Повышение чувствительности электронно-эмиссионного датчика скорости осаждения веществ электронно-лучевым испарением на основе использования магнетронного эффекта

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
Страниц:
173


Узнать стоимость

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Продолжающееся в настоящее время совершенствование средств и методов контроля скорости осаждения и толщины покрытий, наносимых в вакууме методом электронно-лучевого испарения, объясняется тем, что ученые обнаруживают новые полезные свойства тонких многокомпонентных пленок в диапазоне толщин порядка 10 — 100 нм, а сам метод электронно-лучевого нанесения позволяет получать чистые пленки и отличается прецизионностью и практически неограниченными возможностями управления структурой и свойствами покрытий. Для нанесения тонких покрытий и слоев на современном этапе используются скорости осаждения порядка 1- 10нм/с, а количество одновременно контролируемых при этом компонентов в среднем составляет 4. Так, например, осаждение тонких пленок В12Те3, 8Ь2Те3 при производстве элементов Пельтье требует скоростей 0,2 — 0,4 нм/с [1]. Ультратонкие тонкие пленки титана толщиной до 10 нм, открывающие новые возможности в производстве элементов памяти, наносятся при скоростях 0,3 нм/с [2]. Солнечные элементы на основе СЮ8 (Си1пСа8е) структур толщиной 1,5−2 мкм, обладающие эффективностью фотопреобразования 19% [3], наносятся при скоростях 0,1−1 нм/с [3, 4]. Столь низкая скорость осаждения обусловлена хорошим качеством получаемых пленок, что не достижимо при больших скоростях осаждения. Одновременное осаждение нескольких компонентов в одном технологическом цикле позволяет производить получение покрытий без разгерметизации вакуумных камер. При этом возникает потребность одновременного контроля скорости осаждения отдельных компонентов паровой фазы.

В процессах электронно-лучевого нанесения многокомпонентных коррозионностойких покрытий на лопатки газотурбинных установок (ГТУ) из жаростойких сплавов состава МСгА1У (М = №, Со, Бе), наблюдается значительное влияние малых долей элементов, добавляемых в паровую фазу, (например, Сг, У 0,1 -3%) на такие параметры покрытия, как микротвердость, предел упругости, что также создает необходимость контроля состава паровой фазы и обнаружение посторонних примесей [5, 6, 7, 8, 9].

Применяемые в отечественном производстве кварцево-резонаторный, ионизационный и вибрационный датчики не позволяют измерять скорость осаждения покрытия по компонентам. За рубежом для контроля скоростей нескольких компонентов при многокомпонентном испарении применяют системы контроля на основе масс-спектроскопии (MS), атомной абсорбции (AAS) и электронно-эмиссионной спектроскопии (EIES, CCES). Последний метод значительно проще первых двух и обладает высокой линейностью преобразования в широком диапазоне скоростей осаждения. Существующие электронно-эмиссионные датчики дают возможность измерять скорости осаждения отдельных компонентов, однако слабый эмиссионный сигнал данных датчиков не позволяет применять современные системы регистрации спектров на приборах с зарядовой связью (матрицы и линейные ПЗС) и получать широкий диапазон эмиссионного спектра. Каждый канал измерения эмиссионного излучения данных датчиков, содержит фотоэлектронный умножитель и систему полосовых фильтров. Добавление каждого нового канала требует усложнения системы измерения, что ограничивает возможность контроля посторонних элементов, присутствие которых в технологическом процессе не было предусмотрено заранее. В свою очередь сам электронно-эмиссионный датчик имеет значительный потенциал для усовершенствования и использования его вместе с современными многоканальными системами регистрации спектров.

Управление процессом многокомпонентного осаждения несет в себе некоторые трудности. Сложность регулирования скорости осаждения материалов при электронно-лучевом нанесении в вакууме вызвана значительной нелинейностью процесса испарения как объекта управления, а также одновременным использованием веществ, давление паров которых в вакуумной камере разнится в десятки раз. Так, например, плотность паров элементов V группы (Р, As) в десятки раз выше плотности паров элементов III группы (Al, Ga, In) при одних и тех же условиях процесса [10].

Присутствие нелинейных зависимостей в канале испарения и задержек в датчиках скорости осаждения приводит к появлению автоколебаний скорости осаждения, что в свою очередь является причиной образования слоистой структуры, неравномерного распределения компонентов по толщине конденсата и резкому ухудшению его свойств [8].

Так, например, наиболее сложным является стабилизация скорости осаждения кварцевых пленок (Si02) [11, 12, 13], наносимых в процессе электронно-лучевого осаждения при скоростях 0,5 — 1,5 нм/с и используемых для создания оптических покрытий. В данном случае стабильность скорости осаждения значительно влияет на шероховатость оптического покрытия, его микроструктуру и внутренние напряжения.

Таким образом, современное развитие средств и методов контроля процесса многокомпонентного осаждения покрытий в вакууме включает в себя:

— разработку датчиков контроля малых скоростей осаждения (1 -10 нм/с), имеющих малое время измерения и высокое соотношение сигнал/шум-

— разработку датчиков, регистрирующих несколько компонентов паровой фазы-

— разработку алгоритмов и средств управления процессом испарения компонентов, главный критерий которых — отсутствие колебаний скорости осаждения) —

Работы, посвященные методам оперативного контроля скорости осаждения многокомпонентных покрытий, плотности и состава парового потока, начали появляться с 1972 года (метод AAS 1972 г., метод EIES 1977 г., метод CCES 1988 г.) и не утратили свое развитие на сегодняшний день (2008 г. — статья об усовершенствованном двухкамерном датчике EIES [14], 2010 г. -патент на двухкамерный датчик, автор Chih-shun Lu [15], 2008 г. — датчик распределения плотности парового потока, диссертационная работа Ивашина А. Д. [16]).

Совершенствованию электронно-эмиссионного способа контроля скорости осаждения веществ в процессе электронно-лучевого испарения и управлению скоростью осаждения, посвящены работы как зарубежных авторов: Chih-shun Lu, С. A. Gogol (США) [1, 8, 15, 17, 18, 19, 20, 21], Junro Sakai (Япония) [10, 22], так и отечественных: Никифоренко Н. Н., Бондаренок В. П., Смирнов Ю. М. [23].

Объектом исследования настоящей работы является электронно-эмиссионный датчик скорости осаждения, а также технологический процесс нанесения покрытий методом электронно-лучевого испарения в вакууме.

Предметом исследования являются методы измерения скорости осаждения и состава многокомпонентных покрытий в вакууме, средства построения систем автоматического контроля скорости осаждения в электронно-лучевых установках.

Цель работы — обеспечение качества покрытий, наносимых методом электронно-лучевого испарения, путем совершенствования электронно-эмиссионного способа контроля скорости осаждения покрытий и состава паровой фазы.

При выполнении работы использованы следующие методы исследования и теории:

— экспериментальная идентификация-

— численное дифференцирование-

— регрессионный анализ-

— статистический анализ-

— математическое моделирование-

— теория магнетронного разряда-

— теория систем автоматического управления-

— теория термического вакуумного испарения.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

— предложен способ повышения чувствительности электронно-эмиссионного датчика скорости осаждения веществ, наносимых электроннолучевым испарением, заключающийся в применении магнетронного эффекта и отличающийся введением магнитного поля с определенным оптимальным значением индукции-

— получена теоретическая зависимость чувствительности электронно-эмиссионного датчика С от индукции В магнитного поля-

— разработана компьютерная модель системы управления процессом электронно-лучевого испарения веществ в вакууме с использованием электронно-эмиссионного датчика-

— предложен способ адаптивного регулирования скорости осаждения при электронно-лучевом нанесении.

Достоверность результатов диссертационной работы подтверждена согласованностью полученных данных теоретических расчетов и данных экспериментальных исследований электронно-эмиссионного датчика и системы автоматического регулирования скорости осаждения веществ.

Материалы диссертационной работы прошли апробацию в докладах на конференциях: & laquo-Высокие технологии в промышленности России& raquo- (Москва: 2008, 2009, 2010, 2011 гг.) — & laquo-Климовские чтения& raquo- (С. -Петербург, 2009 г.) — & laquo-52-я научная конференция МФТИ& raquo- (Москва, 2009 г.) — «I научно-техническая школа-семинар & laquo-Компьютерный инжиниринг в промышленности и вузах& raquo- (Москва, 2009 г.) — & laquo-Материалы и технологии XXI века& raquo- (Пенза, 2010 г.).

По материалам диссертации опубликовано 13 печатных работ, из которых 3 статьи в рецензируемых изданиях, рекомендованных ВАК, 7 статей и 1 тезис доклада в сборниках статей, 2 патента по теме диссертации.

Диссертация изложена на 173 листах, состоит из введения, четырех глав, заключения. Содержит 85 рисунков, список источников, включающий 92 наименования.

Основные результаты теоретических и экспериментальных изысканий, проведенных в рамках данной диссертационной работы, сводятся к следующему:

1. Проведено теоретическое обоснование применения магнетронного эффекта в электронно-эмиссионном датчике, заключающееся в построении математической и компьютерной модели движения электронов в магнитном поле и нахождении оптимального значения величины магнитного поля. Проведен анализ влияния формы градиента продольного магнитного поля на чувствительность электронно-эмиссионного датчика. Теоретическое значение максимума чувствительности датчика наблюдается при индукции поля В-100 мТ.

2. Получено экспериментальное подтверждение значительного влияния магнетронного эффекта на чувствительность электронно-эмиссионного датчика, подкрепляющее полученные теоретические результаты. Экспериментальное значение максимума чувствительности датчика наблюдается при индукции поля В 63. 180 мТ. При данном значении индукции чувствительность увеличилась в 27 раз (для свинца) и 26 раза (для меди) по сравнению с чувствительностью датчиком без магнитного поля.

3. Исследована возможность применения миниспектрометра на базе ПЗС для регистрации спектра слабого эмиссионного излучения, получаемого при возбуждении паров испаряемых веществ. Проведен статистический анализ шумов канала измерения эмиссионного излучения- получена зависимость уровня шумов и диапазона измерения скорости осаждения от времени экспозиции ПЗС.

4. Разработана компьютерная модель системы регулирования процессом электронно-лучевого испарения, учитывающая тип вещества и включающая модель миниспектрометра на базе ПЗС.

5. На основе созданной модели системы регулирования скорости осаждения показано отрицательное влияние задержки в канале измерения интенсивности эмиссионного спектра на процесс стабилизации скорости осаждения.

6. Предложен способ адаптивного регулирования скорости осаждения, позволяющий компенсировать задержку в схеме измерения и нелинейности канала испарения, и заключающийся в адаптивной подстройке коэффициентов регулятора. Способ опробован на модели системы регулирования и подтвержден экспериментально.

7. На основе электронно-эмиссионного датчика и миниспектрометра на базе ПЗС создана система управления и стабилизации скорости осаждения при электронно-лучевом испарении. Точность стабилизации разработанной системы при периоде дискретизации ПЗС Гпзс = 0,2 с составила ±0,1. ±0,8 нм/с в диапазоне скоростей 1. 18 нм/с для меди и 5. 50 нм/с для свинца.

Исследования, проведенные в данной работе, являются актуальными на сегодняшний день, поскольку в отечественном приборостроении не используются средства контроля позволяющие определять состав паровой фазы, а в зарубежные аналоги содержат датчики, принцип работы которых давно не модернизировался и уже не удовлетворяет современным потребностям области вакуумного осаждения.

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю -профессору Эрнсту Ивановичу Семенову, а также А. Н. Ломанову и А. В. Гусарову за предложение научных идей и обсуждение результатов диссертации, П. Л. Безрукову, оказавшему помощь на этапе технической реализации системы управления.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ПоказатьСвернуть

Содержание

СОКРАЩЕНИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ОБЛАСТИ ОПЕРАТИВНОГО КОНТРОЛЯ СКОРОСТИ ОСАЖДЕНИЯ

ВЕЩЕСТВ В ВАКУУМЕ.

1 Классификация современных методов оперативного контроля скорости осаждения и толщины покрытий в вакууме.

1.2 Обзор методов и систем многокомпонентного контроля скоростей осаждения.

1.2.1 Метод электронно-эмиссионной спектроскопии при возбуждении электронным ударом.

1.2.2 Метод электронно-эмиссионной спектроскопии на основе цилиндрического магнетрона.

1.2.3 Метод атомной абсорбционной спектроскопии на основе ламп с полым катодом.

1.2.4 Метод атомной абсорбционной спектроскопии на основе лазеров.

1.2.5 Метод атомной масс-спектроскопии.

1.3 Сравнение методов и систем контроля скорости осаждения.

1.4 Формулировка задачи исследования.

1.5 Выводы по первой главе.

ГЛАВА 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ЭМИССИОННОГО ДАТЧИКА И СИСТЕМЫ РЕГИСТРАЦИИ СПЕКТРОВ.

2.1 Магнетронный эффект в электронно-эмиссионном датчике.

2.2 Постановка задачи поиска оптимальных параметров.

2.3 Расчёт модели магнетронного эффекта.

2.4 Модель системы регистрации эмиссионных спектров на основе ПЗС и электронно-эмиссионного датчика.

2.5 Выводы по второй главе.

ГЛАВА 3. МОДЕЛЬ СИСТЕМЫ РЕГУЛИРОВАНИЯ СКОРОСТИ

ОСАЖДЕНИЯ ВЕЩЕСТВ В ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ

УСТАНОВКЕ.

3.1 Разработка модели системы регулирования.

3.2 Экспериментальная идентификация звеньев модели.

3.3 Модель системы в среде МайаЫБтиНпк.

3.4 Проверка адекватности модели системы регулирования.

3.5 ПИД-регулирование процесса осаждения.

3.6 Анализ причин неустойчивости процесса регулирования.

3.7 Адаптивное регулирование скорости осаждения.

3.8 Выводы по третьей главе.

ГЛАВА 4. РЕАЛИЗАЦИЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ЭМИССИОННОГО ДАТЧИКА И СИСТЕМЫ РЕГУЛИРОВАНИЯ СКОРОСТИ ОСАЖДЕНИЯ

ВЕЩЕСТВ.

4.1 Реализация и экспериментальное исследование электронно-эмиссионного датчика скорости осаждения.

4.1.1 Конструкция датчика.

4.1.2 Схема управления током электронно-эмиссионного датчика.

4.1.3 Система регистрации спектров. Оценка ослабления эмиссионного излучения в оптоволоконном световоде.

4.1.4 Калибровка и поверка датчика.

4.1.5 Экспериментальное исследование магнетронного эффекта.

4.1.6 Эффект фокусировки в электронно-эмиссионном датчике.

4.1.7 Статистический анализ шумов измерения. Оценка случайных и систематических погрешностей измерения скорости осаждения.

4.1.8 Обсуждение свойств системы измерения на основе ПЗС.

4.2 Разработка схемы управления мощностью испарителя.

4.3 Экспериментальное исследование процесса регулирования скорости осаждения.

4.4 Выводы по четвертой главе.

Список литературы

1. Alan, B. A closed loop controller for electron-beam evaporators Text. / Alan Band, Joseph A. Stroscio // Rev. Sci. Instrum., 1996. -Vol. 67. -№ 6. -pp. 2366 -2369.

2. Blissett, C. D. A novel sensor for improved accuracy in control of CIGS processes Text. / C. D. Blissett, Gary L. Halcomb // Intersolar conference proceeding, 2008.

3. Beck, M. E. Tolerance of three-stage CIGS deposition to variations imposed by roll-to-roll processing Text. / M. E. Beck, I. L. Repins // Phase I Annual report of National renewable energy laboratory, 2003.

4. Boone, D. H. Electron beam evaporation of low vapor pressure elements in MCrAl coating compositions Text. / D. H. Boone, S. Shen, R. McKoon // Thin Solid Films, 1979. Vol. 64. — P. 299 — 304.

5. Мищенко, В. П. Автоматизированная система управления процессом электронно-лучевого нанесения покрытий Текст. / В. П. Мищенко, Н. В. Подола, В. Н. Воробьев, С. С. Тарасов // Проблемы специальной электрометаллургии. -1985. Вып. 3. -С. 45−50.

6. Воробьев, В. Н. Система автоматического управления установками для электронно-лучевого нанесения покрытий Текст. / В. Н. Воробьев, В. П. Мищенко, Ю. Н. Панкин, С. С. Тарасов // Проблемы специальной электрометаллургии. -1988. -Вып. 4. -С. 57 62.

7. Мищенко, В. П. Анализ параметров и основные задачи автоматического регулирования процесса электронно-лучевого испарения и конденсации Текст. / В. П. Мищенко, П. П. Осечков // Проблемы специальной электрометаллургии. 1976. -Вып. 5,-С. 75 — 79.

8. Малашенко, И. С. Повышение долговечности лопаток транспортных ГТУ путём применения защитных покрытий Текст. / И. С. Малашенко,

9. Г. Ф. Мяльница, О. Г. Жирицкий, А. А. Рабинович, П. А. Пап, Н. П. Ващило // Проблемы специальной электрометаллургии. 1981. — Вып. 15.

10. Gevelber, M. Improved rate control for electron-beam evaporation and evaluation of optical performance improvements Text. / M. Gevelber, B. Xu, D. Smith // J. Appl. Opt., 2006. -Vol. 45. -pp. 1456- 1460.

11. Lu, C. An electron impact emission spectroscopy flux sensor for monitoring deposition rate at high background gas pressure with improved accuracy Text. / C. Tu, C. D. Blissett, G. Diehl // J. Vac. Sci. Tech., 2008. Vol. 26. № 4. — P. 956 960.

12. Пат. 7 719 681, США. Int. CI. G01J 3/28. Apparatus and method for measuring vapor flux density / Chih-shun Tu- опубл. 18. 05. 2010.

13. Ивашин, А. Д. Разработка системы управления процессом нанесения покрытий в электронно-лучевой установке Текст.: дис. канд. техн. наук / Ивашин Андрей Дмитриевич. М.: 2008. — 109 с.

14. Kubiak, R. A. Naylor Improved flux control from the Sentinel III electron impact emission spectroscopy system Text. / Kubiak R. A., Newstead S. M., Powell A. R., Parker E. H. C" Whall Т. E. T. //J. Vac. Sci. Tech., 1991,-Vol. 9,-№ 4. -P. 24 232 425.

15. Пат. 4 036 167 США, МКИ С23С 21/00. Apparatus for monitoring vacuum deposition processes / Chih-shun Lu, Inficon Leybold-Heraeus, Inc (США). -№ 653 936- заявл. 30. 01. 76- опубл. 19. 07. 77.

16. Lu, С. Rate controlling and composition analysis of alloy deposition processes by electron impact emission spectroscopy Text. / Lu C., Ligthner M. J., Gogol C. A. // J. Vac. Sci. Tech., 1977. -Vol. 14. -№ 1. -P. 103 -107.

17. Gogol, C. A. A performance comparison of vacuum deposition monitors employing atomic absorption (AA) and electron impact emission spectroscopy (EIES) Text. / C. A. Gogol, S. H. Reagan // J. Vac. Sci. Tech., 1983. -Vol. 1, P. 252−257.

18. Gogol, C. A. Rate controlling and composition analysis of Si/Al-Si processes by electron impact emission spectroscopy (EIES) Text. / C. A. Gogol // J. Vac. Sci. Technol., 1979. -Vol. 16.

19. Бондаренок, В. П. Спектральная система контроля процессов электроннолучевого испарения в вакууме Текст. / В. П. Бондаренок, Н. Н. Никифоренко, Ю. М. Смирнов // Вакуумная техника и технология. 1993. -№ 5, 6. -Т. 3. — С. 2−4.

20. Ломанов, А. Н. Контроль скоростей распыления и осаждения тонких пленок методом электронно-эмиссионной спектроскопии при магнетронном нанесении Текст.: дис. канд. техн. наук / Ломанов Алексей Николаевич. Рыбинск, 2006. — 130 с. — Библиогр.: 86 назв.

21. Пат. 2 431 812 Российская федерация, МПК CI G01J3/00 G01N22/00.

22. Эмиссионный способ контроля скорости осаждения и состава покрытий, наносимых в вакууме Текст. / Э. И. Семенов, В. Д. Черников- заявл. 08. 04. 2010- опубл. 20. 10. 2011, Бюл. № 29.

23. Семенов, Э. И. Электронно-эмиссионные датчики скорости осаждения веществ при электронно-лучевом испарении Текст. / Э. И. Семенов, В. Д. Черников // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. 2010. — № 6. — С. 126−131.

24. Ивашин, А. Д. Адаптивная система управления процессом нанесения покрытия в электронно-лучевой установке Текст. / А. Д. Ивашин // Вестник Московского энергетического института. 2008 — № 5. — С. 147 — 151.

25. Diehl, G. Electron impact emission spectroscopy for thin film deposition control Text. / G. Diehl, G. Hal comb, G. Armstrong, C. Tu // 48th Annual SVC technical conference, 2005.

26. Кузьмичёв, А. И. Магнетронные распылительные системы: кн. 1 введение в физику и технику магнетронного распыления Текст. / А. И. Кузьмичёв. К.: Аверс, 2008. -244 с.

27. Пат. 5 880 823 США, МКИ G01J 3/42. Method and apparatus for measuring atomic vapor density in deposition systems Текст. / Chih-shun Tu, Intelligent Sensor Technology, Inc (США). № 258 243- заявл. 10. 06. 94- опубл. 09. 03. 99.

28. Пат. 4 381 894 США, МКИ G01N 21/84- G01N 21/31. Deposition monitor and control system Текст. / Carl A. Gogol J., Inficon Leybold-Heraeus, Inc (США). -№ 204 644- заявл. 06. 11. 80- опубл. 03. 05. 83.

29. Пат. 5 936 716, США, МКИ G01N 21/31. Method of controlling multispecies epitaxial deposition Text. / Pinsukanjana et. al, Intelligent Sensor Technology. -№ 08/807,663- заявл. 27. 02. 97- опубл. 10. 08. 99.

30. Семенов, Э. И. Система контроля процесса осаждения защитных покрытий на лопатки турбин Текст. / Э. И. Семенов, В. Д. Черников // Вестник РГАТА. -2010. -№ 1(16). -С. 190−196.

31. Новиков, А. А. Самопреобразование частоты лазерного излучения в активно-нелинейных кристаллах с регулярной доменной структурой: автореф. дис. канд. физ, — мат. наук.: 01. 04. 21 / Новиков Алексей Александрович. М., 2005, — 18 с.

32. Sevenhans, W. Mass spectrometer controlled electron beam evaporation synthesis of multilayered materials Text. / W. Sevenhans, J. P. Locquet, Y. Bruynseraede // Rev. Sci. Instrum., 1986. Vol. 57. — № 5. — P. 937−940.

33. Heyn, Ch. Flux control and calibration of an As effusion cell in molecular beam epitaxy system for GaAs and ALGaAs with a quadrupole mass spectrometer Text. /

34. Ch. Heyn, M. Harsdorff // Journal of Crystal Growth, 1993. -Vol. 133. -C. 241 -245.

35. Lutz, H. Multisource deposition rate control using a mass spectrometer as a sensing element Text. / H. Lutz // J. Vac. Sci. Technol., 1978. -Vol. 15. -№ 2. -P. 309−312.

36. Appelboom, H. M. High quality flux control system for electron gun evaporation Text. / H. M. Appelboom, P. Hadley, D. Marel, J. E. Moij // IEEE Transactions on magnetics, 1991. -Vol. 27. -pp. 1467−1470.

37. Трубников, Б. А. Теория плазмы Текст. / Б. А. Трубников. -М.: Энергоатомиздат, 1996. С. 461.

38. Грановский, В. JL Электрический ток в газе. Установившийся ток. Текст. / В. JI. Грановский. М.: Наука, Гл. ред. физ. -мат. лит-ры, 1971.

39. Лебедев, И. В. Техника и приборы сверхвысоких частот. Электровакуумные приборы СВЧ Текст. / И. В. Лебедев. М.: & laquo-Высшая школа& raquo-, 1972. -Т.2. -376 с.

40. Макаров, Е. Г. Инженерные расчеты в Mathcad. Учебный курс Текст. / Е. Г. Макаров. СПб.: Питер, 2005. — 448 с.

41. Шимони, К. Физическая электроника Текст.: пер. с нем. / Шимони К. М.: Энергия, 1977. -608 с.

42. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств Текст.: под ред. В. Н. Дулина, М. С. Жука. -М.: & laquo-Энергия»-, 1977. -576 с.

43. Смирнов, Ю. М. Физика электронных и атомных столкновений Текст. / Ю. М. Смирнов — под ред. В. В. Афросимова. -Л.: Изд-во ФТИ АН СССР, 1985. -183 с.

44. Райзер, Ю. П. Физика газового разряда Текст.: учеб. руководство для вузов 2-е изд. перераб. и доп. / Ю. П. Райзер. -М.: Наука, 1992. — С. 536.

45. Смирнов, Ю. М. Исследование сечений возбуждения атомов с применением протяженных пересекающихся пучков Текст.: В кн. Физика электронных и атомных столкновений / Ю. М. Смирнов. Л.: Изд-во ФТИ АН СССР, 1985. -С. 183.

46. Смирнов, Ю. М. Возбуждение атома меди электронным ударом Текст. / Ю. М. Смирнов // Квантовая электроника, 1997. -Т. 24. -№ 9. -С. 851 855.

47. Неизвестный, С. И. Приборы с зарядовой связью. Устройство и основные принципы работы Текст. / С. И. Неизвестный, О. Ю. Никулин // Специальная техника. -1999. -№ 4.

48. Неизвестный, С. И. Приборы с зарядовой связью основа современной телевизионной техники. Основные характеристики ПЗС Текст. / С. И. Неизвестный, О. Ю. Никулин // Специальная техника. -1999. -№ 5.

49. Malik, R. J. Electron beam epitaxy of ALxGa,. xAs graded band gap device structures Text. / R. J. Malik, A. F. J. Levi, B. F. Levine, R. C. Miller, D. V. Lang, L. C. Hopkins // Journal de physique, 1988. -Vol. 49. -pp. 607 614.

50. Donkov, N. I. On the power control of evaporation sources with hot filament and magnetic beam deflection Text. / N. I. Donkov // Meas. Sci. Technol., 1993. № 4. -P. 321 -324.

51. Бородин, С. О. Система управления процессом нанесения покрытия в электронно-лучевой установке Текст. / С. О. Бородин, В. П. Рубцов, А. Л. Емельянов, А. Д. Ивашин // Вестник МЭИ. 2007. — № 5. — С. 45 — 51.

52. Wielinga, Т. Rate control in dual source evaporation Text. / T. Wielinga, W. Gruisinga, H. Leeuwis, J. C. Lodder, J. F. Weers, J. C. Wilmans // Journal of Physics E: Scientific Instruments, 1980. -Vol. 13(2).

53. Малиновский, Б. H. АСУТП электронно-лучевого испарения Текст. / Б. Н. Малиновский, IT В. Подола, В. П. Мищенко [и др.] // Управляющие сист. и маш. -1979. -Вып. 6. С. 66 — 69.

54. Evans, D. Microcomputer control of thin film deposition rate Text. / D. Evans,

55. B. Hall, J. E. Morris // Journal of Physics E: Scientific Instruments, 1983. -Vol. 16. -№ 6. P. 544−548.

56. Bhatia, M. S. Observation of nonlinearity in e-beam evaporation from a water cooled crucible Text. / M. S. Bhatia, A. Joshi, K. Patel, U. K. Chatterjee // J. Appl. Phys., 1989. -Vol. 66. -№ 3. -pp. 1159- 1162.

57. Ahadi, M. Design and implementation of an adaptive controller for electron beam evaporation system Text. / M. Ahadi, K. Jamshidi, B. Rashidian // 12th International Conference on Microelectronics proceeding, 2000. pp. 349 — 352.

58. Бородин, С. О. Принципы управления процессом нанесения покрытий в электронно-лучевой установке Текст. / С. О. Бородин, A. JI. Емельянов, А. Д. Ивашин, В. П. Рубцов // Вакуумная техника и технология. -№ 3. -Т. 17. С. 163 165.

59. Пленочная микроэлектроника Текст. / под общей ред. Л. Холлэнда- пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона. М.: & laquo-Мир»-, 1968.

60. Готра, 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник Текст. / 3. Ю. Готра. М.: & laquo-Радио связь& raquo-, 1991.

61. Шиллер, Э. Электронно-лучевая технология Текст. / Э. Шиллер, У. Гайзиг, 3. Панцер. -М.: Энергия, 1980. -528 с.

62. Технология тонких плёнок Текст.: справочник- в 2-х т.- под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга.- пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. -М.: Сов. радио, 1977. -Т.2 -768 с.

63. Ройх, И. Л. Нанесение защитных покрытий в вакууме Текст. / И. Л. Ройх, Л. Н. Колтунова, С. Н. Федосов. -М.: Машиностроение, 1976. 152 с.

64. Парфенов, О. Д. Технология микросхем Текст.: учеб. пособие для вузов / О. Д. Парфенов. М.: Высш. шк., 1986. — С. 320.

65. Семенов, Э. И. Модель системы регулирования скорости осаждения материалов в электронно-лучевой установке Текст. / Э. И. Семенов,

66. C. Э. Седлецкая, А. Т. Кизимов, В. Д. Черников // Приборы. 2011. — № 2 (128). -С. 48−56.

67. Кублановский, Я. С. Тиристорные устройства Текст. / Я. С. Кублановский -2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1987. — 112 с.

68. Электротехнический справочник: Использование электрической энергии Текст.: справочник- в 4-х т. — под общ. ред. В. Г. Герасимова, гл. ред.

69. A. И. Попов. М.: МЭИ, 2004. — 9 изд. -Т. 4. С. 359 — 365.

70. Zehe, A. Thermal response of Knudsen-type effusion source to sudden heating-power changes Text. / A. Zehe, A. Ramirez, B. W. Muller // Superficies y Vacio, 2001. -Vol. 13. -pp. 72−76.

71. Изерман, P. Цифровые системы управления Текст. / Р. Изерман. М.: Мир, 1984. -541 с.

72. Денисенко, В. В. ПИД-регуляторы: принципы построения и модификации. Часть 1 Текст. / В. В. Денисенко // Современные технологии автоматизации. -2006. -№ 4. -С. 66 74.

73. Денисенко, В. В. ПИД-регуляторы: Вопросы реализации. Часть 1 Текст. /

74. B.В. Денисенко// Современные технологии автоматизации. -2007. -№ 4. -С. 86- 97.

75. Денисенко, В. В. ПИД-регуляторы: Вопросы реализации. Часть 2 Текст. /

76. B.В. Денисенко// Современные технологии автоматизации -2008. -№ 1.1. C. 86−99.

77. Денисенко, В. В. ПИД-регуляторы: принципы построения и модификации. Часть 2 Текст. / В. В. Денисенко // Современные технологии автоматизации. -2007. -№ 1. -С. 78 -88.

78. Пузырев, В. А. Адаптивное управление технологическими процессами производства БИС Текст. / В. А. Пузырев, А. С. Герасимова // Зарубежная электроника. 1988. -№ 1. — С. 44 — 58.

79. Очкин, В. Н. Спектроскопия низкотемпературной плазмы / В. П. Мищенко, П. П. Осечков. М.: Физматлит, 2006. — 472 с.

80. Сазонов, А. А. Автоматизация технологического оборудования микроэлектроники Текст. под ред. проф. А. А. Сазонова / А. А. Сазонов, Р. В. Корнилов, Н. П. Кохан [и др.]. М.: Высш. шк. — 1991. -334 с.

81. Drexhage, M. G. Infrared optical fibers / Drexhage Martin G., Cornelius T. Moynihan Text. // Scientific American, 1988. -Vol. 259. -№ 5. -pp. 110−117.

82. Никоненко, В. А. Оптоволокно в оптической системе пирометров Текст. / В. А. Никоненко, А. Ю. Неделько, Д. Ю. Кропачев // Датчики и системы. -2007. -№ 11. -С. 48−51.

83. Repins, I. L. In Situ Sensors for CIGS Deposition and manufacture Text. / I. L. Repins, N. Gomez, L. Simpson, B. Joshi // Research Society Symposium Proceedings, 2005. -Vol. 865. -pp. F15.3.1 F15.3. 12.

84. Берлин, E. В. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких плёнок Текст. / Е. В. Берлин, С. А. Давинин, JI. А. Сейдман. М.: Техносфера, 2007. — 176 с.

85. Олссон, Г. Цифровые системы автоматизации и управления Текст. / Густав Олссон, Джангуидо Пиани. СПб.: Невский Диалект, 2001. — С. 556.

86. Лейканд, М. С. Вакуумные электрические печи Текст. / М. С. Лейканд. -М.: & laquo-Машиностроение»-, 1977. 52 с.

87. Buzea, С. State of the art in thin film thickness and deposition rate monitoring sensors Text. / Cristina Buzea, Kevin Robbie // Journal Reports on Progress in Physics, 2005. -Vol. 68. -№ 2. -pp. 385 409.

88. Holloway, H. Isothermal effusion sources for vacuum deposition of solid solutions Text. / H. Holloway, D. K. Hohnke, R. L. Crawley, E. Wilkes // J. Vac. Sci. Technol, 1970. -Vol. 7. -№ 6. -pp. 586 588. 167

Заполнить форму текущей работой