Технология виробництва К56ИЕ10 серії м (з К426 і К224 (WinWord)

смотреть на реферати схожі на «Технологія виробництва К56ИЕ10 серії м (з К426 і К224 (WinWord) «.

Міністерство науки, вищій школі та програмах технічної політики Российской.

Федерации.

Московський державний технічний університет ім Н. Е. Баумана.

______________________________________________________________.

Калузький филиал.

Кафедра П6-КФ.

Про Т Ч Є Т.

по технологічної практиці на теми 1. Кристальне виробництво МС 564ИЕ10 1.1 Операція спецокисление 1.2 Операція видалення фоторезиста в суміші Каро 2. Складальне виробництво МС К425НК1 2.1 Операція нанесення шару компаунда окунанием.

Студент грн. ФТМ-81 Тимофєєв А. Ю.

Керівник практики від КФ МГТУ.

Зайончковский У. С.

Керівники практики від АТ «Восход».

Шашкина Л. И.

Ладышева І. Н.

р. Калуга.

1997 г.

З Про Д Є Р Ж, А М І Е КРИСТАЛЬНОЕ ВИРОБНИЦТВО 3.

ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕНИМ ЕКСКУРСІЙ 3.

ВВОДНАЯ ЧАСТИНА 3.

МАРШРУТ ВИГОТОВЛЕННЯ КРИСТАЛА 564ИЕ10 4.

ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ 5 Устаткування. 5 Підготовка робочого місця та організація трудового процесу. 6 Технологічний процес. 7 ОПЕРАЦІЯ ВІДДАЛЕННЯ ФОТОРЕЗИСТА У СУМІШІ КАРО 9.

Оборудование. 9 Вимоги безпеки. 9 Підготовка робочого місця та організація трудового процесу. 10 Технологічний процес. 11.

КОНТРОЛЬ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ КРИСТАЛА 12.

Оборудование. 12 Алгоритм програми разбраковки. 12.

СБОРОЧНОЕ ВИРОБНИЦТВО 15.

ВВОДНАЯ ЧАСТИНА 15.

МАРШРУТ ВИГОТОВЛЕННЯ МІКРОСХЕМ К425НК1 16.

ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕННЯ ШАРУ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ 18.

Подготовка робочого місця. 18 Організація трудового процесу. 18 Технологічний процес. 18 Вимоги безпеки. 19 Додаткові вказівки. 19.

ЛИТЕРАТУРА

21 КРИСТАЛЬНЕ ПРОИЗВОДСТВО ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕНИМ ЭКСКУРСИЯМ.

У результаті практики було проведено екскурсія в цеху кристального виробництва, у якої ознайомилися з такими ділянками:. Ділянка чистої хімії;. Ділянка нанесення фоторезиста;. Ділянка фотокопії;. Ділянка технохимии;. Ділянка плазмохимического травлення;. Ділянка дифузії;. Ділянка іонного легування;. Ділянка нанесення діелектричних плівок;. Ділянка напилювання;. Ділянка контролю електрофізичних параметрів;. Ділянка испытаний.

ВСТУПНА ЧАСТЬ Микросхема 564ИЕ10.

Микросхема містить дві окремі четырехразрядных двійкових лічильника. Тригери кожного їх встановлюються у початковий стан (нульовий) при подачі рівня 1 на вхід R. Тригери лічильників 564ИЕ10 переключаються в момент спаду імпульсів позитивної полярності на вході СВ за 23−24-відсоткового рівня 0 на вході CN. Можлива подача імпульсів негативною полярності на вхід CN за 23−24-відсоткового рівня 1 на вході СВ. Отже, входи CP і CN об'єднані логічного функцією І. При поєднанні мікросхем 564ИЕ10 в многоразрядный лічильник з послідовним перенесенням висновки 8 підключаються до входам СВ наступних, а на входи CN подають рівень 0. На лічильнику 564ИЕ10 взяток дільник частоти з коефіцієнтом розподілу від 2 до 15.

Рис. 1. Графічне зображення МС 564ЕИ10 Рис. 2. Тимчасова діаграма роботи лічильника 564ИЕ10.

[pic].

МАРШРУТ ВИГОТОВЛЕННЯ КРИСТАЛА 564ИЕ10.

1. Формування партії пластин. 2. Гидромеханическая відмивання пластин. 3. Хімічна обработка.

Суміш Каро (H2SO4+H2O2), перикисьно-амиачная суміш. Устаткування— лінія «Лада 125». 4. Окислювання 1.

Установки СДОМ, АДС. Температура 1000ОС. О2+пар. 5. Фотолитография.

Формування області р-кармана.

5.1. Нанесення фоторезиста.

Фоторезист — ФП383.

Установка ХБС.

5.2. Поєднання експонування пластин ЕМ — 576А.

5.3. Прояв фоторезиста.

Проявник — їдкий калий.

5.4. Чинбарня фоторезиста.

Установки «Лада».

5.5. Травлення окисной пленки.

Буферний травитель.

5.6. Контроль. 6. Іонне легирование.

Бор 1. «Кишеню». Установка «Лада 30». 7. Зняття фоторезиста.

7.1. Плазма. Установка «08 ВГО 100Т-001».

7.2. Суміш Каро. 8. Хімічна обробка. 9. Разгонка бору. «Карман».

Температура 1200ОС. О2+азот. 10. Друга фотолитография.

Формування областей стікджерело р-канальных транзисторів і р± охорони. 11. Іонне легирование.

Бор 2. Стікджерело. Установка «Везувий-3М». 12. Зняття фоторезиста.

Плазма і суміш Каро. 13. Хімічна обробка. 14. Разгонка бору. Стікисток.

Температура 1000ОС, О2+пар. 15. Третя фотолитография.

Формування областей стікджерела n-канальных транзисторів і n± охорони. 16. Хімічна обробка. 17. Заганяння фосфору (дифузний метод).

Температура 900ОС. Диффузант — POCl3. 18. Зняття фосфорселикатного стекла.

HF: H2O =1 :10. 19. Разгонка фосфора.

Температура 1000ОС. О2+пар.

20. 4Я фотолитография.

Розтин областей під затвор і контактні вікна. 21. Окислювання 2 — подзатворный диэлектрик.

Температура 1000ОС. О2+HCl. 22. Стабілізація фосфора.

Температура 900ОС. Диффузант — POCl3. 23. Подлегирование. 24. Відпал подзатворного диэлектрика. 25. 5Я фотолитография.

Розтин контактних вікон. 26. Хімічна обробка. 27. Напилювання Al+Si.

Установка «Магна 2М». 28. 6Я фотолитография.

Формування алюмінієвої розведення. 29. Вжигание алюминия.

Температура 475ОС в азоті. 30. Нанесення захисного окисла.

Температура 400ОС. SiH4+O2.

Установка «Аксин». 31. 7Я фотолитография.

Розтин контактних майданчиків. 32. 8Я фотолитография.

Захист пластин фоторезистом. 33. Контроль ВАХ (пробивное напруга, граничне напруга, пряме напруга й ін.). 34. Контроль електричних параметрів. 35. Контроль зовнішнього вида.

ОПЕРАЦІЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ Оборудование.

. система диффузионная (див табл. 1). стіл монтажний СМ-4 А2МО 238 001 ТУ. реактор кварцовий (07−0397. реактор кварцовий (07−0541. гачок кварцовий (09−1067. човник кварцова (09−1216. підставка (09−1215. склянку СВ24/70 ГОСТ 25 336−82. пінцет ПС 160×3.0 ТУ 64−1-37−78. пінцет (09−1114. годинник електричні вторинні що дають ВЧС2-М2ПВ-400−323К ТУ 25−67- 1503−82. пластина кремнію 7 590 592 10 300 22. пластина кремнію супутник 7 590 592 10 300 22. водень хлористий скраплений марки Еге ТУ 6−01−4 689 387−42−90. спирт етиловий ректификованный технічний марки «Екстра» ГОСТ 18 300–87. кисень СТП ТВО 054 003−89. азот СТП ТВО 054 003−89. напальчники типу II виду Б№ 4 ТУ 38.106 567−88. серветка з мадаполаму (350×253) мм 7 590 592 10 301 43. серветка з батисту (150×150) мм 7 590 592 10 301 45. плівка поліетиленова марки На, полотно, 0,040×1400, I сорт ГОСТ 10 354–82.

Подготовка робочого місця та організація трудового процесса.

1.1 Підготовку робочого місця та організацію трудового процесу здійснювати відповідно до вимог табл. 1. 1.2 Технологічну операцію здійснювати із дотриманням вимог ТВО 045 954 ИОТ, 17.25 351.00003 ИОТ, ТВО 045 829 ИОТ, ТВО 045 982 ИОТ. 1.3 Дотримуватися вимоги виробничої гігієни по СТП 17−001−90. 1.4 Параметри мікроклімату повинні відповідати СТП 17−001−90: (1000,10 000; 22(2; 50(10). 1.5 Час межоперационного зберігання пластин має відповідати вимогам СТП 17−097−88. 1.6 Перевірити наявність витяжною вентиляції на системі дифузійної, в спеціальному шафі для зберігання балона до початку роботи з хлористим воднем. Виробляти роботи з хлористим воднем при виключеною вентиляції забороняється. При відключенні вентиляції негайно закрити вентиль на балоні з хлористим воднем. 1.7 Продути кварцовий реактор, оснастку хлористим воднем з расходом (10- 15) л/час щонайменше 30 хвилин: 1) спочатку першої зміни; 2) після зміни оснастки, труби; 3) заміни балона з хлористим воднем; 4) якщо час між процесами перевищує 24 години, із наступною продувкой азотом щонайменше 10 хвилин із витратою відповідно до таблиці 2. 1.7.1 Перед включенням хлористого водню продути лінію подачі магістральним азотом щонайменше 10 хвилин із витратою відповідно до таблиці 2. 1.7.1.1 Включити подачу азоту, регулюючи витрата натекателем на ротаметре. 1.7.1.2 Відкрити вентиль подачі азоту на лінію хлористого водню (вентиль з маркіруванням «N2»). 1.7.1.3 Відкрити вентиль з маркіруванням, встановити витрата (10−15) л/час натекателем на ротаметре. Регулювати тиск у магістралі при необхідності редуктором низький тиск. 1.7.1.4 Вимкнути продувку азотом, перекрити вентиль з маркіруванням «N2». 1.7.2 Виставити необхідний витрата кисню відповідно до табл. 2. 1.7.3 Відкрити в вытяжном шафі вентиль на балоні з хлористим воднем поворотом вентиля проти годинниковий стрілки. 1.7.4 Подать хлористий водень до системи, повернути вентиль редуктора по годинниковий стрілці. 1.7.5 Перевірити витрата по ротаметру на шляху подання хлористого водню в реактор. 1.7.6 Перекрити вентиль на балоні з хлористим воднем поворотом вентиля по годинниковий стрілці, якщо витрата хлористого водню виходить поза допустимі межі України і повторити переходи в.п. 7.1−7.1.4. 1.7.7 Не встановлюється необхідний витрата хлористого водню при повторному включенні в.п. 7.3−7.5, закрити вентиль на балоні, продути систему азотом й повідомити звідси технологу, майстру чи початковому ділянки. Категорично забороняється під час роботи з хлористим воднем виробляти регулювання тиску в лінії з хлористим воднем. 1.8 Змінювати кварцові реактори при негативні результати за напругою відсічення, не менше десь у квартал. 1.9 Проводити контрольний процес, виконуючи вимоги технологічної інструкції відповідно до табл. 1, після зміни балона з хлористим воднем, після зміни оснастки реактори й перед кожним процесом, якщо час між процесами перевищує 24 години. 1.10 Проводити процес без використання екранних пластин. 1.11 Проводити оцінку контрольного процесу з напрузі відсічення відповідно до вольт-емкостных характеристик по ТВО 336 568 ТК, 17.60 303.00002. Що стосується відхилення від норми напруги відсічення, вказаний у таблиці 2, продути реактор, оснастку хлористим воднем, провести повторно контрольний процес, а при негативні результати змінити реактор, оснастку. 1.12 Фільтри очищення хлористого водню заміняти щомісяця з позначкою про терміні заміни і розписом наладчика в журнале.

Технологический процесс.

2.1 Провести технологічний процес, виконуючи переходи технологічних інструкцій відповідно до табл. 2, відповідно до вимогами таблиці режиму відповідного процесу. Під час процесу ознайомитися з витратою хлористого водню, кисню. 2.2 Після закінчення технологічного процесу: 1) перекрити вентиль на балоні з хлористим воднем поворотом вентиля по годинниковий стрілці. 2) переключити вентиль на редукторі поворотом проти годинниковий стрілки. 3) продути систему азотом, виконуючи переходи в.п. 6.1. 2.3 Виробити виміру товщини окисла відповідно до вимогами 17.25 202.00004 у трьох точках пластины-спутник. Товщина окисла повинна відповідати нормі, заданої в таблиці 2. 2.4 Заповнити супровідний листок і робочий журнал. 2.5 Придатні пластини передати для наступної операцию.

Табл. 1.

|Наименование устаткування |Позначення |Позначення | | | |документа | |Система диффузионная многотрубчатая |ДЕМ1 055 009 |17.25 001.00006 | |СДОМ 3Л00 | | | |Система автоматизована |ДЕМ1 055 001 |17.25 001.00042 | |диффузионная АДС6−100 | | |.

Табл. 2.

|Температура |Номер |Час, мин.|Наименование |Шифр |Витрата газів л/час |Товщина | |робочої зони |інтервал| |тимчасового |команд | |окисла, А | |печі С0, (1 |а | |інтервалу | |О2 (30 N2 (30 | | | | | | | |HCl* | | | |1 |12(1 |Завантаження |9,13 |270 |- |- | | | |2 |10(1 |Робочий режим |9 |270 |- |- | | | |3 |0.3(0.5 |Сигналізація |9,12 |270 |- |- | | | |4 |90(40 |Робочий режим |9 |270 |- |10−15 | | |1000 |5 |0.3(0.5 |Сигналізація |9,12 |270 |- |10−15 |800(1100 А| | |6 |10(90 |Робочий режим |6 |- |300 |- | | | |7 |12(1 |Розвантаження |6,14 |- |300 |- | | | |8 |0.3(0.5 |Сигналізація |6,12 |- |300 |- | | | |9 |Між |Продування |9 |270 |- |- | | | | |процесами | | | | | | |.

ОПЕРАЦИЯ ВІДДАЛЕННЯ ФОТОРЕЗИСТА У СУМІШІ КАРО Оборудование.

. установка хімічної обробки ЩЦМЗ 240 212. нагрівач ультрачистых середовищ ЩЦМЗ 031 173. касета (07−0518. тара межоперационная ЩИТ — 725. пінцет (09−1114. власник (03−0767. скло 093−2, КЛ.2, штабик 50 ОСТ 11 110 735 002−73. нарукавники поліетиленові ТУ 95 7037−73. термометр рідинної скляний тип, А ГОСТ 28 498−90. пластина зі структурами 17.10 201.00024. водню перекис 17.10 201.00022. кислота сірчана 17.10 201.00024. вода деионизованная марка, А ТВО 029 001 МК-02. спирт етиловий ректификованный технічний марка «Екстра» ГОСТ 18 300–87. рукавички гумові А7−10 ГОСТ 3–88. серветка з мадаполаму ТВО 054 115 МК-01. серветка з батисту ТВО 054 108 МК-02.

Настоящая карта встановлює порядок проведення процесу видалення плівок фоторезиста з кремнієвих пластин, які мають металевих покриттів, в сірчаної кислоті, потім у суміші сірчаної кислоти і перекису водню (суміші Каро).

Требования безопасности.

1.1 Під час проведення цього процесу можливі такі види опасности:

1) хімічні ожоги;

2) отравления;

3) электроопасность;

4) термоопасность;

5) порізи. 1.2 Джерелами хімічних опіків є сірчана кислота, перекис водню й їхні суміші, і навіть їх пари потрапляючи на шкіру у організм людини. 1.3 Джерелом электроопасности є налаштованість хімічної обробки з незахищеною електропроводкою і заземленням. 1.4 Джерелом термоопасности є нагріта суміш сірчаної кислоти і перекису водню і підігріта деионизованная вода. 1.5 Джерелом порізів то, можливо застосовується скляна оснащення зі відколами і тріщинами. 1.6 Щоб уникнути хімічних опіків і отруєнь виконувати вимоги викладені у ТВО 045 039 ТІ. 1.6.1 Роботу зі сумішшю перекису водню і сірчаної кислоти на установці робити тільки при закритих шторках, в гумових рукавичках одноразового використання, в нарукавниках і фартуху. 1.6.2 На робоче місце повинно бути предметів не стосовних денной операції, наявність органічних речовин та інших реактивів, не передбачених картою, оскільки перекис водню є сильним окислювачем. 1.7 Щоб уникнути термоопасности не стосуватися руками гарячих частин устаткування й гарячих розчинів. 1.8 Щоб уникнути порізів треба бути уважним і обережним при використанні оснастки зі скла. Що стосується бою скляній оснастки зібрати великі осколки сухий серветкою, а дрібні вологій і викинути до урни. 1.9 У разі аварійної ситуації негайно відключити технологічний блок тумблером, розташованим на нижньої панелі управління, поставивши у безвихідь ОТКЛ, потім викликати наладчика, повідомити мастеру.

Подготовка робочого місця та організація трудового процесса.

2.1 Переконайтеся за записом у журналі, що виробнича гігієна робочого місця та ділянки відповідає 17.25 101.00002. 2.2 Переконатися за журналом готовності устаткування, що установка хімічної обробки пластин і установка контролю перевірено й підготовлені на роботу наладчиком. Без підписи наладчика на роботу не приступати, повідомити майстру. 2.3 Зодягти до початку роботи поза робочої зони поліетиленові нарукавники і гумові рукавички. Промити руки в рукавичках деионизованной водою і осушити серветкою. 2.4 Проводити щодня початку зміни протирання вологій серветкою з мадаполаму зовнішніх поверхонь встановлення і грати витяжки зливу. На лицьової панелі установки мусить бути напис, яка вказує призначення операції, і найменування використовуваного розчину. 2.5 Промити робочі ванни і срібло у яких нагрівачі, грати та кришки деионизированной водою з шланга. 2.6 Злити воду із робітників ванн, відкривши вентилі зливу. В тому, що вода повністю видалена з ванн. 2.7 Контролювати витрата вод деионизированной по ротаметру, він має складати (4(1) л/мин однією установку. 2.8 Приготувати суміш сірчаної кислоти перекису водню у двох робочих ваннах установки. 2.8.1 Налити на дно першої ванни 25−50 мл перекису водню, відкривши кран на передній панелі установки з написом перекис водню на 1−2 з. Закрити кран. 2.8.2 Налити під час першого ванну 6 л сірчаної кислоти, відкривши кран на передній панелі установки з написом сірчана кислота, до верхньої позначки на стінки ванни. Закрити кран. 2.8.3 Налити на другу ванну 1.8 л перекису водню, відкривши кран на передній панелі установки з написом перекис водню, до нижньої позначки на стінці ванни. Закрити кран. 2.8.4 Налити на другу ванну 4.2 л сірчаної кислоти, відкривши кран на передній панелі установки з написом сірчана кислота, до верхньої позначки на стінки ванни. Закрити кран. 2.8.5 Перемішати приготовлену суміш Каро з допомогою скляній палички. Закрити ванни кришками. 2.8.6 Виставити на реле часу час обробки першого робочого ванній (з сірчаної кислотою) 5 хвилин, на другий робочої ванній (зі сумішшю Каро) 3 хвилини. 2.9 Заповнити проміжну ванну деионизованной водою, відкривши кран. 2.10 Перевірити термометром температуру гарячої деионизованной води в проміжної ванній. Вона має бути (65(5)0С. Якщо гаряча вода у ванні відповідає зазначеної температурі, роботу зупинити, повідомити неполадку. 2.11 Одержати в касеті пластини, призначені для цієї операції. Переконатися по супровідному аркушу, що отримане пластини призначені для цієї операції І що проведено попередні. 2.12 При вимірі обсягів рідких матеріалів дозволене відхилення забезпечується наявними засобами измерения.

Технологический процесс.

3.1 Включити нагрівач ванн відповідними тумблерами автомата НАГРІВАЧ, поставивши тумблери в верхнє становище, у своїй повинні спалахнути сигнальні лампочки. 3.2 Нагріти сірчану кислоту (У першій ванній) і суміш Каро (на другий ванній) до температури (150(10)0С. При досягненні технологічної температури загоряється сигнальна лампочка регулятора температури. 3.3 Відкрити кришки ванн. 3.4 Переконатися з допомогою термометра, що температура нагрітої сірчаної кислоти і суміші Каро відповідають заданої. Що стосується невідповідності температур по регулятора і термометру на величину, перевищує 100С, викликати наладчика усунення невідповідності. Дозволяється починати обробку пластин за нормальної температури 1200С. 3.5 Опустити касету з пластинами з допомогою ручки в ванну з нагрітої сірчаної кислотою. Занурення касет з пластинами проводити повільно. У разі бурхливої реакції при розчиненні фоторезиста підняти касету. Стежити те, щоб пластини у процесі занурення залишилися у пазах касети. 3.6 Включити реле часу першого робочого ванни. 3.7 Вилучити касету з пластинами з допомогою ручки з першого ванни при загорянні червоною сигнальній лампочки. У одній порції сірчаної кислоти обробляти трохи більше 1500 пластин. Після обробітку пластин У першій робочої ванній в сірчаної кислоті після обробки кожних 250 пластин доливати сірчану кислоту 150−200 мл рівня верхньої позначки на стінці ванни. 3.8 Переставити касету з пластинами на другу робочу ванну зі сумішшю Каро. 3.9 Включити реле часу другий робочої ванни. 3.10 Вилучити касету з пластинами з допомогою ручки з другої ванни при загорянні червоною сигнальною лампочки. У одній порції суміші Каро обробляти трохи більше 300 пластин. Після опрацювання 100 пластин обережно доливати в ванну зі сумішшю Каро (200(50) мл перекису водню. Наступну доливку робити після обробки кожних 50 пластин. 3.11 Витримати пластини в касеті у робочому обсязі протягом 1−2 хвилин. 3.12 Помістити касету з пластинами в ванну із гарячою деионизованной водою. 3.13 Промити пластини у ванні із гарячою деионизованной водою протягом 1−2 хвилин. 3.14 Перенести касету з пластинами з проміжної ванни в ванну каскадної промивання. 3.15 Проводити відмивання пластин в деионизованной воді У першій і в другій ваннах каскаду протягом 2−3 хвилин, у кожної ванній. У третій ванній каскаду витримати до зниження опору зливальний води 3 Мом (см по приладу контролю опору деионизованной води. 3.16 Перенести касету з пластинами на сушіння пластин по ТВО 734 618 ТАК ЯК після закінчення відмивання пластин. 3.17 Передати оброблені пластини в касеті для наступної операцію, заповнивши супровідний лист. 3.18 Відключити після закінчення роботи нагрівачі ванн, поставивши тумблер блоку управління НАГРІВАЧ в нижнє становище. 3.19 Злити сірчану кислоту і суміш Каро із робітників ванн, відкривши кран зливу і попередньо охолодивши їх до (80−50) градусів. Перед зливом сірчаної кислоти додати в ванну 200 мл перекису водню. 3.20 Промити робочі ванни, перебувають у них грати та нагрівачі, деионизованной водою з шланга. 3.21 Закрити вентилі зливу і закрити робочі ванни кришками. 3.22 Протерти стіл установки, кришки ванн серветкою з мадаполаму. 3.23 Відключити технологічний блок. Проводити відмивання оснастки і ванн установки не менше рази на тиждень. Дозволяється одночасно обробляти по дві касети з пластинами.

КОНТРОЛЬ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ КРИСТАЛЛА Оборудование. система вимірювальна Н2001 («Інтеграл»);. зонд вимірювальний ОМ6010;

Алгоритм програми разбраковки Алгоритм програми разбраковки кристалів 564ИЕ10 приведено у табл. 4.

Рис. 3. [pic] Табл. 3. |найменування елементів |условное|тип |матеріал шару |сопротивле|толщина | |структури |обозначе|пр-ти | |ние |шару, | | |ние | |найменування |шару |глибина | | | | |ГОСТ, ОСТ, ТУ |(s=Ом/(|дифузії | | | | | | |мкм | |захисний шар |Н1 |- |SiO2 термічний |- |- |0.4(0.05 | |дифузний кишеню |Н2 |p |трехфтористый бір |ОСТ 6−02−4-83 |750−1500 |9(1.5 | |n-канальнх транзисторів | | | | | | | |захисний шар |Н3 |- |SiO2 термічний |- |- |0.3(0.05 | |області стоку, джерела |Н4 |p+ |трехфтористый бір |ОСТ 6−02−4-83 |(110 |1.7(0.5 | |захисний шар |Н5 |- |SiO2 термічний |- |- |0.4(0.05 | |області стоку, джерела |Н6 |n+ |фосфор-хлор окис |ТУ-09−3537−85 |(40 |2(0.5 | |захисний шар |Н7 |- |SiO2 термічний |- |- |0.35(0.05| |діелектрик затвора |Н8 |- |SiO2 термічний |- |- |0.1+0.01-| | | | | | | |0.02 | |контактні вікна |- |- |- |- |- |- - - - -| | | | | | | |- - | |контактні майданчики і |Н9 |- |заготівлі 270×120×28 |Яе 0.021,157 ТУ |- |1.2(0.1 | |провідники | | | | | | | |захисний шар |Н10 |- |суміш газова аргону з |ТУ6−02−1228−82 |- |0.8(0.1 | | | | |моносиланом |ТУ6−74−632−86 |- |1.3(0.2 | | | | |фоторезист ФП-383 | | | |.

Табл. 4. Норми параметрів 564 ИЕ10.

|наименован|нормы цеху |погрешнос|режим виміру |номер | |не | |ть | | | |параметра |щонайменше |трохи більше |% |Ucc, B |Uo, B |Uoпор, B |UIпор, B |UI (, B |UIH, B |тесту | |перевірка |- |/-2/ |- |- |- |- |- |- |- |1−16 | |контактир.| | | | | | | | | | | |, У | | | | | | | | | | | |Uпроб, B |15.0 |- |(5 |- |- |- |- |- |- |17,18 | |II (, мкА |- |0.06 |(40 |15 |- |- |- |0 |15 |51−56 | |IIH, мкА |- |0.06 |(40 |15 |- |- |- |0 | |57−62 | |Icc, мкА |- |8.0 |(5 |15 |- |- |- |0 |15 |63−93 | |Io (, мА |1.35 |- |(5 |10 |0.5 |- |- |0 |10 |27−34 | |Io (, мА |0.53 |- |(5 |5 |0.4 |- |- |0 |5 |19−26 | |IoH, мА |0.75 |- |(5 |10 |9.5 |- |- |0 |10 |43−50 | |IoH, мА |0.63 |- |(5 |5 |5 |- |- |0 |5 |35−42 | |Uо (, B |- |0.008 |(40 |10 |- |- |- |0 |10 |102−109 | |UoH, B |-0.008 |- |(40 |0 |- |- |- |-10 |0 |110−118 | |Uo (max, B |- |0.6 |(5 |5 |- |1.7 |3.3 |- |- |119−127 | |UoH min, B |4.65 |- |(5 |5 |- |1.7 |3.3 |- |- |128−134 | |Jcc, мкА |- |5.0 |- |- |- |- |- |- |- |94,96,98| | | | | | | | | | | |, 100 | |Jcc, мкА |5.0 |- |- |- |- |- |- |- |- |95,97,99| | | | | | | | | | | |, 101 |.

СКЛАДАЛЬНЕ ПРОИЗВОДСТВО ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема К425НК1.

Микросхема інтегральна К425НК1 варта роботи у блоці управління экономайзера автомобіля, изготавливаемого для народного хозяйства.

Рис. 4. Схема розташування выводов.

[pic].

Нумерация висновків показано умовно. Ключ «=>» показує напрям відліку висновків. маса трохи більше 3 г.

Табл. 5. Призначення выводов.

|Номер виведення |Призначення виведення | |1 |Висновок резистора R9 | |2 |Крапка сполуки резисторів R4 і R5 | |3 |Крапка сполуки резисторів R5 і R6 | |4 |Крапка сполуки резисторів R6 і R7 | |5 |Крапка сполуки резисторів R1 і R2 | |6 |Крапка сполуки резисторів R4 і R9 | |7 |Крапка сполуки резисторів R2 і R3 | |8 |Висновок резистора R3 | |9 |Висновок резистора R8 |.

Табл. 6. Основні електричні параметри (за нормальної температури 25(100С).

|Наименование параметра, режим |Літерне |щонайменше |трохи більше | |виміру, одиниця виміру |позначення | | | |Опір, КОм |R1 |27.0 |33.0 | |Опір, КОм |R2 |0.612 |0.748 | |Опір, КОм |R3 |0.459 |0.561 | |Опір, КОм |R4 |0.501 |0.612 | |Опір, КОм |R5 |0.225 |0.275 | |Опір, КОм |R6 |0.844 |1.032 | |Опір, КОм |R9 |0.577 |0.705 | |Опір, КОм |R7+R8 |2.44 |2.98 | |Вихідний напруга, У (при входном|Uвых.5 |2.7 |8.0 | |напрузі форма сигналу синусоїда,| | | | |амплітуда 10 В, частота 3390 гц) | | | | |Вихідний напруга, У (при входном|Uвых.4 |0.6 |1.6 | |напрузі форма сигналу синусоїда,| | | | |амплітуда 10 В, частота 3390 гц) | | | |.

МАРШРУТ ВИГОТОВЛЕННЯ МІКРОСХЕМ К425НК1.

Ці схеми виготовляються по толстопленочной технології. 1. Промивання чистих плат в деионизованной воді в УЗ полі з порошком. 2. Термообробка за нормальної температури 600 — 700ОС. 3. Нанесення першої боку провідників з перевіркою суміщення під мікроскопом. Пасти — ПП3, містять срібло, паладій, органіку. 4. Вжигание за нормальної температури 625 — 740ОС. 5. Нанесення інша сторона провідників. Пасти — ПП1. 6. Вжигание за тієї ж температурі (попереднє вжигание). 7. Нанесення провідників з торцевій боку на полуавтомате із єдиною метою сполуки сторін. 8. Остаточне вжигание провідників за нормальної температури 800 — 865ОС. 9. Нанесення резистивного шару на полуавтомате на масці. Склад пасти — окис Ag, Pd, органіка. 10. Вжигание резистивной пасти за нормальної температури 700 — 750ОС. 11. Припасування лазерним променем (установки «Темп») 12. Вимірювання резисторів, контроль зовнішнього вигляду. 13. Пайка в электронагревательном устрої в повітряної среде.

Ця операція передбачає пайку навісних елементів з допомогою паяльною лампи на автоматичної лінії пайки. Тут закладається якість. Від наскільки якісно проведена пайка залежить якість і надійність схем. Паста наноситься трафаретною печаткою через трафарет. Завдані елементи ставлять автоматично шляхом захоплення їх із бункера і установки цього разу місце. Температура плавлення — 200−220ОС. Тут заборонена усунення кристалів, неправильна орієнтація кристалів, прокрасы пасти. 14. Промивання в органічному розчинниках в УЗ поле.

Операція варта відмивання плат з начіпними елементами від флюсу. Промивання ведеться у трьох ваннах з попереднім замочкой протягом 3 хвилин із наступної обробкою в УЗ полі перебігу 2 — 3 хвилин, у кожної із трьох ванн. Потім схеми висушують під витяжкою. За виконання даної операції необхідно суворо виконувати вимоги безпеки. Не допускається зіткнення ТХЭ з нагрітими металевими предметами у уникнення освіти про задушливі газів (фосген, дифосген). 15. Промивання у гарячій деионизованной воде.

Операція передбачає додаткову промивання від залишків флюсу і хлору (від ТХЭ) при температура 85ОС (витрата Н2О — 1,2 л/мин) із наступною сушінням за нормальної температури 80 — 120ОС. 16. Стабілізація параметрів термотренировкой.

Стабілізація проводиться, ніж йшли параметри резистора. Проводиться за нормальної температури 85+3ОС протягом 24 годин 17. Пайка дротяних висновків газовим полум’ям на автоматичної лінії армирования.

Газ — водень. Р=0.6.10−5 Па. Час пайки — 100 мсек. Для висновків використовується мідь луджена. 18. Завантаження схем в кассеты.

Проводиться для зручності операції герметизації. 19. Нанесення шару компаунда окунанием.

Ця операція передбачає технологічний процес герметизації мікросхем. Процес відбувається вручну. У цьому треба стежити, ніж порушувалися габаритні параметри. Герметик — компаунд з урахуванням эпоксидной смоли з додаванням отвердителя, розчинника і барвника. 20. Сушіння конвективная.

Проводиться із єдиною метою полімеризації компаунда в печі СК за нормальної температури 130 — 150ОС протягом 2 годин. 21. Маркировка.

З допомогою спеціальних пристосувань кожну схему наноситься товарний знак (назва, дата, ключ). 22. Лакировка.

Схеми покриваються лаком підвищення товарного виду та додаткової захисту від вологи. 23. Сушіння конвективная.

Проводиться за нормальної температури 130 — 150ОС протягом 2 годин. 24. Термотренировка.

Тут передбачається стабілізація параметрів за нормальної температури 120ОС протягом 24 годин. 25. Випробування на вплив змін температури середовища (термоциклирование).

Проводиться у двох камерах КТ04 (камера тепла) і КТХБ (камера холоду) за нормальної температури от+125ОС до -65ОС (10 циклів) з метою визначення здібності мікросхем витримувати попеременное вплив придельной підвищеної і придельной зниженою значень температур і зберігати після впливу зовнішній вигляд і електричні параметри. 26. Електро — термо тренування (ЭТТ).

Передбачає випробування мікросхем на електричну навантаження при підвищеної температурі. Схема завантажується в котрі контактують спеціальні стенди і випробовується у робочому режимі при 85ОС протягом часу рівному часу напрацювання (1…7 діб). 27. Разбраковка по електричним параметрами. Проводиться з єдиною метою поділу придатних схем від шлюбу. Схеми перевіряються на випробувальному комплексі «Вахта» за всі приемосдаточным параметрами, передбачених технічними умовами. 28. Разбраковка по зовнішнім виглядом. 29. Здача в ОТК.

Від зданої партії 10% вибірки проверяется.

ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕННЯ ШАРУ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ.

Справжня операція передбачає технологічний процес герметизації мікросхем методом нанесення шару компаунда окунанием.

Подготовка робочого места.

1.1 Перевірити роботу витяжний вентиляції. 1.2 Перевірити наявність заземлення в усіх установок, працюючих під напругою. 1.3 Протерти робоче місце серветкою з полотна «нетканол», змоченою в воді. 1.4 Одержати в майстра необхідні матеріали і елементи. 1.5 Перевірити завантаження елементів в касету, за наявності дефектів повернути на операцію «завантаження елементів в касети». 1.6 Взяти касету із елементами з транспортера (у разі автоматичної завантаження елементів в касети) перевірити зовнішній вигляд завантажених елементів. Не допускається: 1. відсутність навісних елементів; 2. відсутність висновків; 3. порушення кроку завантаження; 4. усунення висновків; 5. те що висновків; 6. відколи кристалів, недопай конденсаторів. 1.7 Передати наладчикові касети з дефектними елементами. Примітки. Наладчикові, користуючись пристроєм ФОЗ-0524, витягти дефектні елементи з касет, завантажити придатними і просить передати заливщице для обволакивания.

Организация трудового процесса.

2.1 До виконання даної технічної операції допускаються особи, минулі атестацію на знання цієї операції відповідно до ТВО 046 093 ТІ. 2.2 Працюючи вимог електронної гігієни відповідно до ТВО 046 341 ТІ. 2.3 Технологічна одяг має відповідати вимогам СОТ 11 050 000−80. 2.4 На робоче місце повинна бути виписка з технологічної карти, виконана відповідно до ТВО 045 207 ТИ.

Технологический процесс.

3.1 Наповнити ванну для ручного занурення елементів компаундом. 3.2 Перемішати компаунд у ванні для усереднення в’язкості і вирівнювання поверхні компаунда. 3.3 Підрівняти елементи в касеті, опустивши їх у поверхню столу так, що вони перебували одному рівні. 3.4 Занурити елементи в ванну з компаундом. 3.5 Вийняти повільно елементи з ванної і розворушити з нього надлишок компаунда. 3.6 Перегорнути касету з покритими елементами і стріпнути компаунд для більш рівномірного розподілу компаунда. Допускається покриття компаундом висновків на величину трохи більше початку формовки виведення. 3.7 Переглянути касету після занурення, проколоти бульки з допомогою монтажній голки на корпусі і у підставку для сушіння. 3.8 Повторити переходи 3.3−3.7 для всієї партії елементів. 3.9 Заповнити супровідний лист, вказавши чітко дату, кількість придатних і бракованих мікросхем, прізвище робітниці. 3.10 Для герметизації мікросхем К224ФН2 використовувати компаунд в’язкістю 27- 32 мм. 3.11 Для микросборок з конденсаторами К53−37 застосовувати компаунд ЭОК в’язкістю 39−40 мм. 3.12 Раковини, які утворилися лежить на поверхні микросборок у місцях розташування конденсаторів К53−37 і транзисторів в пластмасовому корпусі, дозалить компаундом з допомогою монтажній иглы.

Требования безопасности.

4.1 До роботи на цієї операції допускаються особи:. досягли 18 років;. отримали позитивний висновок за результатами медичного огляду відповідно до наказом Мінохорони здоров’я СРСР № 400;. вивчили правила безпечної роботи з эпоксидной смолою, мфенилендиамином, трикрезилфосфатом і розчинниками;. минулі інструктаж робочому місці за проведенню цієї операції. 4.2 Працюючи на цієї операції керуватися вимогами безпеки відповідно до ТВО 046 050 ТІ. 4.3 Компаунд робочому місці має перебувати у щільно закрывающейся тарі із відповідною підписом під місцевим вытяжным пристроєм. Кількість компаунда на повинен перевищувати змінній потреби. 4.4 Виробляти оточення мікросхем у ванні робочому місці із місцевим вытяжным пристроєм з захисним екраном з органічного скла. 4.5 Зберігати мікросхеми після обволакивания в нагромаджувачах із місцевим вытяжным пристроєм. 4.6 Потрапивши компаунда на шкіру промити її гарячою водою з милом і змазати захисної пастою Р.71.528.21. 4.7 Кількість ацетону робочому місці, покликаного забезпечити промивання мікросхем зруйнованих в ванну з компаундом, для промивання посуду, пристосувань і оснастки, на повинен перевищувати змінній потреби. Ацетон повинен зберігатися в металевої тарі з щільно закрывающейся кришкою. 4.8 Після закінчення роботи здати майстру решта мікросхеми і матеріалів, призначені для утилизации.

Дополнительные указания.

5.1 Мікросхеми розбиті в ванну з компаундом під час занурення партії, взяти пінцетом, промити в чашці з ацетоном, завантажити в касету і «зробити пірнути. 5.2 Після закінчення роботи промити посуд, пристосування, і оснастку в ацетоні і протерти серветкою. Наприкінці кожної робочого тижня злити компаунд з ванн в бак і вирівняти поверхню. Ванну очистити і промити в ацетоні. Промивання провадити у гумових рукавичках. 5.3 Прибрати робоче місце. 5.4 Замовити майстру компаунд для наступної зміну за необхідності. 5.5 Термін життя компаунда трохи більше 5 діб. 5.6 Допускається розбавляти загуслий компаунд ЭОК рідким компаундом в’язкістю 35−40 мм до отримання робочої в’язкості. 5.7 Злити відпрацьований компаунд в бочок з поліетиленовим пакетом, вийняти пакет з компаундом і помістити під витяжку. Витримати щонайменше 3 діб, після чого заполимеризованнй компаунд можна викидати як побутове сміття. 5.8 Допускається для герметизації мікросхем використовувати компаунд Ф047−1 по ТВО 028 312 TK, ТВО 028 312 МК, ТВО 308 211 TK, ТВО 342 911 TK, ТВО 028 001 ТУ. 5.9 Допускається замість фурацилиновой захисної пасти використовувати крем силиконовый.

Л І Т Є Р, А Т У Р А.

1. Технологічний маршрут виготовлення кристалів 564ИЕ10.

2. Технологічний маршрут виготовлення мікросхем К425НК1.