Усилитель потужності для 1-12 каналів TV

РефератДопомога в написанніДізнатися вартістьмоєї роботи

Усилитель потужності для 1-12 каналів TV (реферат, курсова, диплом, контрольна)

року міністерство освіти Російської Федерации.

ТОМСЬКИЙ УНІВЕРСИТЕТ СИСТЕМ.

УПРАВЛІННЯ І РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ.

(ТУСУР).

Кафедра радіоелектроніки та інформації (РЗИ).

Підсилювач потужності для 1−12 каналів TV.

Пояснювальна записка до курсовому проекту з дисципліни «Схемотехника аналогових електронних устройств».

Виконав студент гр.148−3.

______Далматов В.Н.

Перевірив викладач каф. РЗИ.

______Титов А.А.

Введение

… …3 2. Техническое завдання …4 3. Расчётная частина … 5 3.1 Визначення числа каскадів …5 3.2 Розподіл лінійних спотворень у області ВЧ …5 3.3 Розрахунок вихідного каскада…5.

3.3.1 Вибір робочої точки…5.

3.3.2 Вибір транзистора…9.

3.3.3 Розрахунок еквівалентній схеми транзистора…10.

3.3.4 Розрахунок ланцюгів термостабилизации…12 3.4 Розрахунок вхідного каскаду по постійному току…16.

3.4.1 Вибір робочої точки…16.

3.4.2 Вибір транзистора…16.

3.4.3 Розрахунок еквівалентній схеми транзистора…17.

3.4.4 Розрахунок ланцюгів термостабилизации…17 3.5 Розрахунок коригувальних цепей…18.

3.5.1 Вихідна коригувальна цепь…18.

3.5.2 Розрахунок межкаскадной КЦ…19.

3.5.3 Розрахунок вхідний КЦ …22 3.6 Розрахунок розділювальних і блокировочных ёмкостей…24 4 Заключение…26 5 Додаток А…27 6 Додаток Б…29 Список використаних источников…30.

Введение

У цьому курсової роботі потрібно розрахувати підсилювач потужності для 1- 12 каналів TV. Цей підсилювач призначений посилення сигналу на передавальної станції, що необхідне нормальної роботи TV-приёмника, якого обслуговує ця станція. Оскільки потужність в нього средняя (5 Вт), то застосовується він відповідно на невеликі расстояния (в районі села, невеликого города).В ролі джерела усиливаемого сигналу може бути відеомагнітофон, сигнал ухвалений антеною ДМВ і перетворений в МВ діапазон. Оскільки посилений сигнал несе інформацію про зображенні, то щоб одержати хорошої якості зображення на TV-приёмнике на підсилювач накладаються такі вимоги: рівномірний посилення в усьому діапазоні частот і навіть мати достатню міць і необхідний коефіцієнт посилення. З економічного погляду повинен мати максимальним КПД.

Досягнення необхідної потужності дає використання схеми каскаду зі складанням напруги. Для корекції АЧХ підсилювача використовують різні прийоми: запровадження негативних зворотного зв’язку, застосування межкаскадных коригувальних ланцюгів. Оскільки проектований підсилювач є підсилювачем потужності то запровадження ОС влечёт втрату потужності ланцюгах ОС що знижує ККД і отже застосовувати їх у даному підсилювачі не доцільно. Застосування межкаскадных коригувальних цепей (МКЦ) значно підвищує ККД. У цьому підсилювачі використовується МКЦ 3-го порядку, оскільки він має хорошими частотними свойствами.

2. Технічне задание.

Підсилювач повинен відповідати наступним вимогам: 1. Робоча смуга частот: 49−230 МГц 2. Лінійні спотворення у сфері нижніх частот трохи більше 2 дБ у сфері верхніх частот трохи більше 2 дБ 3. Коефіцієнт посилення 25 дБ 4. Потужність вихідного сигналу Pвых=5 Вт 5. Опір джерела сигналу і навантаження Rг=Rн=75 Ом.

3. Расчётная часть.

3.1 Визначення числа каскадов.

При виборі числа каскадів приймемо до уваги те, що з потужного підсилювача один каскад із загальним эмиттером дає змогу отримувати посилення до 6 дБ, бо як потрібно одержати 15 дБ оптимальне число каскадів даного підсилювача одно трьом, тоді, загалом, підсилювач матиме коефіцієнт усилния 18 дБ (запас 3 дБ).

3.2 Розподіл лінійних спотворень у області ВЧ.

Розрахунок підсилювача проводитимемо з те, що спотворення розподілені між каскадами рівномірно, бо як всього три каскаду і загальна нерівномірність мусить бути максимум 2 дБ, то, на кожен каскад доводиться по 0,7 дБ.

3. Розрахунок вихідного каскада.

3.3.1 Вибір робочої точки.

Для розрахунку робочої точки треба знайти вихідні параметри Iвых і Uвых, визначених по формулам:

[pic].

Для каскаду зі складанням напруг будуть справедливі самі формули, але навантаження відчутна кожним транзистором становитиме половину Rн і потужність кожного транзистора дорівнюватиме половині вихідної потужності. Тоді вихідні параметри приймуть такі значения:

[pic].

Виберемо, якою схемою буде виконано каскад: з дроссельной навантаженням, резистивной навантаженням чи з схемою зі складанням напруг. Розглянемо б ці схеми і виберемо ту, яку найдоцільніше применить.

А) Розрахунок каскаду з резистивной нагрузкой:

Схема каскаду представлена малюнку 3.3.1.

Малюнок 3.3.1 Схема каскаду з резистивной нагрузкой.

[pic].

[pic] де Uост — залишкове напруга на колекторі і за розрахунку беруть рівним Uост=(1~3)В. Тогда:

[pic].

Напруга харчування вибирається рівним [pic]плюс напруга на [pic]:

[pic].

Побудуємо нагрузочные прямі по постійному і перемінному току. Вони наведено малюнку 3.3.2.

. Малюнок 3.3.2. Нагрузочные прямі по постійному і перемінному току.

Произведём розрахунок потужностей: споживаної і розсіюваною на колекторі, використовуючи такі формулы:

[pic].

Б) Розрахунок дроссельного каскада:

Схема дросеельного каскаду представлена малюнку 3.3.3.

[pic].

Малюнок 3.3.3. Схема дроссельного каскада.

[pic].

Побудуємо нагрузочные прямі по постійному і перемінному току. Вони представлені малюнку 3.3.4.

Малюнок 3.3.4 — Нагрузочные прямі по постійному і перемінному току.

Произведём розрахунок потужності :

[pic].

Каскад з дроссельной навантаженням має кращі параметри проти каскадом з резистивной навантаженням. І це менше напруга харчування, і менша рассеиваемая транзистором потужність, проте, вдається знайти транзистор який би видавав необхідну на навантаження потужність (за завданням 5 Вт) в заданої смузі частот (49−230 МГц).Поэтому розрахуємо каскад зі складанням напруг. У схемою зі складанням напруг, потужності, видані двома транзисторами, складаються на навантаженні. Тобто кожен транзистор має віддавати лише половину необхідної на навантаженні мощности.

У) Розрахунок каскаду зі складанням напряжений:

Схема каскаду зі складанням напруг представлена малюнку 3.3.5.

[pic].

Малюнок 3.3.5. Схема каскаду зі складанням напряжений.

[pic].

Побудуємо нагрузочные прямі по постійному і перемінному току. Вони представлені малюнку 3.3.6.

Малюнок 3.3.6 — Нагрузочные прямі по постійному і перемінному току.

Произведём розрахунок потужності :

[pic].

Для зручності порівняння каскадів складемо таблицю у якому занесемо напруга харчування каскадів, споживану і рассеиваемую ними потужності, а як і напруга коллектор-эммитер і струм коллектора.

Табл. 3.3.1 характеристики каскадов.

Аналізуючи набуті результати представлені у таблиці 3.3.1 можна зробити висновок, що доцільніше використовувати схему каскаду зі складанням напруг, оскільки значно знижуються споживана міць і величина яке живить напруги. Також вибір каскаду зі складанням напруг обумовлений великий смугою пропускання, за завданням від 49МГц до 230МГц, і досить великий вихідний потужністю — 5 Вт. При виборі іншого каскаду, резестивного чи дроссельного, й з вибором транзистора, тоді як каскад зі складанням напруг дозволяє достич задані требования.

3.3.2 Вибір транзистора.

Вибір транзистора здійснюється з урахуванням наступних граничних параметров:

1. граничной частоти посилення транзистора по току у схемі з ОЭ.

[pic];

2. гранично припустимого напруги коллектор-эмиттер

[pic]; 1. гранично припустимого струму коллектора.

[pic]; 4. граничною потужності, розсіюваною на коллекторе.

[pic].

Цим вимогам цілком відповідає транзистор КТ934Б. Його основні технічні характеристики наведено ниже. 1].

Електричні параметри: 1. Гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі з ОЕ [pic]МГц; 2. Постійна часу ланцюга зворотний зв’язок при [pic] У [pic]пс; 3. Статичний коефіцієнт передачі струму у схемі з ОЕ [pic]; 4. Ёмкость коллекторного переходу при [pic] У [pic]пФ; 5. Индуктивность виведення бази [pic]нГн; 6. Индуктивность виведення эмиттера [pic]нГн.

Граничні експлуатаційні дані: 1. Постійне напруга коллектор-эмиттер [pic]В; 2. Постійний струм колектора [pic]А; 3. Постійна рассеиваемая потужність колектора [pic] Вт;

3.3.3 Розрахунок еквівалентній схеми транзистора.

Є багато різних моделей транзистора. У цьому роботі зроблений розрахунок моделей: схеми Джиаколетто і односпрямованої моделі на ВЧ.

Відповідно до [2, 3,], наведені нижче співвідношення до розрахунку підсилюючих каскадів засновані на використанні еквівалентній схеми заміщення транзистора наведеної малюнку 3.3.7, або на використанні його односпрямованої моделі [2, 3] наведеної малюнку 3.3.8.

А) Розрахунок схеми Джиаколетто:

Схема Джиаколетто представлена малюнку 3.3.7.

[pic].

Малюнок 3.3.7 Схема Джиаколетто.

Знайдемо з допомогою постійної часу ланцюга зворотний зв’язок опір базового переходу по формуле:

[pic][pic] (2.9).

При що ж [pic] і [pic] доложны бути обмірювані за одного напрузі Uкэ. А оскільки довідкові дані наведено в різних напряжниях, необхідно скористатися формулою переходу, котоая дозволяє обчислити [pic] при будь-якому значенні напруги Uкэ:

[pic] (2.10) у нашій случае:

[pic] Підставимо отримане значення в формулу: [pic], тоді [pic] Знайдемо значення інших елементів схеми: [pic], де (2.11) [pic] - опір эмиттеного переходу транзистора Тоді [pic] Ємність эмиттерного переходу: [pic] Вихідний сопртивление транзистора: [pic] (2.12) [pic] (2.13).

[pic].

Б) Розрахунок односпрямованої моделі на ВЧ:

Схема односпрямованої моделі на ВЧ представлена малюнку 3.3.8 Опис такий моделі можна знайти у [3].

[pic].

Малюнок 3.3.8 односпрямована модель транзистора.

Параметри еквівалентній схеми розраховуються по приведеним нижче формулам.

Вхідні индуктивность:

[pic], де [pic]-индуктивности висновків бази й эмиттера, які беруть із довідкових данных.

Вхідний сопротивление:

[pic], (3.3.4).

Вихідний опір має значення, як й у схемою Джиаколетто:

[pic].

Вихідна ёмкостьце значення ёмкости [pic] розрахований у робітничій точке:

[pic].

3.3.4 Розрахунок ланцюгів термостабилизации.

При розрахунку ланцюгів термостабилизации треба задля початку вибрати варіант схеми. Є кілька варіантів схем термостабилизации: пасивна колекторна, активна колекторна і эмиттерная. Їх використання залежить від потужності каскаду і зажадав від того, наскільки жорсткі вимоги до термостабильности. Розглянемо ці схемы.

3.3.4.1 Эмиттерная термостабилизация.

Эмитерная стабілізація застосовується у основному малопотужних каскадах і є достачно простий в розрахунку і навіть ефективної. Схема эмиттерной термостабилизации приведено малюнку 3.3.9. Метод розрахунку і аналізу эмиттерной термостабилизации докладно описаний в [4].

[pic].

Малюнок 3.3.9 эммитерная термостабилизация.

Розрахунок проводиться у разі наступній схеме:

1.Выбираются напруга эмиттера [pic] і струм дільника [pic], і навіть напруга харчування [pic];

2. Потім розраховуються [pic].

Напруга эмиттера [pic] вибирається рівним [pic]. Струм дільника [pic] вибирається рівним [pic], де [pic]- базовий струм транзистора і обчислюється по формуле:

[pic]мА.

[pic] А.

Враховуючи те, що у коллекторной ланцюга відсутня резистор, то напруга харчування вираховується за формулою [pic]В. Розрахунок величин резисторів проводиться у разі наступним формулам:

[pic] Ом;

3.3.4.2 Активна колекторна термостабилизация.

Активна колекторна термостабилизация використовують у потужних каскадах і є дуже ефективної, її схема представлена малюнку 3.3.10. Її письмо речей та розрахунок можна знайти у [5].

[pic].

Малюнок 3.3.10 Схема активної коллекторной термостабилизации.

Як VT1 візьмемо КТ814А. Вибираємо падіння напруги на резисторе [pic] з умови [pic](пусть [pic]В), тоді [pic]. Потім виробляємо наступний расчёт:

[pic];

(3.3.11).

[pic];

(3.3.12).

[pic];

(3.3.13).

[pic];

(3.3.14).

[pic],.

(3.3.15) де [pic] - статичний коефіцієнт передачі струму у схемі з ПРО транзистора КТ814;

[pic];

(3.3.16).

[pic];

(3.3.17).

[pic].

(3.3.18).

Отримуємо такі значения:

[pic]Ом;

[pic]мА;

[pic]В;

[pic]А;

[pic]Ом;

[pic]Ом.

[pic].

Величина індуктивності дроселі вибирається в такий спосіб, щоб змінна складова струму не заземлялась через джерело харчування, а величина блокувальною ёмкости — в такий спосіб, щоб колектор транзистора VT1 по перемінному току був заземлён.

3.3.4.3 Пасивна колекторна термостабилизация.

Найбільш економічною і найпростішої із усіх схем термостабилизации є колекторна стабілізація. Стабілізація становища точки спокою здійснюється негативною паралельної зворотної зв’язком за напругою, найманої з колектора транзистора. Схема коллекторной стабілізації представлена малюнку 3.3.11.

Малюнок 3.3.11 Схема пасивної коллекторной термостабилизации Рассчитаем основні елементи схеми за такими формулам:

Виберемо напруга URк=5 В і розрахуємо значення опору Rк.

Знаючи базовий струм розрахуємо опір Rб.

Визначимо рассеиваемую потужність на резисторе Rк.

Як було вказано вище, эмиттерную термостабилизацию в потужних каскадах застосовувати «невигідно» бо в резисторе, включённом в ланцюг эмиттера, витрачається велика потужність. У нашому випадку краще вибрати активну коллекторную стабилизацию.

4. Розрахунок вхідного каскада.

3.4.1 Вибір робочої точки.

При розрахунку режиму предоконечного каскаду умовимося, що харчування всіх каскадів здійснюється від джерела напруженості із номінальним значенням Eп. Оскільки Eп=Uк0, то відповідно Uк0 переважають у всіх каскадах береться однакове, тобто Uк0(предоконечного к.)=Uк0(выходного до). Потужність, генерируемая предоконечным каскадом маєш бути у коефіцієнт посилення вихідного каскаду разом із МКЦ (S210) разів менша, отже, і Iк0, буде під стільки ж менше. Відповідно до вищезазначеного координати робочої точки приймуть такі значення: Uк0= 15 У; Iко=0.4/2.058= 0.19 А. Потужність, рассеиваемая на колекторі Pк= Uк0 Iк0=2.85 Вт.

3.4.2 Вибір транзистора.

Вибір транзистора був зроблений у пункті 3.3.5.2 Вибір вхідного транзистора ввозяться відповідно до вимог, які у пункті 3.3.2. Цим вимогам відповідає транзистор КТ913А. Його основні технічні характеристики наведено ниже. 1].

Електричні параметры:

1. гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі з ОЕ [pic]МГц;

2. Постійна часу ланцюга зворотний зв’язок [pic]пс;

3. Статичний коефіцієнт передачі струму у схемі з ОЕ [pic];

4. Ёмкость коллекторного переходу при [pic]В [pic]пФ;

5. Индуктивность виведення бази [pic]нГн;

6. Индуктивность виведення эмиттера [pic]нГн.

Граничні експлуатаційні данные:

1. Постійне напруга коллектор-эмиттер [pic]В;

2. Постійний струм колектора [pic]А;

3.4.3 Розрахунок еквівалентній схеми транзистора.

Еквівалентна схема має той вигляд, як і схема представлена на малюнку 3.3. Розрахунок її елементів проводиться у разі формулам, приведеним в пункті 3.3.3.

[pic]нГн;

[pic]пФ;

[pic]Ом.

[pic]Ом;

[pic]пФ.

3.4.4 Розрахунок ланцюга термостабилизации.

Для вхідного каскаду також обрано активна колекторна термостабилизация.

[pic];

(3.3.11).

[pic];

(3.3.12).

[pic];

(3.3.13).

[pic];

(3.3.14).

[pic],.

(3.3.15) де [pic] - статичний коефіцієнт передачі струму у схемі з ПРО транзистора КТ814;

[pic];

(3.3.16).

[pic];

(3.3.17).

[pic].

(3.3.18).

Отримуємо такі значения:

[pic]Ом;

[pic]мА;

[pic]В;

[pic]А;

[pic]Ом;

[pic]кОм.

3.5 Розрахунок коригувальних цепей.

3.5.1 Розрахунок вихідний коригуючої цепи.

Розрахунок всіх КЦ виробляється у відповідності з методикою описаної в [2]. Схема вихідний коригуючої ланцюга представлена малюнку 3.12.

[pic].

Малюнок 3.3.12 Схема вихідний коригуючої цепи.

Вихідну коригувальну ланцюг можна розрахувати з допомогою методики Фано, яка докладно описано на методичному посібнику [2]. Знаючи Свых і fв можна розрахувати елементи L1 і C1 .

Знайдемо [pic]- вихідний опір транзистора нормоване щодо [pic] і [pic].

[pic] (3.5.1).

[pic].

Тепер щодо таблиці приведённой в [2] знайдемо найближче до розрахованим значення [pic] і виберемо відповідні йому нормовані величини елементів КЦ [pic] і [pic].

[pic].

Знайдемо істинні значення елементів по формулам:

[pic];

(3.5.2).

[pic];

(3.5.3).

. [pic] Пан; (3.5.4).

[pic]Ф;

3.5.2 Розрахунок межкаскадной КЦ

У цьому підсилювачі є дві МКЦ: між вхідним каскадом і каскадом зі складанням напруг і вході підсилювача. Це коригувальні ланцюга третьеого порядку. Ланцюг такого виду забезпечує реалізацію усилительного каскаду з нахилом АЧХ, лежачим не більше необхідних відхилень (підвищення чи зниження) із наперед заданими частотними спотвореннями [2].

Розрахунок межкаскадной коригуючої ланцюга, яка перебуває між вхідним каскадом і каскадом зі складанням напряжений:

Принципова схема МКЦ представлена малюнку 3.3.13.

[pic].

Малюнок 3.3.13. Межкаскадная коригувальна ланцюг третього порядка.

При розрахунку використовуються односпрямовані моделі на ВЧ вхідного і предоконечного транзисторів. У схемою зі складанням напруг обидва транзистора вибираються однаковими. Виникає запитання: вибір предоконечного транзистора. Зазвичай його вибирають орієнтовно, і якщо отримані результати будуть задовольняти його оставляют.

У нашій випадку візьмемо транзистор КТ913А (VT1), який має такі еквівалентні параметры:

Свых=5.5 пФ.

Rвых=55 Ом.

І транзистор КТ 934Б (VT2), має такі еквівалентні параметры:

Lвх=3.8 нГн.

Rвх=0.366 Ом.

При розрахунку використовуватимуться коефіцієнти: [pic], [pic], [pic], значення яких беруться з заданої нерівномірності АЧХ. Таблиця коефіцієнтів приведено в методичному посібнику [2] У нашому випадку вони відповідно рівні: 2.31, 1.88, 1.67. Розрахунок залежить від перебування нормованих значений:[pic] і подставлении в відповідні формули, з яких перебувають нормовані значення елементів і перетворюються на справжні значения.

Отже, произведём розрахунок, використовуючи такі формулы:

[pic],.

[pic]= [pic] - нормовані значення [pic], [pic], [pic]. Підставимо вихідні параметри і цього получим:

[pic] Знаючи це, розрахуємо такі коефіцієнти: [pic]; [pic]; (2.32) [pic]; одержимо: [pic] Звідси знайдемо нормовані значення [pic], [pic], і [pic]:

[pic] де [pic]; (2.33).

[pic];

[pic]. При розрахунку одержимо: [pic] і цього: [pic] Розрахуємо додаткові параметри: [pic] (2.34) [pic] (2.35) де S210- коефіцієнт передачі кінцевого каскаду. Для вирівнювання АЧХ у сфері нижніх частот використовується резистор [pic], розраховуваний за такою формулою: [pic] (2.36) Знайдемо істинні значення інших елементів по формулам: [pic], [pic], [pic], (2.37) [pic] [pic] [pic].

3.5.3 Розрахунок вхідний КЦ

Схема вхідний КЦ представлена малюнку 3.5.14. Її розрахунок, і навіть табличні значення аналогічні описаним у пункті 3.5.1.

[pic].

Малюнок 3.5.14 вхідні коректирующая цепь.

Расчитаем вхідну коректирующую цепь:

[pic],.

[pic]= [pic] - нормовані значення [pic], [pic], [pic]. Підставимо вихідні параметри і цього получим:

[pic] де [pic]; (2.33).

[pic];

3.6 Розрахунок розділювальних і блокировочных ёмкостей.

Дросель в коллекторной ланцюга каскадів ставиться у тому, щоб вихід транзистора по перемінному току ні заземлен. Його розмір вибирається з условия:

[pic].

(3.6.3).

[pic]мкГн.

Опір і ємність зворотний зв’язок, які у ланцюга бази вихідного транзистора расчитаем по формулам:

[pic].

Підставивши значення получим:

[pic][pic].

[pic] Розділювальні емкости.

Пристрій має 4 реактивних елемента, що роблять частотні спотворення на низьких частотах. Ці елементи — розділювальні ємності. Кожна з цих ємностей з технічного завданням повинна вносити трохи більше 0.75 дБ частотних спотворень. Номінал кожної ємності з урахуванням заданих спотворень і обвязывающих опорів вираховується за формулою: [pic].

(1.38) де Yн — задані искажения;

R1 і R2 — обвязывающие опору, Ом; wн — нижня частота, рад/сек. Наведемо спотворення, задані в децибелах:

[pic],.

(1.39) де М — частотні спотворення, що припадають на каскад, Дб. Тоді [pic] [pic].

Номінал розділової ємності кінцевого каскаду: [pic].

Номінал розділової ємності що стоїть у ланцюги колектора транзистора з загальним эмиттером в каскаді зі складанням напруг: [pic]Номинал розділової ємності що стоїть у ланцюзі колектора вхідного транзистора: [pic]Номинал розділової ємності вхідного каскаду: [pic].

Ємність Сбл знайдемо з условия:

(XСбл (((Rк, де Rк — опір що стоїть у ланцюга колектора транзистора активної коллекторной термостабилизации представленої на рис. 3.3.10.

(Хс (=(1/((((С (=1/((С.

С=1/(Хс (((.

Для розрахунку Сбл візьмемо (Хс (=0.43 що 500 разів менша Rк. У результаті получим:

С=1/0.43(2(((230(106=1.6(10−9.

Сбл=1.6 нФ.

Заключение

Розрахований підсилювач має такі технічні характеристики:

1. Робоча смуга частот: 49−230 МГц.

2. Лінійні спотворення у сфері нижніх частот трохи більше 2 дБ у сфері верхніх частот трохи більше 2 дБ.

3. Коефіцієнт посилення 30дБ з підйомом області верхніх частот 6 дБ.

4. Харчування однополярное, Eп=16 В.

5. Діапазон робочих температур: від +10 до +60 градусів Цельсия.

Підсилювач вміщує навантаження Rн=75 Ом.

Підсилювач має запас щодо посилення 5дБ, це треба задля здобуття права в разі погіршення, з жодних причин, параметрів окремих елементів коефіцієнт передачі підсилювача не опускався нижче рівня, певного технічним заданием.

|Поз. | | | | |Обозна-|Наименование |Паля. |Примітка | | | | | | |чение | | | | | | | | | | |Транзистори | | | | | | | | |VT1 |КТ913А |1 | | |VT2 |КТ814А |1 | | |VT3 |КТ934Б |1 | | |VT4 |КТ814А |1 | | |VT5 |КТ934Б |1 | | |VT6 |КТ814А |1 | | | | | | | | |Конденсатори | | | | | | | | |С1 |КД-2−0.1нФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | |С2 |КД-2−20пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | |С3 |КД-2−16пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | |С4, С8,|КМ-6−2.2нФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |4 | | | | | | | |С10,С12| | | | |С5 |КД-2−200пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | |С6 |КД-2−22пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | |С7 |КД-2−7.6пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | |С9 |КД-2−110пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | | С11|КМ-6−16пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | |С13 |КД-2−100пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | |С14 |КМ-6−10пФ (5(ОЖО.460.203 ТУ |1 | | | | | | | | |Котушки індуктивності | | | | | | | | |L1 |Индуктивность 25нГн (5(|1 | | |L2 |Индуктивность 12нГн (5(|1 | | |L3 |Индуктивность 50нГн (5(|1 | | |Др4- |Индуктивность 25мкГн (5(|5 | | |Др8 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |РТФ КП 468 740.001 ПЗ | | | | | | | | | | | | | | |Літ |Маса |М| | | | | | | | | |а| | | | | | | | | |з| | | | | | | | | |ш| | | | | | | | | |т| | | | | | | | | |а| | | | | | | | | |б| |И|Лис|Nдокум. |Подп.|Дат|УCИЛИТЕЛЬ ПОТУЖНОСТІ | | | | | | |з|т | | |а | | | | | | | |м| | | | | | | | | | | |Выполн|Далматов | | |ДЛЯ 1−12 КАНАЛІВ | | | | | | |мул | | | | | | | | | | |Провер|Титов | | |TV | | | | | | |. |А.А. | | | | | | | | | | | | | | |Ліст |Листов| | | | | | |ТУСУР РТФ | | | | | |Перелік елементів |Кафедра РЗИ | | | | | | |грн. 148−3 |.

|Поз. | | | | |Обозна-|Наименование |Паля. |Примітка | | | | | | |чение | | | | | | | | | | |Резисторы | | | | | | | | |R1 |МЛТ — 0.125 — 1.2 кОм |1 | | | |(10(ГОСТ7113−77 | | | |R2 |МЛТ — 0.125 — 18 кОм |1 | | | |(10(ГОСТ7113−77 | | | |R3 |МЛТ — 0.125 — 220 Ом |1 | | | |(10(ГОСТ7113−77 | | | |R4 |МЛТ — 0.125 — 2.2 кОм |1 | | | |(10(ГОСТ7113−77 | | | |R5 |МЛТ — 1 — 0.25 Ом (10(ГОСТ7113−77 |1 | | |R6 |МЛТ — 0.125 — 6 кОм |1 | | | |(10(ГОСТ7113−77 | | | |R7,R11 |МЛТ — 0.125 — 160 Ом |2 | | | |(10(ГОСТ7113−77 | | | |R8,R12 |МЛТ — 0.125 — 820Ом |2 | | | |(10(ГОСТ7113−77 | | | |R9,R13 |МЛТ — 0.125 — 22 Ом |2 | | | |(10(ГОСТ7113−77 | | | |R10,R14|МЛТ — 1 — 2.5 Ом (10(ГОСТ7113−77 |2 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |РТФ КП 468 740.001 ПЗ | | | | | | | | | | | | | | |Літ |Маса |М| | | | | | | | | |а| | | | | | | | | |з| | | | | | | | | |ш| | | | | | | | | |т| | | | | | | | | |а| | | | | | | | | |б| |И|Лис|Nдокум. |Подп.|Дат|УCИЛИТЕЛЬ ПОТУЖНОСТІ | | | | | | |з|т | | |а |ОПОЛОСНЫЙ | | | | | | |м| | | | | | | | | | | |Выполн|Далматов | | |ДЛЯ 1−12 КАНАЛІВ | | | | | | |мул | | | | | | | | | | |Провер|Титов | | |TV | | | | | | |. |А.А. | | | | | | | | | | | | | | |Ліст |Листов| | | | | | |ТУСУР РТФ | | | | | |Перелік елементів |Кафедра РЗИ | | | | | | |грн. 148−3 |.

Список використаних источников.

1 Довідник напівпровідникові прилади /транзистори середньої та великої потужності. Під ред. А. В. Голомедова. Видання третє. Москва 1995 г.

2 Титов А. А. Розрахунок коригувальних ланцюгів широкосмугових підсилюючих каскадів на біполярних транзисторах — internet 2764.zip.

3 Широкосмугові радиопередающие устрою /Алексєєв О.В., Головков А. А., Полєвой В.В., Соловйов А. А.; Під ред. О.В. Алексєєва.- М.: Зв’язок. 1978 г.

4 Мамонкин І.Г. Підсилювальні устрою: Навчальний посібник для вузів. — М.: Зв’язок, 1977.

5 Титов А. А. Розрахунок диссипативной межкаскадной коригуючої ланцюга широкосмугового підсилювача потужності. //Радіотехніка. 1989. № 2 ———————————- [pic].

каскад.

[pic].

UК.

IК.

0.4.

0.8.

1.2.

R~.

R=.

UКЭ.

IК.

0.8.

0.4.

R~.

R=.

Iк.

Uкэ.

R~.

0.8.

0.4.

R=.

резистивный дроссельный.

зі складанням напряжений.

EП.

В.

PРАС.

Вт.

PПОТ.

Вт.

IK0.

А.

UK0.

В.

0.4.

Показати весь текст

Заповнити форму поточною роботою