Проектування високовольтного стабілізатора

Проектирование високовольтного стабилизатора.

При побудові високовольтних стабілізаторів (Uвых > З0 У) доцільно.

використовувати схеми високовольтних підсилювачів. На рис. 7.6 показано схема.

високовольтного стабілізатора, де ЗУ «виважено» щодо входу эмиттерного.

повторителя, побудованого на транзисторі V3. Характерною ознакою схеми.

служить наявність як ООС, і СЕЛ в підсилювачі. У час включення харчування ланцюг.

ООС виключена (стабилитрон VI замкнено), унаслідок чого вихідний напруга.

наростає релаксационно рівня, коли відбувається пробою стабилитрона.

VI. Рівень вихідного стабилизированного напруги визначається з умови.

рівності напруг на резисторах R1 і R5, т. е.

звідси.

Малюнок 1. Схема високовольтного стабилизатора.

З показаної схеми видно, що незалежно від рівня вихідного напруги.

різницю потенціалів між инвертирующим входом і виходом ЗУ дорівнює UV1, різницю.

потенціалів між виходом ЗУ і клеммой харчування ЗУ вбирається у UV4, потенціал.

неинвертирующего входу ЗУ приблизно дорівнює потенціалу инвертирующего входу ЗУ, т.

е. все напруги між електродами ЗУ становить припустимою величини. У.

динаміці потенціал неинвертирующего входу ЗУ може істотно відрізнятимуться від.

потенціалу инвертирующего входу ЗУ у зв’язку з низьким швидкодією підсилювача.

Тому між входами ЗУ доцільно включити діод, захищає ЗУ від небезпечних.

напруг.

Лістинг программы.

Uses crt;

Var.

R1,R2,Uv1,Ep, U0: real;

Function U_exit:real;

begin.

U_exit:=Uv1*(1+R1/R2).

end.

begin.

Repeat.

ClrScr;

WriteLn («Запровадьте такі параметри устрою »);

WriteLn;

Write («Напруга харчування, Ер, B: »);Read (Ep);

WriteLn;

Write («Напруга стабілізації стабилитрона Uv1, B (Uv1.

Until Uv1>=Ep.

WriteLn.

Write («Опір R1, Ом: »); Read (R1);

WriteLn;

Write («Опір R2, Ом: »); Read (R2);

WriteLn;

WriteLn («Значення вихідного напруги Uвых=', U_exit:2:5);

Read;

end.