Розрахунок уніполярного транзистора

| |Стор. | |1 Принцип дії польового транзистора | | |2 Вольт-фарадная характеристика МОП-структуры | | |3 Розрахунок стоковых і стокозатворных характеристик | | |4 Визначення напруги насичення і напруження відсічення | | |5 Розрахунок крутизни стокозатворной характеристики і провідності каналу | | |6 Максимальна робоча частота транзистора | |.

1 Принцип дії транзистора В відсутності зсувів (UЗ =0, UС =0) приповерхностный шар напівпровідника зазвичай збагачений дірками через наявність пасток за українсько-словацьким кордоном кремній — оксид кремнію і наявність позитивних іонів в плівці диэлектрика. Відповідно енергетичні зони скривлені вниз, і початковий поверховий потенціал позитивний. В міру зростання позитивного напруги на затворі дірки відштовхуються від поверхні. У цьому енергетичні зони спочатку випрямляються, та був викривляються вниз, тобто. поверховий потенціал робиться негативним. Є певна граничне напруга, по перевищенні якого енергетичні зони викривляються бо так, що у близи поверхневою області утворюється інверсний електричний сой, саме такий шар ж виконує функцію індукованого канала.

1.1 Рівноважний состояние.

[pic].

Малюнок 1.1 — Рівноважний состояние.

Т.к. UЗ =0, то контактна різницю потенціалів між металом і полупроводником дорівнює нулю, то енергетичні зони відбиваються прямими лініями. У стані рівень Фермі постійний при UЗ =0, напівпровідник перебуває у равновесном стані, тобто. pn = pi2 і струм між металом і полупроводником отсутствует.

1.2 Режим збагачення (UЗ >0).

Если UЗ >0, виникає полі спрямоване від напівпровідника до затвору. Це полі зміщує в кремнії основні носії (електрони) у напрямку до межі поділу кремній — оксид кремнію. У результаті кордоні виникає збагачений шар надлишкової концентрацією електронів. Нижню межу зони провідності, власний рівень і той верхня межа валентної зони вигинаються вниз.

[pic].

Малюнок 1.2 — Режим обогащения.

1.3 Режим збідніння (UЗ.