo A. Colassal magnetoresistant materials: the key role of phase separation // Physics Reports. 2001. — V. 344. — N. — P. 1−153.

21. Uehara M., Mori S., Chen C.H., Cheong S. -W. Percolative phase separation underlies colossal magnetoresistance in mixed-valent manganites // Nature. -1999. V. 399. — N. 6736. — P. 560−563.

22. Feth M., Freisem S., Menovsky A.A., Tomioka Y., Aarts J., Mydosh J.A. Spatially inhomogeneous Metal-Insulator Transition in Doped Manganites // Science. 1999. — V. 285. — P. 1540−1542.

23. Ibarra M., Teresa J. Colossal magnetoresistance in manganese oxide perovskites // J. Magn. Magn. Mater. 1998. — V. 177−181. -N. 2002. — P. 846−849.

24. Colossal Magetoresistance, Charge Ordering and Related Properties of Manganese Oxides / Eds.: V., Rao C.N.R., Reveau B. Singapore: World Scientific, 1998. -356 p.

25. Wollan E.O., Koehler W.C. Neutron Diffraction Study of the Magnetic Properties of the Series of Perovskite-Type Compounds (l-x)La, jcCa. Mn03 // Phys. Rev. 1955. — V. 100. — N.2. — P. 545−563.

26. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Santoro A., Huang Q., Peng P. -L., Green R.L. Magnetic, structural, and spin dynamical properties of Lai -лСалМпОз // J. Appl. Phys. 1997. — V. 81N.8. — P. 5488−5490.

27. Booth C.H., Bridges F., Kwei G.H., Lawrernce J.M., Cornelius A.L., Neumeier J.J. Lattice effects in Еа^Са^МпОз (jc=0~> 1): Relationships between distortions, charge distribution, and magnetism // Phys. Rev. B. 1998. — V. 57. -N. 17. -P. l0440−10 454.

28. Lanzara A., Saini N.L., Brunelli M., Natali F., Bianconi A., Radaelli P., Cheong S. -W. Crossover from Large to Small Polarons across the Metal-Insulator Transition in Manganites // Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 81. — N.4. -P. 878−881.

29. Allodi G., De Renzi R., Licci F., Pieper M.W. First Order Nucleation of Charge Ordered Domains in Lao. 5Cao. 5Mn03 Detected by, 39La and 55Mn NMR // Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 81. — N. 21. — P. 4736−4739.

30. Zener С. Interaction between the J-Shells in the Transition Metals. II. Ferromagnetic Compounds of Manganese with Perovskite Structure // Phys. Rev. — 1951.- V. 82. N.3. — P. 403−405.

31. Горьков Л. П. Решеточные и магнитные эффекты в легированных манганитах // УФН. 1998. — Т. 168. — № 6. — С. 665−671.

32. Imry Y., Ma S.K. Random-field instability of the ordered state of continuous symmetry // Phys. Rev. Lett. -1975. -V. 35. -N. 21. -P. 1399−1401.

33. Jaime M., Lin P., Chun S.H., Salamon M.B., Dorsey P., Rubinstein M. Coexistence of localized and itinerant carriers near Tc in calcium-doped manganites // Phys. Rev. B. 1999. — V. 60. — No.2. — P. 1028−1032.

34. Криворучко B.H., Кроссовер поляронной проводимости и неоднородное состояние манганитов лантана в области магнитного фазового перехода // ФТТ. Т. 43. — Вып.4. — С. 678−682.

35. Lagarkov A.N. and Sarychev A.K. Electromagnetic properties of composites containing elongated conducting inclusions // Phys. Rev. B. 1996. — V. 53. — N. 10. — P. 6318−6336.

36. Stankieevich J., Sese J., Garcia J., Blasco J., Rillo C. Magnetic behavior of PrN хСахМпОз in the electric field driven insulator-metal transition // Phys. Rev. B. — 2000. -V. 61. -N. 17. -P. 11 236−11 239.

37. Yuzhelevski Y., Markovich V., Dikovsky V., Rozenberg E., Gorodetsky G., Jung G. Current induced metastable resistive states with memory in low-doped manganites // Phys. Rev. B. 2001. — V. 64. — N. 22. — P. 224 428−1-10.

38. Mercone S., Wahl A., Simon Ch., Martin C. Nonlinear electrical response in a non-charge-ordered manganite: Рго. вСао. гМпОз // Phys. Rev. B. 2002. — V. 65. -N. 21. — P. 214 428−1-5.

39. Raquet В., Anane A., Wirth S., Xiong P., and von Molnar S. Noise probe of the dynamic phase separation in La2/3Cai/3Mn03 // Phys. Rev. Lett. 2000. — V. 84. — N. 19. — P. 4485−4488.

40. Li Yi and Baberschke K. Dimensional crossover in ultrathin Ni (l 11) films on W (110) // Phys. Rev. Lett. 1992. — V. 68. -N.8. — P. 1208−1211.

41. Grunberg P. Layered magnetic structures: facts, figures, future // J. Phys.: Con-dens. Matter. 2001. — V. 13. — P. 7691−7706.

42. Stiles M.D. Interlayer exchange coupling//JMMM. 1999. -V. 200. -N. 1−3. -P. 322−337.

43. Bruno P. Theory of interlayer magnetic coupling // Phys. Rev. B. 1995. -V. 52. -N.l. -P. 411−439.

44. Binasch G., Grunberg P., Saurenbach F., Zinn W. Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange // Phys. Rev. В. 1989. — V. 39. — N.7. — P. 4828−4830.

45. Hood R.Q., Falicov L.M. Boltzmann-equation approach to the negative magnetoresistance of ferromagnetic-normal-metal multilayers // Phys. Rev. B. 1992. — V. 46. — N. 13. — P. 8287−8296.

46. Zhang S., Levy P.M., Fert A. Conductivity and magnetoresistance of magnetic multilayered structures // Phys. Rev. B. 1992. — V. 45. — N. l5. — P. 8689−8702.

47. Springer Series in Surface Science: Giant Magnetoresistance Device / Ed. Hirota E., Springer, 2002. 177 p.

48. Simmons J.G. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by thin insulating film // J. Appl. Phys. 1963. — V. 34. -N.6. -P. 1793−1803.

49. Julliere M. Tunneling between ferromagnetic films// Phys. Lett. A. 1975. -V. 54. — N.3. — P. 225−226.

50. Slonczewski J.C. Conductance and exchange coupling of two ferromagnets separated by a tunneling barrier // Phys. Rev. B. 1989. — V. 39. — N. 10. -P. 6995−7002.

51. Ведяев A.B. Использование поляризованного по спину тока в спинтронике // УФН. 2002. — Т. 172. — В. 12. — С. 1458−1461.

52. Moritomo Y., Asamitsu A., Kuwahara Н., Tokura Y. Giant magnetoresistance of manganese oxides with a layered perovskite structure // Nature. 1996. -V. 380. -N. 6570. -P. 141−143.

53. Kimura Т., Tomioka Y., Kuwahara H., Asamitsu A., Tamura M., and Tokura Y. Interplane Tunneling Magnetoresistance in a Layered Manganite Crystal // Science. 1996. — V. 274. — N. 5293. — P. 1698−1701.

54. Nagaev E.L. Colossal-magnetoresistance materials: manganites and conventional ferromagnetic semiconductors // Phys. Rep. 2001. — V. 346. — N.6. -P. 387−531.

55. Kimura Т., Asamitsu A., Tomioka Y., Tokura Y. Pressure-Enhanced Interplane Tunneling Magnetoresistance in a Layered Manganite Crystal // Phys. Rev. Lett. 1997. — V. 79. — N. 19. — P. 3720−3723.

56. Lines M.E. Antiferromagnetism in layer structure by Green function techniques //Phys. Rev. 1963. — V. l31. -N.2. — P. 540−545.

57. Волков H.B., Патрин Г. С. Модернизированный спектрометр электронного магнитного резонанса с твердотельным СВЧ генератором // Препринт № 635 Ф ИФ СО АН СССР, Красноярск, 1990. 18 с.

58. Волков Н. В., Патрин Г. С., Великанов Д. А. Широкофункциональный СВЧ генератор на основе диода Ганна для магниторезонансной спектроскопии // ПТЭ. 2002. — В.2. — С. 90−93.

59. Волков Н. В., Патрин Г. С. Твердотельный сверхвысокочастотный генератор с системой автоматической подстройки частоты // ПТЭ. 1990. — В.5. -С. 118−119.

60. Преображенский B. JI., Савченко М. А., Экономов Н. А. Нелинейное самовоздействие звуковых волн в антиферромагнетике с анизотропией типа & laquo-легкая плоскость // Письма в ЖЭТФ. 1978. — Т. 28. — В.2. — С. 93−97.

61. Петраковский Г. А., Патрин Г. С., Соснин В. М. Магнитоперестраиваемый твердотельный СВЧ-генератор. А.С. 1 254 981 СССР, Б.И. 1988. № 29. С. 228, МКИ5 Н 03 В 7/14.

62. Великанов Д. А., Игнатов И. С., Волков Н. В. Автоматизированный характе-риограф // ПТЭ. 2004. — В. 1. — С. 156−157.

63. Vlasenko L.S., Martynov Yu.V., Gregorkiewicz Т., Ammerlaan C.A.J. Electron paramagnetic resonance versus spin-dependent recombination: Excited triplet states of structural defects in irradiated silicon // Phys. Rev. B. 1995. — V. 52. -N.2. -P. 1144−1151.

64. Гордиенко Ю. Е., Дудкин Ю. А., Бородин Б. Г. Установка для исследования фотопроводимости полупроводников при сверхвысокочастотном смещении //ПТЭ. 1977. — В. 1. — С. 239−241.

65. Гордиенко Ю. Е., Бородин Б. Г. Бесконтактное измерение подвижности носителей заряда в полупроводниках//ПТЭ. 1984. -В.1. -С. 189−191.

66. Васканян Р. А., Желудев И. С. Выращивание крупных кристаллов гематита a-Fe203 из раствора в расплаве (флюса) Bi203, Ыа2СОз // Кристаллография. 1967. — Т. 12. — В.З. — С. 539−540.

67. Besser P.J., Morrish А.Н., Searle C.W. Magnetocrystalline anisotropy of pure and doped hematite // Phys. Rev. 1967. — V. 153. -N.2. — P. 632−640.

68. Панкрац А. И., Васильев B.H., Руденко B.B. Антиферромагнитные материалы с узкими линиями магнитного резонанса и большим начальным расщеплением // Сб.: Магнитные и резонансные свойства магнитодиэлектриков, Красноярск: ИФ СО АН СССР, 1985. С. 23−36.

69. Котюжанский Б. Я., Марышко М., Прозорова Л. А. Антиферромагнитный резонанс в гематите с примесью Sn4+ // ЖЭТФ. 1979. — Т. 77. — В.2. -С. 764−772.

70. Bailey P.C. Absorption and reflectivity measurements on some Rare Earth ion garnets and a-Fe203 // J. Appl. Phys. 1960. — V. 31. — N.5. — P. 267−268.

71. Flanders P.J., Remeika J.P. Magnetic properties of single crystal hematite // Phil. Mag. 1965. — V. l 1. — N. l 14. — P. 1271−1288.

72. Morrish A.H., Eaton J.A. Magnetic transition in rhodium-doped hematite single crystals // J. Appl. Phys. 1971. — V. 42. -N.4. — P. 1495−1496.

73. Liu J.E., Fan C.L. Morin transition in the system of (l-x)Fe203 Ru203 // Phys. Lett. — 1984. — V. 105A. — N. 1,2. — P. 80−82.

74. Петраковский Г. А., Панкрац А. И., Соснин B.M., Васильев В. Н. Влияние легирования ионами Со2+ на резонансные и статические магнитные свойства гематита// ЖЭТФ. 1983. — Т. 85. — В. 2(8). — С. 691−699.

75. Patrin G.S., Petrakovskii G.A., and Volkov N.V. Study of photoinduced properties in doped hematite single crystal via magnetic resonance // Phys. Stat. Sol. (a). 1991. — V. 124. — N. 1. — P. 335−343.

76. Патрин Г. С., Петраковский Г. А, Волков Н. В. Магниторезонансные исследования фотоиндуцированного магнетизма в a-Fe203: Со, Si при низких температурах// ФТТ. 1988. -Т. 30. -В.6. — С. 1851−1853.

77. Патрин Г. С., Волков Н. В., Петраковский Г. А. Кинетика фотомагнитного эффекта в кристаллах a-Fe203: Ga // ФТТ. 1994. — Т. 36. — В.5. — С. 13 851 391.

78. Агранович В. М., Галанин М. Д. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах М.: Наука, 1978. — Т.2. — 383 с.

79. Patrin G.S., Volkov N.V., Petrakovskii G.A. Photomagnetic effect in doped hematite crystals // JMMM. 1995. — V. 140−144. — Pt3. — P. 2143−2144.

80. Дорошев В. Д., Крыгин И. М., Лукин С. Н., Молчанов А. Н., Прохоров А. Д., Руденко В. В., Селезнев В. Н. Базисная магнитная анизотропия слабого ферромагнетика FeB03 // Письма в ЖЭТФ. 1979. — Т. 29. — В.5. — С. 286−290.

81. Жданов Э. А. Исследование радиационных и термохимических эффектов в кристаллах корунда, легированных редкоземельными элементами // Журнал прикладной спектроскопии. 1983. — Т. 39. — В.2. — С. 283−287.

82. Nekvasil V. On Low-Lying Crystal Field Levels of Ho3+ in Aluminium and Gallium Garnets //Phys. Stat. Sol. (b).- 1979. V. 94. — N.l. -P. K41-K43.

83. Dillon J.F. Jr., Nielsen J.W. Ferrimagnetic Resonance in Rare-Earth Doped Yttrium Iron Garnet. I. Field for Resonance // Phys. Rev. 1960. — V. 120. — N. 1. -P. 105−113.

84. Huber D.L. Energy Levels of the Terbium Ion in the Iron Garnet // J. Appl. Phys. 1965. — V. 36. — N.3. — Pt.2. — P. l005−1006.

85. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов М.: Мир, 1972. — Т. 1. — 651 с.

86. Патрин Г. С., Волков Н. В., Еремин Е. В. Спин-переориентационный фазовый переход в базисной плоскости в 0t-Fe2O3: Ga, Dy // Письма в ЖЭТФ. -1994. -Т. 63. -В.9. С. 694−697.

87. Руденко В. В. Гексагональная анизотропия ромбоэдрических антиферромагнитных кристаллов со слабым антиферромагнетизмом // ФТТ. 1980. -Т. 22. — В.З. — С. 775−779.

88. Патрин Г. С., Еремин Е. В., Шабалин А. В. Спин-переориентационный фазовый переход в базисной плоскости в кристалле a-Fe203: Ga, Dy // ФТТ. -2000. Т. 42. — В. 10. — С. 1833−1838.

89. Patrin G.S., Volkov N.V., Vasiliev V.N. The «easy plane easy axis» transition in a-Fe203: Ga crystals induced by doping with terbium ions // Phys. Lett. A. — 1997. — V. 230. — N. 1 -2. — P. 96−98.

90. Morrison B.R., Morrish A.H., Troup T.J. High-field antiferromagnetic resonance in a-Fe203//Phys. Stat. Sol. (b). 1973. — V. 56. -N.l. — P. 183−195.

91. Александров K.C., Безматерных JI.H., Козлов Г. В., Лебедев С. П., Мухин А. А., Прохоров А. С. Аномалии высокочастотной магнитной проницаемости гематита при фазовом переходе Морина // ЖЭТФ. — 1987. Т. 92. — В.З. -С. 1042−1049.

92. Мицек А. И., Пушкарь В. М. Реальные кристаллы с магнитным порядком -Киев: Наукова Думка, 1978. -295 с.

93. Белов К. П., Звездин А. К., Кадомцева A.M., Левитин Р. З. Ориентационные переходы в редкоземельных с магнетиках — М.: Наука, 1979. 317 с.

94. Кринчик Г. С. Зубов В.Е. Поверхностный магнетизм гематита // ЖЭТФ. -1975. Т. 69. -В. 2(8). — С. 701−721.

95. Holzrichter I.F., Macfarlane R.M., and Schawlow A.I. Magnetization Induced by Optical Pumping in Antiferromagnetic MnF2 // Phys. Rev. Lett. 1971. -V. 26. — N. 11. — P. 652−655.

96. Харченко Н. Ф., Бедарев В. А. Влияние линейно поляризованного света на перемагничивание антиферромагнитного кристалла Ga-Mn-Ge-граната // Физика низких температур. 1993. — Т. 19. — В.1. — С. 72−77.

97. Патрин Г. С., Волков Н. В., Петраковский Г. А. Поляризационно-зависимое фотоиндуцированное изменение АФМР a-Fe203: Eu, Ga // Письма в ЖЭТФ. 1990. -Т. 52. — В.З. — С. 817−819.

98. Патрин Г. С., Волков Н. В., Петраковский Г. А. Поляризационно-зависимый фотомагнитный эффект в кристаллах a-Fe203: Eu, Ga // ЖЭТФ. 1992. -Т. 101. — В.2. — С. 635−648.

99. Волков H.B., Патрин Г. С. Поляризационно-зависимый фотомагнитный эффект в кристаллах гематита, легированных РЗ ионами Ей и Yb // В сборнике научных статей: & laquo-Теория и эксперимент в современной физике& raquo- - Красноярск: Краснояр. гос. ун-т, 2000. С. 152−165.

100. Стонехем А. Теория дефектов в твердых телах — М.: Мир, 1978. Т.2. — 357 с.

101. Вертхейм Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов М.: Атомиздат, 1977. — 205 с.

102. Huber D.L., Alejandro G., Caneiro A., Causa M.T., Prado F., Tovar M., Oseroff S.B. EPR linewidths in La^Ca^MnCb: 0 < 1 // Phys. Rev. B. 1999. — V. 60. -N. 17. — P. 12 155−12 161.

103. Shengelaya A., Zhao G., Keller H., Muller K.A., Kochelaev B.I. EPR in Lai.x. CaxMn03: Relaxation and bottleneck // Phys. Rev. B. 2000. — V. 61. — N.9. -P. 5888−5890.

104. Rivadulla F., Lopez-Quintela M.A., Hueso L.E., Rivas J., Causa M.T., Ramos C., Sanchez R.D., Tovar M. Electron-spin-resonance line broadening around the magnetic phase transition in manganites // Phys. Rev. B. 1999. — V. 60. -N. 17. -P.l 1922−11 925.

105. Srivastava A.K., Srivastava C.M., Mahesh R. & Rao C.N.R. A ferromagnetic resonance study of La,. xCaxMn03 // Solid State Comm. 1996. — V. 99. — No.3. -P. 161−165.

106. Yuan S.L., Li J.Q., Yang Y. P, Zeng X.Y., Li G., Tu F., Zhang G.Q., Tang C.Q., and Jin S.Z. Paramagnetic anomalies above the Curie temperature and colossalmagnetoresistance in optimally doped manganites // Phys. Rev. B. 2000. -V. 62. -N.9. -P. 5313−5315.

107. Atsarkin V.A., Demidov V.V., Vasneva G.A., Conder K. Critical slowing down of longitudinal spin relaxation in LaixCaxMn03 // Phys. Rev. B. 2001. — V. 63. — N.9. — P. 92 405−92 409.

108. Shames A.I., Rozenberg E., McCarroll W.H., Greenblatt M., and Gorodetsky G. Observation of magnetic inhomogeneities in crystalline-doped manganites by electron magnetic resonance // Phys. Rev. B. 2001. — V. 64. — N. 17. -P.l 72 401−172 405.

109. Volkov N.V., Petrakovskii G.A., Vasiliev V.N., Velikanov D.A., Sablina K.A., Patrin K.G. Observation of mixed two-phase state in Еио^РЬо. зМпОз single crystal by magnetic resonance method // Physica B. 2002. — 324/1−4. — P. 254−260.

110. Volkov N. V, Petrakovskii G.A., Sablina K.A., Vasiliev V.N., Patrin K.G. Magnetic resonance probe of the phase separation in ЕиолРЬо. зМпОз single crystal // JMMM. 2003. — V. 258−259C. — P. 302−305.

111. Rivadulla F., Hueso L.E., Lopez-Quintela M.A., Rivas J., Causa M.T. Comment on «Paramagnetic anomalies above the Curie temperature and colossal magne-toresistance in optimally doped manganites» // Phys. Rev. B. 2001. — V. 64. -N. 10. -P. 106 401−106 404.

112. Peter M., Shaltiel В., Wenick J.H., Williams H.J., Mock J.B., Sherwood R. Paramagnetic Resonance of S-State Ions in Metals // Phys. Rev. 1962. -V. 126. -N.4. -P. 1395−1402.

113. Geschwind S., Clogston A. Narrowing Effect of Dipole Forces on Inhomogene-ously Broadened Lines // Phys. Rev. 1957. — V. 108. -N.l. -P. 49−53.

114. Петраковский Г. А., Волков H.B., Васильев B.H., Саблина К. А. Спектр магнитного резонанса двухфазного состояния в монокристаллах манганита лантана La0. 7Pb0. 3MnO3 // Письма в ЖЭТФ. 2000. — Т. 71. — В.4. — С. 210−214.

115. Волков Н. В., Петраковский Г. А., Васильев В. Н., Саблииа К. А. Двухфазное парамагнитно-ферромагнитное состояние в монокристалле манганита лантана Ьа0. 7РЬ0. зМпО3 // ФТТ. 2002. — Т. 44. — В.7. — С. 1290−1294.

116. Millis A.J. Lattice effects in magnetoresistive manganese perovskites // Nature. 1998. — V. 392. — N. 6672. — P. 147−150.

117. Berger L. Generation of dc voltage by a magnetic multilayer undergoing ferromagnetic resonance // Phys. Rev. B. 1999. — V. 59. — N. 17. — P. 11 465−11 470.

118. Millis A.J., Shraiman B.I., and Mueller R. Dynamic Jahn-Teller Effect and Colossal Magnetoresistance in LaixSrxMn03 // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. -N.l. — P. 175−178.

119. Levy L. -P. Magnetism and superconductivity. Springer, 2000. — 468 p.

120. Fisher L.M., Kalinov A.V., Savel’ev S.E., Voloshin I.F., and Balbashov A.M. Colossal magnetoresistance and relaxation phenomena // J. Phys.: Condens. Matter. 1998.- V. 10. -P. 9769−9782.

121. Волошин И. Ф., Калинов А. В., Савельев C.E., Фишер Л. М., Бабушкина Н. А., Белов Л. М., Хомский Д. И., Кугель К. И. Фазовое расслоение в La-Pr манганитах и его эволюция в магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 2000. -Т. 71. -В.З. — С. 157−163.

122. Kaplan S.G., Quijada M., Drew H.D., Tanner D. В., Xiong G.C., Ramesh R., Kwon C., and Venkatesan T. Optical Evidence for the Dynamic Jahn-Teller Effect in Nd0. 7Sr0. 3MnO3 // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. — N. 10. — P. 2081−2084.

123. Горьков JI.П., Сокол А. В. Фазовое расслоение электронной жидкости в новых сверхпроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1987. — Т. 46. — В.8. — С. 333−336.

124. Нагаев Э. Л. Неоднородное ферро-антиферромагнитное состояние магнитных полупроводников // Письма в ЖЭТФ. 1972. — Т. 16. — В. 10. — С. 558−561.

125. Нагаев Э Л., Поделыциков А. И. Температурно-индуцированные перколя-ции и плавление в неоднородных электронно-магнитных системах // ЖЭТФ. Т. 98. — В. 6(12). — С. 1972−1981.

126. Нагаев Э. Л. Магнетики со сложными обменными взаимодействиями — М.: Наука, 1988. -232 с.

127. Вонсовский С. В. Магнетизм. М.: Наука, 1971. 1032 с.

128. Вонсовский С. В., Изюмов Ю. А. Электронная теория переходных металлов // УФН. 1962. — Т. 78. — В.1. — С. 3−59.

129. Parashar S., Ebenso Е.Е., Raju A.R., Rao C.N.R. Insulator-metal transitions induced by electric and magnetic fields, in thin films of charge-ordered Pr.x. CaxMn03 // Sol. St. Comm. 2000. — V. l 14. -N.5. — P. 295−299.

130. Rao C. N. R., Raju A. R., Ponnambalam V., and Parashar S. Electric-field-induced melting of the randomly pinned charge-ordered states of rare-earth manganates and associated effects // Phys. Rev. B. 2000. — V. 61. — N.l. — P. 594−598.

131. Budhani R. C., Pandey N. K., Padhan P., and Srivastava S. Electric- and magnetic-field-driven nonlinear charge transport and magnetic ordering in epitaxialfilms of РголСаоз-^г^МпОз // Phys. Rev. B. 2002. — V. 65. — N.l. — P. 1 4429(1−10).

132. Ponmanbalam V., Parashar S., Raju A. R., Rao C. N. R. Electric-field-induced insulator-metal transition in thin films of charge-ordered rare-earth manganates // Appl. Phys. Lett. V. 74. — No.2. — P. 206−208.

133. Guha A., Khare N., and Raychaudhuri A. K., Rao C. N. R. Magnetic field resulting from nonlinear electrical transport in single crystals of charge-ordered Рг0. бзСао. з7МпОз// Phys. Rev. B. -2002. V. 62. — N. l8. — P. R11941-R11944.

134. Волков H.B., Петраковский Г. А., Саблина К. А., Коваль С. В. Влияние транспортного тока на магнитоэлектрические свойства монокристаллов с гигантским магнитным сопротивлением ЕаолРЬо. зМпОз в СВЧ-диапазоне // ФТТ. -1999. -T. 41. -B. il. -С. 2007−2015.

135. Волков. Н.В., Петраковский Г. А., Саблина К. А. Резонансный отклик проводимости в СВЧ-диапазоне на воздействие переменного тока в кристаллах Lao. 7Pbo. 3Mn03 // ФТТ. 1999. — Т. 41. — В. 12. — С. 2187−2192.

136. Тикадзуми С. Физика ферромагнетизма М.: Мир, 1987. — 419 с.

137. Мигулин В. В., Медведев В. И., Мустель Е. Р., Парыгин В. Н. Основы теории колебаний М.: Наука, 1978. — 392 с.

138. Ландау Л. Д., Лифшиц E.M. Теоретическая физика. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматлит, 2001. — Т.8. — 620 с.

139. Александров К. С., Федосеева Н. В., Спевакова И. П. Магнитные фазовые переходы в галоидных кристаллах Новосибирск: Наука, 1983. — 192 с.

140. Bloembergen P., Miedema A.R. On the specific heat of some layered coper compounds // Physica. 1974. — V. 75. -N.2. — P. 205−233.

141. Yamasaki H. Interlayer exchange field in (CnH5CmH2mNH3)2CuCl4 with n=l-6 and (C6H5CmH2mNH3)2CuCl4 with m=l, 2 determined by parallel pumping experiment // J. Phys. Soc. Japan. 1976. — V. 41. — N.6. — P. 1911−1917.

142. Каримов Ю. С. Исследование неупорядоченного состояния двумерных ферромагнетиков // ЖЭТФ. 1973. -Т. 65. — В, 1(7). — С. 261−270.

143. Демокритов С. О., Крейнес Н. М., Кудинов В. И., Петров С. В., Чубуков А. В. ФМР и магнитная структура (CH3NH3)2CuC14 // ЖЭТФ. 1988. — Т. 94.1. B. 12. С. 283−292.

144. Патрин Г. С., Волков Н. В., Федосеева Н. В., Николаев Е. М. Нелинейный магнитный резонанс в кристаллах (C^NH^Cuo^Mno. sCU // Письма в ЖЭТФ. 1993. — Т. 57. — В.З. — С. 183−186.

145. Huang C.Y. Some experimental aspects of spin glasses: a review // JMMM. -1985. V. 51. -N. 1−3. — P. 1−74.

146. Скроцкий Г. В., Алимов Ю. И. Влияние формы образца на ферромагнитный резонанс в сильном радиочастотном поле // ЖЭТФ. 1959. — Т. 36. — В.4.1. C. 1267−1271.

147. Bloch F. Nuclear Induction // Phys. Rev. 1946. — V. 70. — N. 7−8. — P. 460−474.

148. Рабинович М. И., Трубецков Д. И. Введение в теорию колебаний и волн — Ижевск: НИЦ & laquo-Регулярная и хаотическая динамика& raquo-, 2000. 560 с.

149. Anderson P.W., Suhl Н. Instability in the Motion of Ferromagnets at High Microwave Power Levels // Phys. Rev. 1955. — V. 100. — N.6. — P. 1788−1789.

150. Gottlieb P. Nonlinear Effects of Crystalline Anisotropy on Ferromagnetic Resonance // J. Appl. Phys. 1960. — V. 31. -N.l 1. — P. 2059−2062.

151. Weiss M.T. Microwave and low frequency oscillation due to resonance instabilities in ferrites // Phys. Rev. Lett. 1958. — V.l. -N.7. — P. 239−241.

152. Степанов A.A., Звягин А. И., Волоцкий C.B., Кобец М. И., Пащенко В. А. Нелинейный антиферромагнитный резонанс в двумерном (C2H5NH3)2MnCl4 // ФНТ. 1989. — Т. 15. — В. 1. — С. 100−103.

153. Patrin G.S., Volkov N.V. Study of the nonlinear magnetic resonance in (CHjNHjbMno. sCuo. sCU crystals in the oscillatory approach // JMMM- 1995. -V. 151. -N. 1−2. P. 189−192.

154. Патрин Г. С., Волков H.B. Светоиндуцированный переход между состояниями в бистабильном режиме при нелинейном магнитном резонансе в (CH3NH3)2CuCl4 // Письма в ЖЭТФ. 1996. — Т. 64. — В. 12. — С. 841−844.

155. Джеффрис Г., Свирсл Б. Методы математической физики М.: Мир, Вып. З, 1970. -343 с.

156. Kimishima Y. Phase transition of the quasi-two-dimensional mixed crystal (C2H5NH3)гСи (СlxBrix)4 // J. Phys. Soc. Jpn. 1980. — V. 49. — N.2. — P. 470−476.

157. Suzuki.Y., Tsuru K., Kimishima Y., Kubo H. Bromide NMR study of cupric compounds in (CnH2n+iNH3)2CuBr4 (n=l, 2) // J. Phys. Soc. Jpn. 1981. — V. 50. -N.5. — P. 1479−1487.

158. Patrin G.S., Volkov N.V., Prokhorova I.V. Antiferromagnetism in the quasi-two dimensional (CH3NH3)2CuBr4 crystal // JMMM. 2003. — V. 258−259. — P. 131 133.

159. Федосеева H.B., Волков H.B., Патрин Г. С. Магнитные свойства квазидвумерного кристалла (CH3NH3)2CuBr4 // ФТТ. 2003. — Т. 45. — В.З. — С. 472−475.

160. Туров Е. А., Колчанов А. В., Меныненин В. В., Мирзоев И. Ф., Николаев В. В. Симметрия и физические свойства антиферромагнетиков -М.: Физматлит, 2001. -560 с.

161. Александров К. С., Безносиков Б. В. Перовскитоподобные кристаллы — Новосибирск: Наука, 1997. 216 с.

162. Кугель К. И., Хомский Д. И. Эффект Яна-Теллера и магнетизм соединений переходных металлов // УФН. 1982. — Т. 136. — В.4. — С. 621−664.

163. Toscano S., Briner В., Hopster Н., and Landolt М. Exchange-coupling between ferromagnets through a non-metallic amorphous spacer-layer// JMMM. 1992.- V. 114. -N. l-2. -P. L6-L10.

164. Mattson J.E., Kummar S., Fullerton E., Lee S.R., Sowers C.H., Grimsdich M., and Bader S.D. Photoinduced Antiferromagnetic Interlayer Coupling in Fe/(Fe-Si) Superlattices // Phys. Rev. Lett. 1993. — V. 71. -N.l. — P. 185−188.

165. Mattson J.E., Fullerton E., Kummar S., Lee S.R., Sowers C.H., Grimsdich M., Bader S.D., Parker F. T Photo-induced antiferromagnetic interlayer coupling in Fe superlattices with iron silicide spacers // J. Appl. Phys. 1994. — V. 75. -N. 10. — P. 6169−6173.

166. Fullerton E., Mattson J.E., Lee S.R., Sowers C.H., Huang Y.Y., Felcher G., Bader S.D., and Parker F.T. Magnetic decoupling in sputtered Fe/Si superlattices and multilayers // J. Appl. Phys. 1993. — V. 73. — N. 10. — P. 6335−6337.

167. Патрин Г. С., Волков H.B., Кононов В. П. Влияние оптического излучения на магнитный резонанс в трехслойных пленках Fe/Si/Fe // Письма в ЖЭТФ.- 1998. Т.6. — В.4. — С. 287−291.

168. Broeder F.J.A., Kohlhepp J. Comment on «Magnetoresistance Associated with Antiferromagnetic Interlayer Coupling Spaced by a Semiconductor in Fe/Si Multilayers» //Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 75. -N. 16. -P. 3026.

169. Мот H., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических образцах -М.: Мир, 1982. -Т.1. -368 с.

170. Мезон Дж., Виллерт М., Эдварде Д. М., Муниз Р. Б. Методы рассчета обменного взаимодействия в магнитных трехслойных структурах // ФММ. 1995. Т. 79. — В. 1. — С. 3−8.

171. Spear W.E. Amorphous Silicon and Related Materials Chicago: World Scientific, 1989. — Pt.A. — 315 p.

172. Grunberg P. Layered Magnetic Structures: History, Highlights, Applications // Physics Today. 2001. — V. 54. — N.5. — P. 31−37.

173. Борухович A.C., Виглин H.A., Осипов В. В. Спин-поляризованный транспорт и субмиллиметровая спектроскопия твердого тела // ФТТ. 2002. -Т. 44. — В.5. — С. 898−905.

174. Meservey R. and Tedrow P.M. Spin-polarized electron tunneling // Phys. Rep. -1994. V. 238. — N.4. — P. 173−243.

175. Vuret M., Drouet M., Nassar J., Contour J.P., Fermon C., and Fert A. Low-field colossal magnetoresistance in manganite tunnel spin valves// Europhys. Lett. -1997. V. 39. -N.5. — P. 545−549.

176. Hwang H. Y., Cheong S-W., Ong N. P., and Batlogg B. Spin-Polarized Inter-grain Tunneling in Еа^гшМпОз // Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. — N. 10. -P. 2041−2044.

177. Gupta A., Sun J.Z. Spin-polarized transport and magnetoresistance in magnetic oxides // JMMM. 1999. — V. 200. — N. 1 -3. — P. 24−43.

178. Свистунов B.M., Медведев Ю. В., Таренков В. Ю., Дьяченко А. И., Хатта И., Мукаса К., Аоки Р., Шимчак Г., Левандовский С., Лещинский Я. Спин-поляризованное туннелирование электронов в манганит лантана // ЖЭТФ. 2000. — Т. 118. — В. 3(9). — С. 629−636.

179. Tamura S. Magnetic measurements of (Ьа^Саа^МпО^+у by the Faraday method // Phys. Lett. A. 1980. — V. 78. — N.4. — P. 401−403.

180. Волков H.B., Патрин Г. С., Петраковский Г. А., Саблина К. А., Овчинников С. Г., Варнаков С. Н. Магнитосопротивление туннельного типа в структуре ЕиолРЬо. зМпОз (монокристалл) / Fe (пленка) // Письма в ЖТФ. 2003. -Т. 29. — В.5. — С. 54−60.

181. Shang С.Н., Novak J., Jansen R., Moodera J.S. Temperature dependence of magnetoresistance and surface magnetization in ferromagnetic tunnel junctions // Phys. Rev. B. 1998. — V. 58. — N.6. — P. R2917−2920.

182. Moodera J.S., Novak J., van Veedonk R.J.M. Interface Magnetism and Spin Wave Scattering in Ferromagnet-Insulator-Ferromagnet Tunnel Junctions // Phys. Rev. Lett. 1998. — V. 80. -N. 13. — P. 2941−2944.

183. Bratkovsky A.M. Tunneling of electrons in conventional and half-metallic systems: Towards very large magnetoresistance // Phys. Rev. B. 1997. — V. 56. -N.5. — P. 2344−2347.

184. Волков Н. В., Патрин Г. С. Прибор для дистанционного измерения температуры. //Патент № 2 152 598 от 27. 07. 1998- Опубл. 10. 07. 2000, Бюл. № 19, МКИ5 7 G 01 К 7/32.

185. Патрин Г. С., Волков Н. В. СВЧ-выключатель // Патент № 2 139 611 от 25. 05. 1998- Опубл. 10. 10. 1999, Бюл. № 28, МКИ5 6 Н 01 Р 1/11, 1/218.

186. Саблина К. А., Волков Н. В., Петраковский Г. А. Способ нанесения медного покрытия на диэлектрик // Патент № 2 188 879 от 30. 10. 2000- Опубл. 10. 09. 2002, Бюл. № 25, МКИ5 7 С 23 С 26/00.

187. Петраковский Г. А., Саблина К. А., Великанов Д. А., Воротынов A.M., Волков Н. В., Бовина А. Ф. Синтез и магнитные свойства монокристалла мета-бората меди CuB204 // Кристаллография. 2000. — Т. 45. — В.5. — С. 926−929.

188. Абдулаев Г. К., Рза-заде П.Ф., Мамедов С. Х., Физико-химическое исследование тройной системы Li20-Cu0-B203 И ЖНХ. Т. 27. — В.7. — С. 18 371 841.

189. Масленников О. А., Волков Н. В., Саблина К. А., Петраковский Г. А. Способ лазерной металлизации диэлектрической подложки // Патент № 2 192 715 от 13. 07. 2001- Опубл. 10. 11. 2002, Бюл. № 31, МКИ5 7 Н 05 К 3/02.

Заполнить форму текущей работой